研究者詳細 - 本田　善央

Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

久志本真希, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 112 巻 ( 33 ) 頁： 15 - 18 2012年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE法により作製した加工Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上に室温発光波長435nm〜590nm、井戸幅2nm〜9nmのInGaN/GaN多重量子井戸構造(MQW)を作製し、偏光特性を測定した。表面からの発光の偏光特性を測定したところ、発光波長が短波長で量子井戸幅が薄い場合、発光の偏光方向はc軸と垂直であった。一方発光波長が長くなる、あるいは井戸幅が厚くなるほど、偏光が平行方向へシフトしていくことが明らかとなった。また、発光波長が短波長である試料の端面(11-22)からの発光特性を測定したところ、ナローイングが観測されるとともに、井戸幅が広くなるにつれてc軸と平行な偏光成分の増加が観測された。このことから、井戸幅とIn組成の制御により偏光の制御が可能であり、任意のLD構造設計への応用が期待される。

Si基板上半極性窒化物半導体の結晶成長(<特集>次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)

Strain relaxation in thick ($1{\bar {1}}01$) InGaN grown on GaN/Si substrate 査読有り

Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H; Sawaki, N

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 249 巻 ( 3 ) 頁： 468 - 471 2012年3月

Impurity incorporation in semipolar (1-1 0 1) GaN grown on an Si substrate 査読有り

Sawaki, N; Hagiwara, K; Hikosaka, T; Honda, Y

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 27 巻 ( 2 ) 2012年2月

本田善央

日本結晶成長学会誌 38 巻 ( 4 ) 頁： 241 - 248 2012年

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：日本結晶成長学会

加工Si基板へ有機金属気相成長法選択成長を試み半極性(1-101)GaN,(11-22)GaNを作製した.半極性面における光学的特性,電気的特性及び不純物濃度等の特性について各結晶面での評価を行った.さらに,半極性GaN上へヘテロ成長したInGaNのIn取り込み及び転位導入過程を,(1-101)GaN面を中心に評価を行ったので本報にて報告する.

DOI： 10.19009/jjacg.38.4_241

Effect of lateral vapor phase diffusion during the selective growth of InGaN/GaN MQW on semipolar and nonpolar GaN stripes 査読有り

Improvement of Light Extraction Efficiency for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes 査読有り

Inazu, T; Fukahori, S; Pernot, C; Kim, MH; Fujita, T; Nagasawa, Y; Hirano, A; Ippommatsu, M; Iwaya, M; Takeuchi, T; Kamiyama, S; Yamaguchi, M; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50 巻 ( 12 ) 2011年12月

AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates 査読有り

Kim, M; Fujita, T; Fukahori, S; Inazu, T; Pernot, C; Nagasawa, Y; Hirano, A; Ippommatsu, M; Iwaya, M; Takeuchi, T; Kamiyama, S; Yamaguchi, M; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I

APPLIED PHYSICS EXPRESS 4 巻 ( 9 ) 2011年9月

Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 208 巻 ( 5 ) 頁： 1175 - 1178 2011年5月

Optical properties of (1 (1)over-bar 0 1) semi-polar InGaN/GaN multiple quantum wells grown on patterned silicon substrates 査読有り

Chiu, CH; Lin, DW; Lin, CC; Li, ZY; Chen, YC; Ling, SC; Kuo, HC; Lu, TC; Wang, SC; Liao, WT; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 318 巻 ( 1 ) 頁： 500 - 504 2011年3月

Drastic Reduction of Dislocation Density in Semipolar (11(2)over-bar2) GaN Stripe Crystal on Si Substrate by Dual Selective Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

Murase, T; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H; Sawaki, N

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50 巻 ( 1 ) 2011年1月

Semi-polar GaN LEDs on Si substrate 査読有り

Sawaki, N; Honda, Y

SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES 54 巻 ( 1 ) 頁： 38 - 41 2011年1月

Reduction of Efficiency Droop in Semipolar (1(1)over-bar01) InGaN/GaN Light Emitting Diodes Grown on Patterned Silicon Substrates 査読有り

Chiu, CH; Lin, DW; Lin, CC; Li, ZY; Chang, WT; Hsu, HW; Kuo, HC; Lu, TC; Wang, SC; Liao, WT; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

APPLIED PHYSICS EXPRESS 4 巻 ( 1 ) 2011年1月

Raman Spectroscopic Study Of Residual Strain In (1-101) GaN And (0001) GaN Layers Grown On Si Substrate 査読有り

Sugiura, T; Kim, EH; Honda, Y; Takagi, H; Tsukamoto, T; Andoh, H; Yamaguchi, M; Sawaki, N

PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 30TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS 1399 巻 2011年

Achieving high-growth-rate in GaN homoepitaxy using high-density nitrogen radical source 査読有り

Kawai Yohjiro, Chen Shang, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi, Kondo Hiroki, Hiramatsu Mineo, Kano Hiroyuki, Yamakawa Koji, Den Shoji, Hori Masaru

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 7-8 8 巻 ( 7-8 ) 2011年

ラマン分光法を用いたCaN/Siの残留歪みの評価に関する研究

杉浦藤虎, 本田善央, 岡本明大, 高木宏幸, 塚本武彦, 安藤浩哉

豊田工業高等専門学校研究紀要 42 巻 ( 0 ) 頁： 19 - 22 2010年

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：独立行政法人国立高等専門学校機構豊田工業高等専門学校

We have studied the residual strain and stress in semi-polar (1-101)GaN and conventional (0001)GaN grown on Si by means of Raman spectroscopy. By adopting the stress coefficients reported in the references, the residual strain of samples were deduced from the frequency shifts of the phonon modes in Raman spectra. As the results, it was found that the strain tensor of (1-101) GaN/Si was smaller than that of the (0001)GaN/Si in good agreement with the results obtained from the X-ray diffraction measurements.

DOI： 10.20692/toyotakosenkiyo.kj00005889042

Maskless selective growth of semi-polar (11(2)over-bar2) GaN on Si (311) substrate by metal organic vapor phase epitaxy 査読有り

Influence of a SiO2 Mask on the Growth of Semi-Polar (11-22) GaN on Patterned Si (311) Substrates 査読有り

Yang, M; Ahn, HS; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 54 巻 ( 6 ) 頁： 2363 - 2366 2009年6月

Growth and properties of semi-polar GaN on a patterned silicon substrate 査読有り

Sawaki, N; Hikosaka, T; Koide, N; Tanaka, S; Honda, Y; Yamaguchi, M

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311 巻 ( 10 ) 頁： 2867 - 2874 2009年5月

Yang, M; Ahn, HS; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311 巻 ( 10 ) 頁： 2914 - 2918 2009年5月

Scattering times in the two-dimensional electron gas of AlxGa1-xN/AlN/GaN heterostructures 査読有り

Han, XX; Honda, Y; Narita, T; Yamaguchi, M; Sawaki, N; Tanaka, T; Guo, QX; Nishio, M

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 42 巻 ( 4 ) 2009年2月

Electron-beam-induced-current investigation of GaN/AlGaN/Si heterostructures using scanning transmission electron microscopy 査読有り

TANAKA Shigeyasu, AOYAMA Kentaro, ICHIHASHI Mikio, ARAI Shigeo, HONDA Yoshio, SAWAKI Nobuhiko

