論文 - 本田　善央

Scattering times in the two-dimensional electron gas of AlxGa1-xN/AlN/GaN heterostructures 査読有り

X.X. Han XX, T. Honda, T. Narita, M. Yamaguchi, N. Sawaki, T. Tanaka, Q.X. Guo, and M. Nishio

J. Phys. D   42 巻 ( 4 ) 頁： 045112-1   2009年1月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Scattering times in the two-dimensional electron gas of AlxGa1-xN/AlN/GaN heterostructures 査読有り

X.X. Han XX, T. Honda, T. Narita, M. Yamaguchi, N. Sawaki, T. Tanaka, Q.X. Guo, M. Nishio

J. Phys. D   42 巻 ( 4 ) 頁： 045112-1   2009年1月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DAP emission band in a carbon doped (1-101)GaN grown on (001)Si substrate 査読有り

Honda Yoshio, Hikosaka Toshiki, Yamaguchi Masahito, Sawaki Nobuhiko, Pozina Galia, Karlsson Fredrik, Darakchieva Vanya, Paskov Plamen, Monemar Bo

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2   6 巻   頁： S772 - S775   2009年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1002/pssc.200880932

Web of Science

Percolation transport in an AlGaN/GaN heterostructure 招待有り 査読有り

N. Sawaki, X. X. Han, Y. Honda, M. Yamaguchi

Journal of Physics: Conference Series   193 巻   頁： 012012_1-012012_4   2009年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

DOI： 10.1088/1742-6596/193/1/012012

Web of Science

Time-resolved spectroscopy in an undoped GaN (1-101) 査読有り

E.H. Kim, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 1 ) 頁： 367-369   2008年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Growth of semi-polar (11-22)GaN on a (113)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

T. Tanikawa, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 9 ) 頁： 2966-2968   2008年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

*Fabrication and properties of semi-polar (1-101) and (11-22) InGaN/GaN light emitting diodes on patterned Si substrates 査読有り

T. Hikosaka, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 6 ) 頁： 2234?2237   2008年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Energy relaxation processes of photo-generated carriers in Mg doped (0001)GaN and (1-101)GaN 査読有り

J. Saida, E. H. Kim, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 6 ) 頁： 1746?1749   2008年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Time-resolved spectroscopy in an undoped GaN (1-101) 査読有り

E.H. Kim, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 1 ) 頁： 367-369   2008年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

*Fabrication and properties of semi-polar (1-101) and (11-22) InGaN/GaN light emitting diodes on patterned Si substrates 査読有り

T. Hikosaka, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 6 ) 頁： 2234 - 2237   2008年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

Web of Science

Energy relaxation processes of photo-generated carriers in Mg doped (0001)GaN and (1-101)GaN 査読有り

J. Saida, E. H. Kim, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 6 ) 頁： 1746 - 1749   2008年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

Web of Science

Growth of semi-polar (11-22)GaN on a (113)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

T. Tanikawa, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 9 ) 頁： 2966-2968   2008年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Energy relaxation processes of photo-generated carriers in Mg doped (0001)GaN and (1-101)GaN 査読有り

J. Saida, E. H. Kim, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics   5 巻 ( 6 ) 頁： 1746 - 1749   2008年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

Energy relaxation processes of photo-generated excess carriers in Mg doped GaN epitaxial layers were investigated at room temperature, with photoluminescence intensity correlation method using femto-second pulse laser as the excitation source. The decay curve was well fitted by exponential decay with two time constants. The slow process of the order of 100 ps was attributed to the energy relaxation of electrons in the conduction band, while the fast process of the order of several pico-seconds was attributed to the capture process in the impurity band near the valence band. Little difference has been found out between the results for (0001)GaN and those for (1-101)GaN. © 2008 Wiley-VCH Verlag GmbH &amp
Co. KGaA.

