研究者詳細 - 本田　善央

論文 - 本田　善央

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Stacking Faults and Luminescence Property of InGaN Nanowires 査読有り

Tabata, T; Paek, J; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 巻 ( 8 ) 2013年8月

Growth Mode and Threading Dislocation Behavior of GaN Films Grown on Patterned Sapphire Substrate with Radial Stripe Pattern 査読有り

Okuno, K; Oshio, T; Shibata, N; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 巻 ( 8 ) 2013年8月

I-1-2 高密度ラジカル源を用いた分子線エピタキシー法によるIII族窒化物エピタキシャル成長(窒化物半導体デバイスの精密加工プロセス-窒化物LEDに関わる先端デバイスプロセシング-,口頭発表)

河合洋次郎, 本田善央, 山口雅史, 天野浩, 近藤博基, 平松美根男, 加納浩之, 山川晃司, 田昭治, 堀勝

IIP情報・知能・精密機器部門講演会講演論文集 2013 巻 ( 0 ) 頁： 5 - 7 2013年

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人日本機械学会

Although plasma-assisted molecular beam epitaxy(PA-MBE) is a promising technique for GaN growth,the growth rate obtained by this technique is lower than that obtained by metal organic vapor phase epitaxy(MOVPE).In order to improve the growth rate of the technique,high density radical source(HDRS) was developed.By vacuum ultraviolet absorption spectroscopy(VUVAS) measurement,two orders of magnitude higher radical density was confirmed in a comparison of the HDRS and a conventional radical source(CRS).While faster growth rate of 1.4μm/h in GaN homoepitaxy was achieved,better crystalline quality of InxGa_<(1-x)>N(x=0.03〜0.16) epilayers with approximately 1.4μm thickness were also achieved by introducing the HDRS in PA-MBE.

DOI： 10.1299/jsmeiip.2013.5

CiNii Research

Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

久志本真希, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 112 巻 ( 33 ) 頁： 15 - 18 2012年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE法により作製した加工Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上に室温発光波長435nm〜590nm、井戸幅2nm〜9nmのInGaN/GaN多重量子井戸構造(MQW)を作製し、偏光特性を測定した。表面からの発光の偏光特性を測定したところ、発光波長が短波長で量子井戸幅が薄い場合、発光の偏光方向はc軸と垂直であった。一方発光波長が長くなる、あるいは井戸幅が厚くなるほど、偏光が平行方向へシフトしていくことが明らかとなった。また、発光波長が短波長である試料の端面(11-22)からの発光特性を測定したところ、ナローイングが観測されるとともに、井戸幅が広くなるにつれてc軸と平行な偏光成分の増加が観測された。このことから、井戸幅とIn組成の制御により偏光の制御が可能であり、任意のLD構造設計への応用が期待される。

CiNii Research

Strain relaxation in thick ($1{\bar {1}}01$) InGaN grown on GaN/Si substrate 査読有り

Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H; Sawaki, N

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 249 巻 ( 3 ) 頁： 468 - 471 2012年3月

Impurity incorporation in semipolar (1-1 0 1) GaN grown on an Si substrate 査読有り

Sawaki, N; Hagiwara, K; Hikosaka, T; Honda, Y

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 27 巻 ( 2 ) 2012年2月

Si基板上半極性窒化物半導体の結晶成長(<特集>次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)

本田善央

日本結晶成長学会誌 38 巻 ( 4 ) 頁： 241 - 248 2012年

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：日本結晶成長学会

加工Si基板へ有機金属気相成長法選択成長を試み半極性(1-101)GaN,(11-22)GaNを作製した.半極性面における光学的特性,電気的特性及び不純物濃度等の特性について各結晶面での評価を行った.さらに,半極性GaN上へヘテロ成長したInGaNのIn取り込み及び転位導入過程を,(1-101)GaN面を中心に評価を行ったので本報にて報告する.