Journal of electron microscopy 56 巻 ( 4 ) 頁： 141 - 144 2007年8月

Electron-beam-induced-current investigation of GaN/AlGaN/Si heterostructures using scanning transmission electron microscopy 査読有り

Tanaka, S; Aoyama, K; Ichihashi, M; Arai, S; Honda, Y; Sawaki, N

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY 56 巻 ( 4 ) 頁： 141 - 144 2007年8月

Application of electron holography to the determination of contact potential difference in an AlGaN/AlN/Si heterostructure 査読有り

TANAKA Shigeyasu, NAITO Akiyuki, HONDA Yoshio, SAWAKI Nobuhiko, ICHIHASHI Mikio

Journal of electron microscopy 56 巻 ( 2 ) 頁： 37 - 42 2007年4月

Application of electron holography to the determination of contact potential difference in an AIGaN/AIN/Si heterostructure 査読有り

Tanaka, S; Naito, A; Honda, Y; Sawaki, N; Ichihashi, M

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY 56 巻 ( 2 ) 頁： 37 - 42 2007年4月

Mg doping in (1(1)over-bar01)GaN grown on a 7° off-axis (001)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

Hikosaka, T; Koide, N; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 298 巻頁： 207 - 210 2007年1月

Carbon incorporation on (1101) facet of AlGaN in metal organic vapor phase epitaxy 査読有り

Koide, N; Hikosaka, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 45 巻 ( 10A ) 頁： 7655 - 7660 2006年10月

The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN stripe structure in the selective MOVPE 査読有り

Narita, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 243 巻 ( 7 ) 頁： 1665 - 1668 2006年6月

Series resistance in n-GaN/AIN/n-Si heterojunction structure 査読有り

Kondo, H; Koide, N; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 45 巻 ( 5A ) 頁： 4015 - 4017 2006年5月

(001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

彦坂年輝, 小出典克, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 105 巻 ( 94 ) 頁： 69 - 74 2005年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

(001)Si傾斜基板上への常圧選択MOVPE成長法により、(1-101)面を表面とするGaNが作製できる。この方法で得られるGaN(1-101)面は窒素面となり、ガリウムを最表面とする(0001)面とは、成長モードや不純物の取り込みが異なると予想される。実際、この(1-101)GaNはノンドーピングでp型伝導性を示した。この試料にSiドーピングを行った結果、p型伝導からn型伝導へと変化した。一方、Cドーピングでは試料はすべてp型伝導を示し、ドーピングによる正孔濃度の増加が確認された。これは(1-101)面においてSiはドナー不純物、Cはアクセプター不純物として働くことを示唆しており、p型伝導はCの窒素原子との置換によるものであると考えられる。

[Congenital middle ear cholesteatoma: experience in 48 cases].

Kojima H, Miyazaki H, Tanaka Y, Shiwa M, Honda Y, Moriyama H

Nihon Jibiinkoka Gakkai kaiho 106 巻 ( 9 ) 頁： 856 - 65 2003年9月

Selective Growth of GaN/AlGaN Microstructures by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. 査読有り

Kato Tomonobu, Honda Yoshio, Kawaguchi Yasutoshi, Yamaguchi Masahito, Sawaki Nobuhiko

Japanese Journal of Applied Physics 40 巻 ( 3B ) 頁： 1896 - 1898 2001年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics

A GaN/AlGaN double heterostructure was fabricated on the (1101) facets of a GaN triangular structure prepared by selective area growth by metalorganic vapor phase epitaxy. The photoluminescence (PL) and cathode luminescence (CL) spectra were investigated to characterize the structure. It was found that the PL peak wavelength due to the GaN quantum well is dependent on the well thickness. However, the Al composition of the AlGaN layer is dependent on the position on the (1101) facet. The anomalous gradient of the composition is attributed to the difference in the diffusion coefficients of Al and Ga on the surface.

DOI： 10.1143/jjap.40.1896

Selective Area Growth of GaN on Si Substrate Using SiO 2 Mask by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

37 巻 ( 8B ) 頁： L966 - L969 1998年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：社団法人応用物理学会

Selective area growth (SAG) of GaN on (111) Si substrate was studied using AlGaN as an intermediate layer. A hexagonal dot with a (0001) plane on the top and of a 5 µm or a submicron size was obtained using a patterned dot structure of silicon dioxide (SiO2) mask. The facet structure revealed that the <11\=20> axis of hexagonal GaN is parallel to the <110> axis of the Si substrate. The cathodoluminescence (CL) spectrum at 133 K exhibited a strong near-band-edge emission band for the submicron dots, which suggests excellent crystallinity. Epitaxial lateral overgrowth (ELO) of GaN on the Si substrate is demonstrated.

DOI： 10.1143/jjap.37.l966

Sn-doped n-type GaN freestanding layer: Thermodynamic study and fabrication by halide vapor phase epitaxy

Ohnishi, K; Hamasaki, K; Nitta, S; Fujimoto, N; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 648 巻 2024年12月

Impacts of vacancy complexes on the room-temperature photoluminescence lifetimes of state-of-the-art GaN substrates, epitaxial layers, and Mg-implanted layers

Chichibu, SF; Shima, K; Uedono, A; Ishibashi, S; Iguchi, H; Narita, T; Kataoka, K; Tanaka, R; Takashima, S; Ueno, K; Edo, M; Watanabe, H; Tanaka, A; Honda, Y; Suda, J; Amano, H; Kachi, T; Nabatame, T; Irokawa, Y; Koide, Y

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 135 巻 ( 18 ) 2024年5月

Sn-doped n-type GaN layer with high electron density of 1020 cm-3 grown by halide vapor phase epitaxy

Hamasaki, K; Ohnishi, K; Nitta, S; Fujimoto, N; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 628 巻頁： 127529 - 127529 2024年2月

Impacts of off-angle and off-direction on surface morphology of GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy on (0001) GaN substrate

Watanabe, H; Nitta, S; Ando, Y; Ohnishi, K; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 628 巻頁： 127552 - 127552 2024年2月

Optical activation of praseodymium ions implanted in gallium nitride after ultra-high pressure annealing

Ito, S; Sato, S; Bockowski, M; Deki, M; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Yoshida, K; Minagawa, H; Hagura, N

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 547 巻 2024年2月

Investigation of Electrical Properties of N-Polar AlGaN/AlN Heterostructure Field-Effect Transistors

Inahara, D; Matsuda, S; Matsumura, W; Okuno, R; Hanasaku, K; Kowaki, T; Miyamoto, M; Yao, YZ; Ishikawa, Y; Tanaka, A; Honda, Y; Nitta, S; Amano, H; Kurai, S; Okada, N; Yamada, Y

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 220 巻 ( 16 ) 2023年8月

Lateral p-type GaN Schottky barrier diode with annealed Mg ohmic contact layer demonstrating ideal current-voltage characteristic 査読有り

Lu, S; Deki, M; Kumabe, T; Wang, J; Ohnishi, K; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS 122 巻 ( 14 ) 2023年4月

Temperature Field, Flow Field, and Temporal Fluctuations Thereof in Ammonothermal Growth of Bulk GaN-Transition from Dissolution Stage to Growth Stage Conditions 査読有り