DOI： 10.1002/pssc.200778620

Scopus

Growth of non-polar (1 1 2̄ 0)GaN on a patterned (1 1 0)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

Tanikawa, T, Rudolph, D, Hikosaka, T, Honda, Y, Yamaguchi, M, Sawaki, N

J Cryst Growth   310 巻 ( 23 ) 頁： 4999 - 5002   2008年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2008.08.059

Fabrication and properties of semi-polar (1-101) and (11-22) InGaN/GaN light emitting diodes on patterned Si substrates 査読有り

T. Hikosaka, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics   5 巻 ( 6 ) 頁： 2234 - 2237   2008年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

InGaN/GaN light emitting diodes (LEDs) were fabricated on semi-polar (1-101) and (11-22) GaN templates which had been grown on patterned (001) and (113)Si substrates, respectively. The GaN templates were of 300 x 300 μm 2 discs formed by the coalescence of GaN stripes grown by selective MOVPE method. The n-type electrode was fabricated on the back surface of the Si substrate. The electroluminescence (EL) peaks were observed around 440 nm and 420 nm in (1-101) and (11-22) LEDs, respectively. The full width at half maximum (FWHM) of the peaks at 20 mA were 33 nm ((1-101) LED) and 21 nm ((11-22) LED). The emission peak was slightly blue-shifted at high drive currents, which was smaller than that of conventional c-plane LEDs. The turn-on voltage of the diodes was of the order of 3-4 V. © 2008 Wiley-VCH Verlag GmbH &amp
Co. KGaA.

DOI： 10.1002/pssc.200778642

Scopus

Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長 査読有り

中島 由樹, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   107 巻 ( 252 ) 頁： 97 - 102   2007年10月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

選択MOVPE法により(111)Si基板上に作製された(0001)面と(1-101)面からなるGaN台形ストライプ構造上にInGaN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を試みた。InGaN混晶薄膜の膜厚は各々のファセット面上で一様でなく、顕著なリッジ成長が見られた。CLスペクトルから組成均一性を評価したところ、(0001)面上ではスペクトルの中央値(ピーク値)は面上で一様であったが、リッジ部でスペクトル半値幅が増加し組成揺らぎが増強されることが分かった。これらの結果は気相中あるいはファセット表面上での化学種の拡散現象だけでは説明できなかった。

Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長 査読有り

中島 由樹, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   107 巻 ( 253 ) 頁： 97 - 102   2007年10月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

選択MOVPE法により(111)Si基板上に作製された(0001)面と(1-101)面からなるGaN台形ストライプ構造上にInGaN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を試みた。InGaN混晶薄膜の膜厚は各々のファセット面上で一様でなく、顕著なリッジ成長が見られた。CLスペクトルから組成均一性を評価したところ、(0001)面上ではスペクトルの中央値(ピーク値)は面上で一様であったが、リッジ部でスペクトル半値幅が増加し組成揺らぎが増強されることが分かった。これらの結果は気相中あるいはファセット表面上での化学種の拡散現象だけでは説明できなかった。

Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長 査読有り

中島 由樹, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   107 巻 ( 251 ) 頁： 97 - 102   2007年10月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

選択MOVPE法により(111)Si基板上に作製された(0001)面と(1-101)面からなるGaN台形ストライプ構造上にInGaN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を試みた。InGaN混晶薄膜の膜厚は各々のファセット面上で一様でなく、顕著なリッジ成長が見られた。CLスペクトルから組成均一性を評価したところ、(0001)面上ではスペクトルの中央値(ピーク値)は面上で一様であったが、リッジ部でスペクトル半値幅が増加し組成揺らぎが増強されることが分かった。これらの結果は気相中あるいはファセット表面上での化学種の拡散現象だけでは説明できなかった。

MOVPE growth and cathodoluminescence properties of GAN microcrystal co-doped with Zn and Si 査読有り

Y. Honda, Y. Yanase, M. Tsuji, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Cryst. Growth   300 巻 ( 1 ) 頁： 110 - 113   2007年3月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.001

Web of Science

Transport properties of the two-dimensional electron gas in Al<i>_x</i>Ga_1-<i>x</i>N/GaN heterostructures

Han, XX; Honda, Y; Narita, T; Yamaguchi, M; Sawaki, N

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER   19 巻 ( 4 ) 頁： 046204   2007年1月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1088/0953-8984/19/4/046204

Web of Science