DOI： 10.19009/jjacg.38.4_241

CiNii Research

Improvement of Light Extraction Efficiency for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes 査読有り

Inazu, T; Fukahori, S; Pernot, C; Kim, MH; Fujita, T; Nagasawa, Y; Hirano, A; Ippommatsu, M; Iwaya, M; Takeuchi, T; Kamiyama, S; Yamaguchi, M; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50 巻 ( 12 ) 2011年12月

AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates 査読有り

Kim, M; Fujita, T; Fukahori, S; Inazu, T; Pernot, C; Nagasawa, Y; Hirano, A; Ippommatsu, M; Iwaya, M; Takeuchi, T; Kamiyama, S; Yamaguchi, M; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I

APPLIED PHYSICS EXPRESS 4 巻 ( 9 ) 2011年9月

Effect of lateral vapor phase diffusion during the selective growth of InGaN/GaN MQW on semipolar and nonpolar GaN stripes 査読有り

Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 208 巻 ( 5 ) 頁： 1175 - 1178 2011年5月

Optical properties of (1 (1)over-bar 0 1) semi-polar InGaN/GaN multiple quantum wells grown on patterned silicon substrates 査読有り

Chiu, CH; Lin, DW; Lin, CC; Li, ZY; Chen, YC; Ling, SC; Kuo, HC; Lu, TC; Wang, SC; Liao, WT; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 318 巻 ( 1 ) 頁： 500 - 504 2011年3月

Drastic Reduction of Dislocation Density in Semipolar (11(2)over-bar2) GaN Stripe Crystal on Si Substrate by Dual Selective Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

Murase, T; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H; Sawaki, N

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50 巻 ( 1 ) 2011年1月

Semi-polar GaN LEDs on Si substrate 査読有り

Sawaki, N; Honda, Y

SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES 54 巻 ( 1 ) 頁： 38 - 41 2011年1月

Reduction of Efficiency Droop in Semipolar (1(1)over-bar01) InGaN/GaN Light Emitting Diodes Grown on Patterned Silicon Substrates 査読有り

Chiu, CH; Lin, DW; Lin, CC; Li, ZY; Chang, WT; Hsu, HW; Kuo, HC; Lu, TC; Wang, SC; Liao, WT; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

APPLIED PHYSICS EXPRESS 4 巻 ( 1 ) 2011年1月

Raman Spectroscopic Study Of Residual Strain In (1-101) GaN And (0001) GaN Layers Grown On Si Substrate 査読有り

Sugiura, T; Kim, EH; Honda, Y; Takagi, H; Tsukamoto, T; Andoh, H; Yamaguchi, M; Sawaki, N

PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 30TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS 1399 巻 2011年

Achieving high-growth-rate in GaN homoepitaxy using high-density nitrogen radical source 査読有り

Kawai Yohjiro, Chen Shang, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi, Kondo Hiroki, Hiramatsu Mineo, Kano Hiroyuki, Yamakawa Koji, Den Shoji, Hori Masaru

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 7-8 8 巻 ( 7-8 ) 2011年

ラマン分光法を用いたCaN/Siの残留歪みの評価に関する研究

杉浦藤虎, 本田善央, 岡本明大, 高木宏幸, 塚本武彦, 安藤浩哉

豊田工業高等専門学校研究紀要 42 巻 ( 0 ) 頁： 19 - 22 2010年

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：独立行政法人国立高等専門学校機構豊田工業高等専門学校

We have studied the residual strain and stress in semi-polar (1-101)GaN and conventional (0001)GaN grown on Si by means of Raman spectroscopy. By adopting the stress coefficients reported in the references, the residual strain of samples were deduced from the frequency shifts of the phonon modes in Raman spectra. As the results, it was found that the strain tensor of (1-101) GaN/Si was smaller than that of the (0001)GaN/Si in good agreement with the results obtained from the X-ray diffraction measurements.

DOI： 10.20692/toyotakosenkiyo.kj00005889042

CiNii Research

Influence of a SiO<sub>2</sub> Mask on the Growth of Semi-Polar (11-22) GaN on Patterned Si (311) Substrates 査読有り

Yang, M; Ahn, HS; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 54 巻 ( 6 ) 頁： 2363 - 2366 2009年6月

Growth and properties of semi-polar GaN on a patterned silicon substrate 査読有り

Sawaki, N; Hikosaka, T; Koide, N; Tanaka, S; Honda, Y; Yamaguchi, M

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311 巻 ( 10 ) 頁： 2867 - 2874 2009年5月

Maskless selective growth of semi-polar (11(2)over-bar2) GaN on Si (311) substrate by metal organic vapor phase epitaxy 査読有り

Yang, M; Ahn, HS; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311 巻 ( 10 ) 頁： 2914 - 2918 2009年5月

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