Schimmel, S; Tomida, D; Ishiguro, T; Honda, Y; Chichibu, SE; Amano, H

MATERIALS 16 巻 ( 5 ) 頁： 2016 1 - 27 2023年3月

Red emission from InGaN active layer grown on nanoscale InGaN pseudosubstrates

Cai, WT; Wang, J; Park, JH; Furusawa, Y; Cheong, HJ; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62 巻 ( 2 ) 頁： 020902 - 020902 2023年2月

Scanning electron microscope imaging by selective e-beaming using photoelectron beams from semiconductor photocathodes

Nishitani, T; Arakawa, Y; Noda, S; Koizumi, A; Sato, D; Shikano, H; Iijima, H; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 40 巻 ( 6 ) 2022年12月

High In content nitride sub-micrometer platelet arrays for long wavelength optical applications

Cai, WT; Furusawa, Y; Wang, J; Park, JH; Liao, YQ; Cheong, HJ; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS 121 巻 ( 21 ) 2022年11月

Substitutional diffusion of Mg into GaN from GaN/Mg mixture

Itoh, Y; Lu, S; Watanabe, H; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Tanaka, A; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS 15 巻 ( 11 ) 頁： 116505 - 116505 2022年11月

The photoemission characteristics of a NEA InGaN photocathode by simultaneously supplying Cs and O2

Kashima, M; Itokawa, Y; Kanai, T; Sato, D; Koizumi, A; Iijima, H; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H; Meguro, T

APPLIED SURFACE SCIENCE 599 巻 2022年10月

Tuning the p-type doping of GaN over three orders of magnitude via efficient Mg doping during halide vapor phase epitaxy 査読有り

Ohnishi, K; Fujimoto, N; Nitta, S; Watanabe, H; Lu, S; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 132 巻 ( 14 ) 2022年10月

High-Energy Computed Tomography as a Prospective Tool for In Situ Monitoring of Mass Transfer Processes inside High-Pressure Reactors-A Case Study on Ammonothermal Bulk Crystal Growth of Nitrides including GaN 査読有り

Schimmel, S; Salamon, M; Tomida, D; Neumeier, S; Ishiguro, T; Honda, Y; Chichibu, SF; Amano, H

MATERIALS 15 巻 ( 17 ) 頁： 6165 1 - 17 2022年9月

Surface kinetics in halide vapor phase epitaxial growth of GaN layers on GaN (0001) freestanding substrates 査読有り

Ohnishi, K; Fujimoto, N; Nitta, S; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 592 巻頁： 126749 - 126749 2022年8月

Weak metastability of Al x Ga1-x N (x=13/24, 15/24, 17/24) shown by analyzing AlGaN grown on AlN with dense macrosteps 査読有り国際誌

Hirano, A; Nagasawa, Y; Ippommatsu, M; Sako, H; Hashimoto, A; Sugie, R; Honda, Y; Amano, H; Kojima, K; Chichibu, SF

APPLIED PHYSICS EXPRESS 15 巻 ( 7 ) 頁： 075505 1 - 5 2022年7月

Space-Charge Profiles and Carrier Transport Properties in Dopant-Free GaN-Based p-n Junction Formed by Distributed Polarization Doping

Kumabe, T; Kawasaki, S; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS 16 巻 ( 7 ) 2022年7月

Dual-peak electroluminescence spectra generated from Al n /12Ga1-n/12N (n=2, 3, 4) for AlGaN-based LEDs with nonflat quantum wells 査読有り

Nagasawa, Y; Kojima, K; Hirano, A; Ippommatsu, M; Honda, Y; Amano, H; Chichibu, SF

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 55 巻 ( 25 ) 頁： 255102 1 - 11 2022年6月

"Regrowth-free" fabrication of high-current-gain AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistor with N-p-n configuration

Kumabe, T; Watanabe, H; Ando, Y; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS 15 巻 ( 4 ) 頁： 046506 - 046506 2022年4月

Sputtered polycrystalline MgZnO/Al reflective electrodes for enhanced light emission in AlGaN-based homojunction tunnel junction DUV-LED

Matsubara, T; Nagatat, K; Kushimoto, M; Tomai, S; Katsumata, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS 15 巻 ( 4 ) 2022年4月

Structural design optimization of 279 nm wavelength AlGaN homojunction tunnel junction deep-UV light-emitting diode

Nagata, K; Anada, S; Miwa, H; Matsui, S; Boyama, S; Saito, Y; Kushimoto, M; Honda, Y; Takeuchi, T; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS 15 巻 ( 4 ) 頁： 044003 - 044003 2022年4月

Visualization of depletion layer in AlGaN homojunction p-n junction

Nagata, K; Anada, S; Saito, Y; Kushimoto, M; Honda, Y; Takeuchi, T; Yamamoto, K; Hirayama, T; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS 15 巻 ( 3 ) 2022年3月

Effect of beam current on defect formation by high-temperature implantation of Mg ions into GaN

Itoh, Y; Watanabe, H; Ando, Y; Kano, E; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Tanaka, A; Ikarashi, N; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS 15 巻 ( 2 ) 2022年2月

Threshold increase and lasing inhibition due to hexagonal-pyramid-shaped hillocks in AlGaN-based DUV laser diodes on single-crystal AlN substrate

Kushimoto, M; Zhang, ZY; Honda, Y; Schowalter, LJ; Sasaoka, C; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 61 巻 ( 1 ) 頁： 010601 - 010601 2022年1月

Ohmic contact on low-doping-density p-type GaN with nitrogen-annealed Mg 査読有り

Lu, S; Deki, M; Wang, J; Ohnishi, K; Ando, Y; Kumabe, T; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS 119 巻 ( 24 ) 頁： 242104 - 242104 2021年12月

Discrete wavelengths observed in electroluminescence originating from Al1/2Ga1/2N and Al1/3Ga2/3N created in nonflat AlGaN quantum wells 査読有り

Nagasawa, Y; Kojima, K; Hirano, A; Sako, H; Hashimoto, A; Sugie, R; Ippommatsu, M; Honda, Y; Amano, H; Chichibu, SF

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 54 巻 ( 48 ) 頁： 485107-1 - 10 2021年12月

Multiple electron beam generation from InGaN photocathode

Sato, D; Shikano, H; Koizumi, A; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 39 巻 ( 6 ) 2021年12月

Vertical GaN p+-n junction diode with ideal avalanche capability grown by halide vapor phase epitaxy 査読有り

Ohnishi, K; Kawasaki, S; Fujimoto, N; Nitta, S; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS 119 巻 ( 15 ) 頁： 152102 - 152102 2021年10月

Effective neutron detection using vertical-type BGaN diodes 査読有り

Nakano, T; Mochizuki, K; Arikawa, T; Nakagawa, H; Usami, S; Honda, Y; Amano, H; Vogt, A; Schuett, S; Fiederle, M; Kojima, K; Chichibu, SF; Inoue, Y; Aoki, T

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 130 巻 ( 12 ) 頁： 124501-1 - 10 2021年9月

Smart-cut-like laser slicing of GaN substrate using its own nitrogen

Tanaka, A; Sugiura, R; Kawaguchi, D; Yui, T; Wani, Y; Aratani, T; Watanabe, H; Sena, H; Honda, Y; Igasaki, Y; Amano, H

