研究者詳細 - 本田　善央

論文 - 本田　善央

分割表示 594 件中 581 - 594 件目／全件表示 >>

山口雅史, 本田善央, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 100 巻 ( 643 ) 頁： 25 - 30 2001年2月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

(111)Si基板上に電子線露光法によって直径250nm以下の大きさの円形窓列(周期350nm)を有するシリコン酸化膜を作製し, これをマスクとして, 有機金属気相成長(MOVPE)法によってGaNの選択成長を行った.窓部には, 底面の差し渡しが250nm程度の六角錐GaNドット列が得られた.六角錘GaNドットの頂上には極めて平坦なc面が得られ, その大きさは50nmとなった.サファイア基板上への成長した六角錐GaNドットに比べて, ファセットの形状が鮮明で, 光学的性質にも比較的優れ, GaN量子ドット列を得るのにSi基板上に作製した方がより都合がいいことが分かった.

Selective growth of GaN/AlGaN microstructures by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

T. Kato, Y. Honda, Y. Kawaguchi, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

Jpn. J. Appl. Phys. 40 巻 ( 3B ) 頁： 1896-1898 2001年

Structural characterization of GaN laterally overgrown on a (111)Si substrate 査読有り

S. Tanaka, Y. Honda, N. Sawaki, and M. Hibino

Appl. Phys. Lett 79 巻 ( 7 ) 頁： 955-957 2001年

Selective area growth of GaN microstructures on petterned (111) and (001) Si substrate 査読有り

Y. Honda, Y. Kawaguchi, Y. Ohtake, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Cryst. Growth 230 巻 ( 3-4 ) 頁： 346-350 2001年

MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六方晶GaN微細構造の作製と制御査読有り

本田善央, 大竹洋一, 川口靖利, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 99 巻 ( 616 ) 頁： 21 - 28 2000年2月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE選択成長法(SAG)によるシリコン基板上への六方晶GaNのストライプ構造、埋め込み構造、並びに六角錐ピラミッドの作製について述べた。(1-101)ファセットとC面で囲まれたこれらの結晶の品質は一面成長によるものより良質であること、GaN量子細線や量子ドットをSi基板上に形成することができることを明らかにした。高品質の結晶を得るためには成長初期の成長核の形成過程、すなわち、異種材料上へのヘテロエピタキシにおける緩衝層の形成条件を整えることが重要であることを示した。

Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE 査読有り

Y. Honda, Y. Kawaguchi, T. Kato, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

IPAP Conf. Series 1 巻頁： 304-307 2000年

Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE 査読有り

Y. Honda, Y. Kawaguchi, T. Kato, M. Yamaguchi, N. Sawaki

IPAP Conf. Series 1 巻頁： 302 - 307 2000年

Selective Area Growth of GaN on Stripe-Patterned (111)Si Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

Y. Kawaguchi, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, K. Hiramatsu

Phys. Stat. Sol. (a) 176 巻 ( 1 ) 頁： 557 - 560 1999年11月

Crystal orientation fluctuation of epitaxial-lateral-overgrown GaN with W mask and SiO2 mask observed by transmission electron diffraction and X-ray rocking curves 査読有り

Y Honda, Y Iyechika, T Maeda, H Miyake, K Hiramatsu, H Sone, N Sawaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 38 巻 ( 11B ) 頁： L1299 - L1302 1999年11月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：JAPAN J APPLIED PHYSICS

Fluctuation of the crystal orientation of epitaxial-lateral-overgrown (ELO) GaN with a tungsten (W) mask is compared to that with a SiO2 mask by means of selected-area transmission electron diffraction (TED) and X-ray rocking curves (XRCs). XRCs of (0004) reflection exhibited three peaks for ELO-GaN on a SiO2 mask, and were confirmed to originate from domains of different c-axis orientation by TED. On the other hand, fluctuation of the c-axis was not observed for ELO-GaN with a W mask. These results indicate that the crystalline quality of ELO-GaN with a W mask is better than that with a SiO2 mask.

Web of Science

Selective Area Growth of GaN on Stripe-Patterned (111)Si Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

Y. Kawaguchi, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, and K. Hiramatsu

Phys. Stat. Sol. (a) 176 巻頁： 553-556 1999年

Selective area growth (SAG) and epitaxial lateral overgrowth (ELO) of wurtzite GaN on (111) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

Y. Kawaguchi, Y. Honda, M. Yamaguchi, K. Hiramatsu, and N. Sawaki

Inst. Phys. Conf. Ser. 162 巻頁： 687-692 1999年

Selective area growth (SAG) and epitaxial lateral overgrowth (ELO) of wurtzite GaN on (111) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

Y. Kawaguchi, Y. Honda, M. Yamaguchi, K. Hiramatsu, N. Sawaki

Inst. Phys. Conf. Ser. 162 巻 ( 162 ) 頁： 687 - 692 1999年

Selective area growth of GaN on Si substrate using SiO_2 mask by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

Y. Kawaguchi, Y. Honda, H. Matsushima, M. Yamaguchi, K. Hiramatsu, N. Sawaki

Jpn. J. Appl. Phys. 37 巻 ( 8B ) 頁： L966 - L969 1998年8月

Selective area growth of GaN on Si substrate using SiO_2 mask by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

Y. Kawaguchi, Y. Honda, H. Matsushima, M. Yamaguchi, K. Hiramatsu, and N. Sawaki

Jpn. J. Appl. Phys. 37 巻 ( 8B ) 頁： L966-L969 1998年

　前のページ - 次のページ　

<本田 善央>

論文 - 本田 善央

<本田　善央>

論文 - 本田　善央