研究者詳細 - 本田　善央

論文 - 本田　善央

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Growth and doping of AlGaN and electroluminescence of SAG-InGaN/AlGaN heterostructure by mixed-source HVPE 査読有り

K. H. Kim, H. S. Ahn, M. Yang, K. S. Jang, S. L. Hwang, W. J. Choi, C. R. Cho, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, M. Koike

phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁： 1461 - 1465 2006年

Cathodoluminescence properties of InGaN codoped with Zn and Si 査読有り

Y. Honda, Y. Yanase, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁： 1915 - 1918 2006年

Incorporation of carbon on a (1-101) facet of GaN by MOVPE 査読有り

N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Cryst. Growth 284 巻 ( 3-4 ) 頁： 341 - 346 2005年11月

(001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

彦坂年輝, 小出典克, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 105 巻 ( 90 ) 頁： 69 - 74 2005年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

(001)Si傾斜基板上への常圧選択MOVPE成長法により、(1-101)面を表面とするGaNが作製できる。この方法で得られるGaN(1-101)面は窒素面となり、ガリウムを最表面とする(0001)面とは、成長モードや不純物の取り込みが異なると予想される。実際、この(1-101)GaNはノンドーピングでp型伝導性を示した。この試料にSiドーピングを行った結果、p型伝導からn型伝導へと変化した。一方、Cドーピングでは試料はすべてp型伝導を示し、ドーピングによる正孔濃度の増加が確認された。これは(1-101)面においてSiはドナー不純物、Cはアクセプター不純物として働くことを示唆しており、p型伝導はCの窒素原子との置換によるものであると考えられる。

(001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

彦坂年輝, 小出典克, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 105 巻 ( 92 ) 頁： 69 - 74 2005年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

Characterization of AlGaN layer with high Al content grown by mixed-source HVPE 査読有り

H. S. Ahn, K. H. Kim, M. Yang, J. Y. Yi, H. J. Lee, J. H. Chang, H. S. Kim, S. W. Kim, S. C. Lee, Y Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (a) 202 巻 ( 6 ) 頁： 1048 - 1052 2005年5月

Growth of thick AlGaN by mixed-source hydride vapor phase epitaxy 査読有り

H.S. Ahn, K.H. Kim, M. Yang, J.Y. Yi, H.J. Lee, C.R. Cho, H.K. Cho, S.W. Kim, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Appl. Surf. Science 243 巻 ( 1-4 ) 頁： 178 - 182 2005年4月

Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE 査読有り

Y. Honda, M. Okano, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 2 巻 ( 7 ) 頁： 2125? 2128 2005年

Incorporation of carbon on a (1-101) facet of GaN by MOVPE 査読有り

N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Cryst. Growth 284 巻 ( 3-4 ) 頁： 341?346 2005年

Characterization of AlGaN layer with high Al content grown by mixed-source HVPE 査読有り

H. S. Ahn, K. H. Kim, M. Yang, J. Y. Yi, H. J. Lee, J. H. Chang, H. S. Kim, S. W. Kim, S. C. Lee, Y Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (a) 202 巻 ( 6 ) 頁： 1048?1052 2005年

Doping in GaN and AlGaN Grown by Mixed-Source Hydride Vapor Phase Epitaxy 査読有り

J. Y. Yi, Kyoung H. Kim, H. J. Lee, M.?Yang, H. S. Ahn, C. R. Cho, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

Inst. Phys. Conf. Ser. 184 巻頁： 373-376 2005年

Growth of AlGaN on Al2O3 substrates by Mixed-Source HVPE 査読有り

K. H. Kim, J. Y. Yi, H. J. Lee, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, C. R. Cho, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

Inst. Phys. Conf. Ser. 184 巻頁： 361-364 2005年

Effect of Si doping to the (1-101)GaN grown on a 7 degree off oriented (001)Si by selective MOVPE 査読有り

T. Hikosaka, Y. Honda, N. Koide, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

Inst. Phys. Conf. Ser. 184 巻頁： 251-254 2005年

Growth of thick AlGaN by mixed-source hydride vapor phase epitaxy 査読有り

H.S. Ahn, K.H. Kim, M. Yang, J.Y. Yi, H.J. Lee, C.R. Cho, H.K. Cho, S.W. Kim, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

Appl. Surf. Science 243 巻 ( 1-4 ) 頁： 178-182 2005年

Growth and optical properties of InGaN/GaN quantum well on a (1-101) facet 査読有り

T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 2 巻 ( 7 ) 頁： 2349?2352 2005年

Doping in GaN and AlGaN Grown by Mixed-Source Hydride Vapor Phase Epitaxy 査読有り

J. Y. Yi, Kyoung H. Kim, H. J. Lee, M.?Yang, H. S. Ahn, C. R. Cho, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Inst. Phys. Conf. Ser. 184 巻頁： 373-376 2005年

Growth of AlGaN on Al2O3 substrates by Mixed-Source HVPE 査読有り

K. H. Kim, J. Y. Yi, H. J. Lee, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, C. R. Cho, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Inst. Phys. Conf. Ser. 184 巻頁： 361 - 364 2005年

Effect of Si doping to the (1-101)GaN grown on a 7 degree off oriented (001)Si by selective MOVPE 査読有り

T. Hikosaka, Y. Honda, N. Koide, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Inst. Phys. Conf. Ser. 184 巻頁： 251 - 254 2005年

Growth and optical properties of InGaN/GaN quantum well on a (1-101) facet 査読有り

T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 2 巻 ( 7 ) 頁： 2349 - 2352 2005年

Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE 査読有り

Y. Honda, M. Okano, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 2 巻 ( 7 ) 頁： 2125 - 2128 2005年

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