SCIENTIFIC REPORTS 11 巻 ( 1 ) 頁： 17949 2021年9月

Gallium nitride wafer slicing by a sub-nanosecond laser: effect of pulse energy and laser shot spacing

Sena, H; Tanaka, A; Wani, Y; Aratani, T; Yui, T; Kawaguchi, D; Sugiura, R; Honda, Y; Igasaki, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING 127 巻 ( 9 ) 2021年9月

Reduction in operating voltage of AlGaN homojunction tunnel junction deep-UV light-emitting diodes by controlling impurity concentrations

Nagata, K; Makino, H; Miwa, H; Matsui, S; Boyama, S; Saito, Y; Kushimoto, M; Honda, Y; Takeuchi, T; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS 14 巻 ( 8 ) 2021年8月

Impact of gate electrode formation process on Al2O3/GaN interface properties and channel mobility

Ando, Y; Deki, M; Watanabe, H; Taoka, N; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Yamada, H; Shimizu, M; Nakamura, T; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS 14 巻 ( 8 ) 2021年8月

Improving light output power of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes by optimizing the optical thickness of p-layers

Matsukura, Y; Inazu, T; Pernot, C; Shibata, N; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS 14 巻 ( 8 ) 頁： 084004 - 084004 2021年8月

Electrical properties and structural defects of p-type GaN layers grown by halide vapor phase epitaxy 査読有り

Ohnishi, K; Amano, Y; Fujimoto, N; Nitta, S; Watanabe, H; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 566 巻頁： 126173 - 126173 2021年7月

Vertical GaN-on-GaN nanowire Schottky barrier diodes by top-down fabrication approach

Liao, YQ; Chen, T; Wang, J; Ando, Y; Cai, WT; Yang, X; Watanabe, H; Hirotani, J; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Chen, KJ; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 60 巻 ( 7 ) 2021年7月

Etching-induced damage in heavily Mg-doped p-type GaN and its suppression by low-bias-power inductively coupled plasma-reactive ion etching

Kumabe, T; Ando, Y; Watanabe, H; Deki, M; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 60 巻 ( SB ) 2021年5月

Impact of heat treatment process on threshold current density in AlGaN-based deep-ultraviolet laser diodes on AlN substrate

Kushimoto, M; Zhang, ZY; Sugiyama, N; Honda, Y; Schowalter, LJ; Sasaoka, C; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS 14 巻 ( 5 ) 頁： 051003 - 051003 2021年5月

Discrete AlN mole fraction of n/12 (n=4-8) in Ga-rich zones functioning as electron pathways created in nonflat AlGaN layers grown on high-miscut sapphire substrates

Nagasawa, Y; Hirano, A; Ippommatsu, M; Sako, H; Hashimoto, A; Sugie, R; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I; Kojima, K; Chichibu, SF

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 129 巻 ( 16 ) 頁： 164503 - 164503 2021年4月

Experimental demonstration of GaN IMPATT diode at X-band

Kawasaki, S; Ando, Y; Deki, M; Watanabe, H; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Arai, M; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS 14 巻 ( 4 ) 2021年4月

Numerical Simulation of Ammonothermal Crystal Growth of GaN-Current State, Challenges, and Prospects

Schimmel, S; Tomida, D; Ishiguro, T; Honda, Y; Chichibu, S; Amano, H

CRYSTALS 11 巻 ( 4 ) 頁： 356 - 356 2021年4月

Fabrication of GaN cantilever on GaN substrate by photo-electrochemical etching

Yamada, T; Ando, Y; Watanabe, H; Furusawa, Y; Tanaka, A; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Suda, J; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS 14 巻 ( 3 ) 2021年3月

Boundary Conditions for Simulations of Fluid Flow and Temperature Field during Ammonothermal Crystal Growth-A Machine-Learning Assisted Study of Autoclave Wall Temperature Distribution 査読有り

Schimmel, S; Tomida, D; Saito, M; Bao, QX; Ishiguro, T; Honda, Y; Chichibu, S; Amano, H

CRYSTALS 11 巻 ( 3 ) 頁： 254 -1 - 27 2021年3月

Development of Pulsed TEM Equipped with Nitride Semiconductor Photocathode for High-Speed Observation and Material Nanofabrication 査読有り

Yasuda, H; Nishitani, T; Ichikawa, S; Hatanaka, S; Honda, Y; Amano, H

QUANTUM BEAM SCIENCE 5 巻 ( 1 ) 頁： 5 - 5 2021年3月

Suppression of the regrowth interface leakage current in AlGaN/GaN HEMTs by unactivated Mg doped GaN layer

T. Liu, H. Watanabe, S. Nitta, J. Wang, G. Yu, Y. Ando, Y. Honda, H. Amano, A. Tanaka, Y. Koide

Applied Physics Letters 118 巻 ( 7 ) 2021年2月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

The leakage current caused by the Si pileup at the regrowth interface of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) is significantly suppressed by the semi-insulating Mg-doped GaN layer. Mg is unintentionally doped and can be originated from the graphite susceptor of metal organic vapor phase epitaxy. Before regrowth of the AlGaN/GaN heterostructure, the GaN template is treated with hydrochloric acid (HCl) and hydrogen peroxide/potassium hydroxide (H2O2/KOH) solution to promote the adsorption of Mg on the GaN surface. The Mg-doped GaN channel layer is highly resistive due to the passivation of hydrogen. The p-n junction formed by the weakly p-type Mg-doped GaN layer and the n-type Si pileup layer depletes the excess electrons at the regrowth interface. As a result, the off-state drain leakage current of the HEMT device can be decreased by two orders of magnitude at 40 V.

DOI： 10.1063/5.0034584

Optical properties of neodymium ions in nanoscale regions of gallium nitride (vol 10, pg 2614, 2020)

Sato, SI; Deki, M; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Nishimura, T; Gibson, BC; Greentree, AD; Amano, H; Ohshima, T

OPTICAL MATERIALS EXPRESS 11 巻 ( 2 ) 頁： 524 - 524 2021年2月

Electrical properties of GaN metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with Al2O3/GaN interfaces formed on vicinal Ga-polar and nonpolar surfaces

Ando, Y; Nagamatsu, K; Deki, M; Taoka, N; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Nakamura, T; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS 117 巻 ( 24 ) 頁： 242104 - 242104 2020年12月

Detailed analysis of Ga-rich current pathways created in an n-Al0.7Ga0.3N layer grown on an AlN template with dense macrosteps

Nagasawa, Y; Hirano, A; Ippommatsu, M; Sako, H; Hashimoto, A; Sugie, R; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I; Kojima, K; Chichibu, SF

APPLIED PHYSICS EXPRESS 13 巻 ( 12 ) 2020年12月

Epitaxial Combination of Two-Dimensional Hexagonal Boron Nitride with Single-Crystalline Diamond Substrate

Yang, X; Pristovsek, M; Nitta, S; Liu, YH; Honda, Y; Koide, Y; Kawarada, H; Amano, H

ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES 12 巻 ( 41 ) 頁： 46466 - 46475 2020年10月

Optical properties of neodymium ions in nanoscale regions of gallium nitride

Sato, SI; Deki, M; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Nishimura, T; Gibson, BC; Greentree, AD; Amano, H; Ohshima, T

OPTICAL MATERIALS EXPRESS 10 巻 ( 10 ) 頁： 2614 - 2623 2020年10月

Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures 査読有り

Sato, S; Deki, M; Nishimura, T; Okada, H; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Ohshima, T

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 479 巻頁： 7 - 12 2020年9月

Low interface state densities at Al2O3/GaN interfaces formed on vicinal polar and non-polar surfaces

Ando, Y; Nagamatsu, K; Deki, M; Taoka, N; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Nakamura, T; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS 117 巻 ( 10 ) 頁： 102102 - 102102 2020年9月

Thermodynamic analysis of the gas phase reaction of Mg-doped GaN growth by HVPE using MgO 査読有り

Kimura, T; Ohnishi, K; Amano, Y; Fujimoto, N; Araidai, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Kangawa, Y; Shiraishi, K

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 巻 ( 8 ) 頁： 088001 - 088001 2020年8月

Pulsed-flow growth of polar, semipolar and nonpolar AlGaN 査読有り

Dinh, DV; Hu, N; Honda, Y; Amano, H; Pristovsek, M

JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C 8 巻 ( 25 ) 頁： 8668 - 8675 2020年7月

Screw dislocation that converts p-type GaN to n-type: Microscopic study on Mg condensation and leakage current in p–n diodes

T. Nakano, Y. Harashima, K. Chokawa, K. Shiraishi, A. Oshiyama, Y. Kangawa, S. Usami, N. Mayama, K. Toda, A. Tanaka, Y. Honda, H. Amano

Applied Physics Letters 117 巻 ( 1 ) 頁： 012105 - 012105 2020年7月

Change of high-voltage conduction mechanism in vertical GaN-on-GaN Schottky diodes at elevated temperatures 査読有り

Sandupatla Abhinay, Arulkumaran Subramaniam, Ng Geok Ing, Ranjan Kumud, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

APPLIED PHYSICS EXPRESS 13 巻 ( 7 ) 頁： . 2020年7月

Effect of Annealing on the Electrical and Optical Properties of MgZnO Films Deposited by Radio Frequency Magnetron Sputtering 査読有り

Kushimoto, M; Sakai, T; Ueoka, Y; Tomai, S; Katsumata, S; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 217 巻 ( 14 ) 2020年7月

Halide vapor phase epitaxy of p-type Mg-doped GaN utilizing MgO 査読有り

Ohnishi Kazuki, Amano Yuki, Fujimoto Naoki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

APPLIED PHYSICS EXPRESS 13 巻 ( 6 ) 頁： . 2020年6月

Lattice bow in thick, homoepitaxial GaN layers for vertical power devices

Liu Qiang, Fujimoto Naoki, Shen Jian, Nitta Shugo, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Sitar Zlatko, Bockowski Michal, Kumagai Yoshinao, Amano Hiroshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 539 巻頁： . - 125643 2020年6月

Impact of high-temperature implantation of Mg ions into GaN 査読有り

Masahiro Takahashi, Atsushi Tanaka, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Hiroshi Amano

Japanese Journal of Applied Physics 59 巻 ( 5 ) 頁： 056502 - 056502 2020年5月

Demonstration of Observation of Dislocations in GaN by Novel Birefringence Method 査読有り

Tanaka, A; Inotsume, S; Harada, S; Hanada, K; Honda, Y; Ujihara, T; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 257 巻 ( 4 ) 2020年4月

On-wafer fabrication of etched-mirror UV-C laser diodes with the ALD-deposited DBR 査読有り

Sakai, T; Kushimoto, M; Zhang, ZY; Sugiyama, N; Schowalter, LJ; Honda, Y; Sasaoka, C; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS 116 巻 ( 12 ) 2020年3月

Indium incorporation and optical properties of polar, semipolar and nonpolar InAlN 査読有り

Dinh, DV; Hu, N; Honda, Y; Amano, H; Pristovsek, M

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 35 巻 ( 3 ) 2020年3月

InGaN半導体フォトカソードにおける量子効率のInGaN膜厚依存性

佐藤大樹, 本田杏奈, 小泉淳, 西谷智博, 本田善央, 天野浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 巻頁： 1516 - 1516 2020年2月

Optimization of InGaN thickness for high-quantum-efficiency Cs/O-activated InGaN photocathode 査読有り

Sato, D; Honda, A; Koizumi, A; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H

MICROELECTRONIC ENGINEERING 223 巻 2020年2月

Analysis of trimethylgallium decomposition by high-resolution mass spectrometry 査読有り

Ye, Z; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 巻 ( 2 ) 2020年2月

Visualization of different carrier concentrations in n-type-GaN semiconductors by phase-shifting electron holography with multiple electron biprisms 査読有り

Yamamoto, K; Nakano, K; Tanaka, A; Honda, Y; Ando, Y; Ogura, M; Matsumoto, M; Anada, S; Ishikawa, Y; Amano, H; Hirayama, T

MICROSCOPY 69 巻 ( 1 ) 頁： 1 - 10 2020年2月

Scalable synthesis of multilayer h-BN on AlN by metalorganic vapor phase epitaxy: nucleation and growth mechanism 査読有り

Yang, X; Nitta, S; Pristovsek, M; Liu, YH; Liao, YQ; Kushimoto, M; Honda, Y; Amano, H

2D MATERIALS 7 巻 ( 1 ) 2020年1月

Recovery of quantum efficiency on Cs/O-activated GaN and GaAs photocathodes by thermal annealing in vacuum

Sato, D; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 38 巻 ( 1 ) 2020年1月

マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の物性評価

小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤﨑勇, 秩父重英

日本結晶成長学会誌 47 巻 ( 3 ) 頁： n/a 2020年

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：日本結晶成長学会

The microscopic structural and optical characteristics of AlGaN light-emitting diodes (LEDs) fabricated on the AlN templates with dense macrosteps are shown to clarify the origin of their high internal quantum efficiency of radiation (IQE). The cross-sectional transmission electron microscopy observations under the high-angle annular dark field scanning mode and microscopic energy dispersive X-ray spectroscopy revealed that the AlGaN cladding layer under the AlGaN quantum well (QW) layer had a microscopic compositional modulation, which originates from the macrosteps at the AlN template surface. Moreover, Ga-rich portions in the cladding layer behaved as current micropaths, and the micropaths are connected with the carrier localization structure formed in QWs. The in-plane cathodoluminescence (CL) spectroscopy showed a significant inhomogeneity of the CL characteristics. The gentle slopes at the sample surface showed brighter emissions with a lower peak photon energy, confirming the carrier localization. This carrier localization structure in the QWs combined with the current micropaths in the cladding layer can increase the IQE as well as external quantum efficiency of the AlGaN LEDs.

DOI： 10.19009/jjacg.47-3-04

Dielectric Ruduced Surface Field Effect on Vertical GaN-on-GaN Nanowire Schottky Barrier Diodes

Liao, YQ; Chen, T; Wang, J; Ando, Y; Yang, X; Watanabe, H; Hirotani, J; Kushimoto, M; Deki, M; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Chen, KJ; Amano, H

PROCEEDINGS OF THE 2020 32ND INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD 2020) 2020-September 巻頁： 349 - 352 2020年

Untwinned semipolar (10(1)over-bar3) AlxGa1-xN layers grown on m-plane sapphire 査読有り

Dinh, DV; Hu, N; Amano, H; Honda, Y; Pristovsek, M

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 34 巻 ( 12 ) 2019年12月

Suppression of Green Luminescence of Mg-Ion-Implanted GaN by Subsequent Implantation of Fluorine Ions at High Temperature 査読有り

M. Takahashi, A. Tanaka, Y. Ando, H. Watanabe, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, K. J. Chen, H. Amano

Physica Status Solidi (b) 257 巻頁： 1900554 - 1900554 2019年12月

Two-dimensional analysis of the nonuniform quantum yields of multiple quantum wells for AlGaN-based deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates with dense macro-steps using cathodoluminescence spectroscopy 査読有り

Journal of Applied Physics 126 巻 ( 21 ) 頁： 215703 1 - 10 2019年12月

Low Voltage High-Energy α-Particle Detectors by GaN-on-GaN Schottky Diodes with Record-High Charge Collection Efficiency. 査読有り

Sandupatla A, Arulkumaran S, Ranjan K, Ng GI, Murmu PP, Kennedy J, Nitta S, Honda Y, Deki M, Amano H

Sensors (Basel, Switzerland) 19 巻 ( 23 ) 2019年11月

Aluminium incorporation in polar, semi- and non-polar AlGaN layers: a comparative study of x-ray diffraction and optical properties 査読有り

Dinh, DV; Hu, N; Honda, Y; Amano, H; Pristovsek, M

SCIENTIFIC REPORTS 9 巻 ( 1 ) 頁： 15802 2019年11月

V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on GaN substrate 査読有り

Tanaka, A; Nagamatsu, K; Usami, S; Kushimoto, M; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Bockowski, M; Amano, H

AIP ADVANCES 9 巻 ( 9 ) 2019年9月

Precise Measurement of Carrier Concentrations in n-Type GaN by Phase-Shifting Electron Holography

Kazuo Yamamoto, Kiyotaka Nakano, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Yuto Ando, Masaya Ogura, Miko Matsumoto, Satoshi Anada, Yukari Ishikawa, Hiroshi Amano, Tsukasa Hirayama

Microscopy and Microanalysis 25 巻 ( S2 ) 頁： 50 - 51 2019年8月

Origin of acceptor diffusion into silicon substrate during GaN growth by metal organic chemical vapor deposition 査読有り

Matsumoto, K; Ono, T; Honda, Y; Torigoe, K; Kushimoto, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 巻 ( 7 ) 2019年7月

Ammonia decomposition and reaction by high-resolution mass spectrometry for group III - Nitride epitaxial growth 査読有り

Ye, Z; Nitta, S; Nagamatsu, K; Fujimoto, N; Kushimoto, M; Deki, M; Tanaka, A; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 516 巻頁： 63 - 66 2019年6月

Direct evidence of Mg diffusion through threading mixed dislocations in GaN p-n diodes and its effect on reverse leakage current 査読有り国際誌

Usami, S; Mayama, N; Toda, K; Tanaka, A; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS 114 巻 ( 23 ) 2019年6月

Computational fluid dynamics simulation study of the gas flow balance in a vertical HVPE reactor with a showerhead for low cost bulk GaN crystal growth 査読有り

Liu, Q; Fujimoto, N; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 巻 2019年6月

Frontiers of Nitride Semiconductor Research FOREWORD 査読有り

Chichibu, SF; Kumagai, Y; Kojima, K; Deura, M; Akiyama, T; Arita, M; Fujioka, H; Fujiwara, Y; Hara, N; Hashizume, T; Hirayama, H; Holmes, M; Honda, Y; Imura, M; Ishii, R; Ishitani, Y; Iwaya, M; Kamiyama, S; Kangawa, Y; Katayama, R; Kawakami, Y; Kawamura, T; Kobayashi, A; Kuzuhara, M; Matsumoto, K; Mori, Y; Mukai, T; Murakami, H; Murotani, H; Nakazawa, S; Okada, N; Saito, Y; Sakai, A; Sekiguchi, H; Shiozaki, K; Shojiki, K; Suda, J; Takeuchi, T; Tanikawa, T; Tatebayashi, J; Tomiya, S; Yamada, Y

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 巻 2019年6月

Effect of photoelectrochemical etching and post-metallization annealing on gate controllability of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 査読有り国際誌

Uemura, K; Deki, M; Honda, Y; Amano, H; Sato, T

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 巻 ( SC ) 頁： SCCD20-1 - SCCD20-6 2019年6月

Deeply and vertically etched butte structure of vertical GaN p-n diode with avalanche capability 査読有り国際誌

Fukushima, H; Usami, S; Ogura, M; Ando, Y; Tanaka, A; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 巻 2019年6月

Correlation between nanopipes formed from screw dislocations during homoepitaxial growth by metal-organic vapor-phase epitaxy and reverse leakage current in vertical p-n diodes on a free-standing GaN substrates 査読有り国際誌

Usami, S; Tanaka, A; Fukushima, H; Ando, Y; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 巻 2019年6月

Controlling the orientations of directional sputtered non- and semi-polar GaN/AlN layers 査読有り

Nan, H; Dinh, DV; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 巻 2019年6月

Comparison of AlxGa1-xN multiple quantum wells designed for 265 and 285nm deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates having macrosteps 査読有り

Nagasawa, Y; Kojima, K; Hirano, A; Ipponmatsu, M; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I; Chichibu, SF

APPLIED PHYSICS EXPRESS 12 巻 ( 6 ) 2019年6月

Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation (vol 508, pg 58, 2019) 査読有り

Liu, ZB; Nitta, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Sitar, Z; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 514 巻頁： 13 - 13 2019年5月

Effect of substrate misorientation on the concentration of impurities and surface morphology of an epitaxial GaN layer on N-polar GaN substrate by MOVPE 査読有り

Nagamatsu, K; Ando, Y; Kono, T; Cheong, H; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 512 巻頁： 78 - 83 2019年4月

Transfer-free fabrication of a graphene transparent electrode on a GaN-based light-emitting diode using the direct precipitation method 査読有り

Yamada Jumpei, Usami Shigeyoshi, Ueda Yuki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Maruyama Takahiro, Naritsuka Shigeya

Jpn. J. Appl. Phys. 58 巻 ( 4 ) 2019年3月

Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

Liu, ZB; Nitta, S; Usami, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 509 巻頁： 50 - 53 2019年3月

Fully Ion Implanted Normally-Off GaN DMOSFETs with ALD-Al2O3 Gate Dielectrics 査読有り

Yoshino, M; Ando, Y; Deki, M; Toyabe, T; Kuriyama, K; Honda, Y; Nishimura, T; Amano, H; Kachi, T; Nakamura, T

MATERIALS 12 巻 ( 5 ) 2019年3月

窒素暴露した半導体フォトカソードの加熱処理に伴う表面機能変化

佐藤大樹, 西谷智博, 本田善央, 天野浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 巻頁： 1474 - 1474 2019年2月

Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation 査読有り

Liu, ZB; Nitta, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 508 巻頁： 58 - 65 2019年2月

How to obtain metal-polar untwinned high-quality (10-13) GaN on m-plane sapphire 査読有り

Hu, N; Dinh, DV; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 507 巻頁： 205 - 208 2019年2月

Vertical GaN p-n diode with deeply etched mesa and the capability of avalanche breakdown 査読有り

Fukushima, H; Usami, S; Ogura, M; Ando, Y; Tanaka, A; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS 12 巻 ( 2 ) 2019年2月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

A simple structure with high breakdown voltage and a low leakage current of a vertical GaN p–n diode on a GaN free-standing substrate is demonstrated. We describe a vertical p–n diode with a simple edge termination that has a drift layer etched deeply and vertically. A device simulation revealed that the electric field was more relaxed at the device edge and applied uniformly in the entire device with increasing etching depth. We fabricated the simulated structure and succeeded in reducing the leakage current and improving the breakdown voltage. With this structure, a stable avalanche breakdown can be observed.

DOI： 10.7567/1882-0786/aafdb9

Reduction of Residual Impurities in Homoepitaxial m-Plane (10(1)over-bar0) GaN by Using N2 Carrier Gas in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

Carrier localization structure combined with current micropaths in AlGaN quantum wells grown on an AIN template with macrosteps 査読有り

Kojima K, Nagasawa Y, Hirano A, Ippommatsu M, Honda Y, Amano H, Akasaki I, Chichibu S. F

APPLIED PHYSICS LETTERS 114 巻 ( 1 ) 2019年1月

高感度電子線ホログラフィーによるGaN系半導体のドーパント濃度分布の観察査読有り

仲野靖孝, 本田善央, 天野浩, 松本実子, 穴田智史, 山本和生, 石川由加里, 平山司, 安藤悠人, 小倉昌也, 田中敦之

まてりあ 58 巻 ( 2 ) 頁： 103-103 - 103 2019年

Electronic structure analysis of core structures of threading dislocations in GaN 査読有り

Nakano, T; Chokawa, K; Araidai, M; Shiraishi, K; Oshiyama, A; Kusaba, A; Kangawa, Y; Tanaka, A; Honda, Y; Amano, H

2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) 頁： . 2019年

Analysis of negative electron affinity InGaN photocathode by temperature-programed desorption method 査読有り

Kashima, M; Sato, D; Koizumi, A; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H; Iijima, H; Meguro, T

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 36 巻 ( 6 ) 2018年11月

Comparing high-purity c- and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

57 巻 ( 10 ) 2018年10月

High-temperature thermal annealing of nonpolar (10(1)over-bar0) AlN layers sputtered on (1 0(1)over-bar0) sapphire 査読有り

Dinh, DV; Hu, N; Honda, Y; Amano, H; Pristovsek, M

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 498 巻頁： 377 - 380 2018年9月

大気暴露したGaN半導体フォトカソードの加熱処理に伴う表面状態の光電子分光観測

佐藤大樹, 西谷智博, 本田善央, 天野浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 巻頁： 1571 - 1571 2018年9月

Detailed study of effects of duration of pre-AIN-growth trimethylaluminum step on morphologies of GaN layers grown on silicon substrate by metal organic chemical vapor deposition 査読有り

57 巻 ( 9 ) 2018年9月

Barry, OI; Lekhal, K; Bae, SY; Lee, HJ; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS 12 巻 ( 8 ) 2018年8月

Raman Spectroscopic Study of GaN Grown on (111)Si Using an AlInN Intermediate Layer by MOVPE 査読有り

T.Sugiura, S.Kawasaki, Y.Honda, T.Nonaka, D.Oikawa, T.Tsukamoto, H.Andoh, H.Amano

Book of abstracts ISGN-7(7th International Symposium on Growth of IIINitrides) 頁： Po01 2018年8月

Improvement of breakdown voltage of vertical GaN p-n junction diode with Ga2O3 passivated by sputtering 査読有り

Ueoka, Y; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 7 ) 2018年7月

Study on the Main-Chain Structure of Amorphous Fluorine Resins for Encapsulating AlGaN-Based DUV-LEDs 査読有り

Yamada, K; Nagasawa, Y; Nagai, S; Hirano, A; Ippommatsu, M; Aosaki, K; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 215 巻 ( 10 ) 2018年5月

m-Plane GaN Schottky Barrier Diodes Fabricated With MOVPE Layer on Several Off-Angle m-Plane GaN Substrates 査読有り

Tanaka, A; Ando, Y; Nagamatsu, K; Deki, M; Cheong, H; Ousmane, B; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 215 巻 ( 9 ) 2018年5月

Interface amorphization in hexagonal boron nitride films on sapphire substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

11 巻 ( 5 ) 2018年5月

Reduction of Dislocations in GaN on Silicon Substrate Using In Situ Etching 査読有り

Matsumoto, K; Ono, T; Honda, Y; Yamamoto, T; Usami, S; Kushimoto, M; Murakami, S; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 255 巻 ( 5 ) 2018年5月

Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate 査読有り

Usami, S; Ando, Y; Tanaka, A; Nagamatsu, K; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Sugawara, Y; Yao, YZ; Ishikawa, Y

APPLIED PHYSICS LETTERS 112 巻 ( 18 ) 2018年4月

Growth of hexagonal boron nitride on sapphire substrate by pulsed-mode metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り国際誌

Yang, X; Nitta, S; Nagamatsu, K; Bae, SY; Lee, HJ; Liu, YH; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 482 巻頁： 1 - 8 2018年1月

Theoretical Study of the Electronic Structure of Threading Edge Dislocations in GaN 査読有り

Nakano, T; Araidai, M; Shiraishi, K; Tanaka, A; Honda, Y; Amano, H

GALLIUM NITRIDE AND SILICON CARBIDE POWER TECHNOLOGIES 8 86 巻 ( 12 ) 頁： 41 - 49 2018年

Electrical and Thermal Analysis of Vertical GaN-on-GaN PN Diodes 査読有り

Yates Luke, Pavlidis Georges, Graham Samuel, Usami Shigeyoshi, Nagamatsu Kentaro, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

PROCEEDINGS OF THE 17TH IEEE INTERSOCIETY CONFERENCE ON THERMAL AND THERMOMECHANICAL PHENOMENA IN ELECTRONIC SYSTEMS (ITHERM 2018) 頁： 831-837 2018年

Charge-to-time converting leading-edge discriminator for plastic-scintillator signals 査読有り国際誌

875 巻頁： 193 - 200 2017年12月

Initial leakage current paths in the vertical-type GaN-on-GaN Schottky barrier diodes 査読有り国際誌

Sang, LW; Ren, B; Sumiya, M; Liao, MY; Koide, Y; Tanaka, A; Cho, YJ; Harada, Y; Nabatame, T; Sekiguchi, T; Usami, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS 111 巻 ( 12 ) 2017年9月

Absolute technique for measuring internal electric fields in InGaN/GaN light-emitting diodes by electroreflectance applicable to all crystal orientations 査読有り国際誌

Tanikawa, T; Shojiki, K; Katayama, R; Kuboya, S; Matsuoka, T; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS 10 巻 ( 8 ) 2017年8月

Selective-area growth of doped GaN nanorods by pulsed-mode MOCVD: Effect of Si and Mg dopants 査読有り

Bae, SY; Lekhal, K; Lee, HJ; Min, JW; Lee, DS; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 254 巻 ( 8 ) 2017年8月

Facet dependence of leakage current and carrier concentration in m-plane GaN Schottky barrier diode fabricated with MOVPE 査読有り国際誌

Tanaka, A; Barry, O; Nagamatsu, K; Matsushita, J; Deki, M; Ando, Y; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 214 巻 ( 8 ) 2017年8月

Effect of dislocations on the growth of p-type GaN and on the characteristics of p-n diodes 査読有り国際誌

Usami, S; Miyagoshi, R; Tanaka, A; Nagamatsu, K; Kushimoto, M; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 214 巻 ( 8 ) 2017年8月

Decomposition of trimethylgallium and adduct formation in a metalorganic vapor phase epitaxy reactor analyzed by high-resolution gas monitoring system 査読有り国際誌

Nagamatsu, K; Nitta, S; Ye, Z; Nagao, H; Miki, S; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 254 巻 ( 8 ) 2017年8月

A-plane GaN growth on (11-20) 4H-SiC substrate with an ultrathin interlayer 査読有り国際誌

Sun, Z; Song, PF; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 468 巻頁： 866 - 869 2017年6月

Orientation-controlled epitaxial lateral overgrowth of semipolar GaN on Si(001) with a directionally sputtered AlN buffer layer 査読有り国際誌

Lee, HJ; Bae, SY; Lekhal, K; Tamura, A; Suzuki, T; Kushimoto, M; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 468 巻頁： 547 - 551 2017年6月

Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane (10(1)over-bar0) GaN homoepitaxial layers 査読有り国際誌

Barry, OI; Tanaka, A; Nagamatsu, K; Bae, SY; Lekhal, K; Matsushita, J; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 468 巻頁： 552 - 556 2017年6月

Annealing effect on threading dislocations in a GaN grown on Si substrate 査読有り国際誌

468 巻頁： 835 - 838 2017年6月

Uneven AlGaN multiple quantum well for deep-ultraviolet LEDs grown on macrosteps and impact on electroluminescence spectral output 査読有り

56 巻 ( 6 ) 2017年6月

Selective-area growth of vertically oriented GaN nanostructures with a hafnium pre-orienting layer 査読有り国際誌

468 巻頁： 110 - 113 2017年6月

III-nitride core-shell nanorod array on quartz substrates 査読有り

7 巻 2017年3月

AlN and AlGaN layers grown on Si(111) substrate by mixed-source hydride vapor phase epitaxy method 査読有り国際誌

Jeon, H; Jeon, I; Lee, GS; Bae, SG; Ahn, HS; Yang, M; Yi, SN; Yu, YM; Honda, Y; Sawaki, N; Kim, SW

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 巻 ( 1 ) 2017年1月

Mechanism of light emission and manufacturing process of vertical-type light-emitting diode grown by hydride vapor phase epitaxy 査読有り国際誌

Lee, GS; Jeon, H; Ahn, HS; Yang, M; Yi, SN; Yu, YM; Lee, SC; Honda, Y; Sawaki, N; Kim, SW

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 巻 ( 1 ) 2017年1月

Development of Sustainable Smart Society based on Transformative Electronics 査読有り

頁： . 2017年

Development of Sustainable Smart Society based on Transformative Electronics

Ogura M, Ando Y, Usami S, Nagamatsu K, Kushimoto M, Deki M, Tanaka A, Nitta S, Honda Y, Pristovsek M, Kawai H, Yagi S, Amano H

2017 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM) 頁： . 2017年

Improved crystal quality of semipolar (10(1)over-bar3) GaN on Si(001) substrates using AlN/GaN superlattice interlayer 査読有り国際誌

Lee, HJ; Bae, SY; Lekhal, K; Mitsunari, T; Tamura, A; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 454 巻頁： 114 - 120 2016年11月

Controlled morphology of regular GaN microrod arrays by a selective area growth with HVPE 査読有り国際誌

Lekhal, K; Bae, SY; Lee, HJ; Mitsunari, T; Tamura, A; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 447 巻頁： 55 - 61 2016年8月

Development of highly durable deep-ultraviolet AlGaN-based LED multichip array with hemispherical encapsulated structures using a selected resin through a detailed feasibility study 査読有り国際誌

Nagai, S; Yamada, K; Hirano, A; Ippommatsu, M; Ito, M; Morishima, N; Aosaki, K; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 巻 ( 8 ) 2016年8月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

To replace mercury lamps with AlGaN-based deep-ultraviolet (DUV) LEDs, a simple and low-cost package with increased light extraction efficiency (LEE) is indispensable. Therefore, resin encapsulation is considered to be a key technology. However, the photochemical reactions induced by DUV light cause serious problems, and conventional resins cannot be used. In the former part of this study, a comparison of a silicone resin and fluorine polymers was carried out in terms of their suitability for encapsulation, and we concluded that only one of the fluorine polymers can be used for encapsulation. In the latter part, the endurance of encapsulation using the selected fluorine polymer was investigated, and we confirmed that the selected fluorine polymer can guarantee a lifetime of over 6,000 h at a wavelength of 265 nm. Furthermore, a 3 × 4 array module of encapsulated dies on a simple AlN submount was fabricated, demonstrating the possibility of W/cm2-class lighting.

DOI： 10.7567/JJAP.55.082101

Evaluation of excess In during metal organic vapor-phase epitaxy growth of InGaN by monitoring via in situ laser scattering 査読有り国際誌

Yamamoto, T; Tamura, A; Usami, S; Mitsunari, T; Nagamatsu, K; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 巻 ( 5 ) 2016年5月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Using an in situ laser absorption and scattering method, the surface roughness and incorporation of In in InGaN layers grown by metal organic vapor-phase epitaxy (MOVPE) were monitored. We observed that the laser light with energy higher than the GaN bandgap was fully absorbed in a GaN layer with a smooth film surface. On the other hand, we observed that the scattering laser light from the surface when the roughness of the InGaN surface increased owing to the formation of In droplets. Laser light with energy lower than the GaN bandgap was weakly absorbed by the GaN layer and was scattered at the back surface of the wafer. Furthermore, laser light intensity decreased during InGaN growth because of In incorporation. The threshold of trimethyl-In (TMIn) for the formation of In droplets as a function of growth temperature was determined using our in situ system. Moreover, we observed that the In droplets were removed by thermal or H<inf>2</inf>treatment. The results indicate that multiwavelength laser absorption and scattering enable the optimization of the growth conditions for In-rich InGaN.

DOI： 10.7567/JJAP.55.05FD03

Theoretical approach to surface reconstruction of InN(0001) during raised-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy 査読有り

Kusaba, A; Kangawa, Y; Honda, Y; Amano, H; Kakimoto, K

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 巻 ( 5 ) 2016年5月

Study of radiation detection properties of GaN pn diode 査読有り

Sugiura, M; Kushimoto, M; Mitsunari, T; Yamashita, K; Honda, Y; Amano, H; Inoue, Y; Mimura, H; Aoki, T; Nakano, T

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 巻 ( 5 ) 2016年5月

Structural and optical study of core-shell InGaN layers of nanorod arrays with multiple stacks of InGaN/GaN superlattices for absorption of longer solar spectrum 査読有り国際誌

Bae, SY; Jung, BO; Lekhal, K; Lee, DS; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 巻 ( 5 ) 2016年5月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

We report on the material and optical properties of core–shell InGaN layers grown on GaN nanorod arrays. The core–shell InGaN layers were well grown on polarization-reduced surfaces such as semipolar pyramids and nonpolar sidewalls. In addition, to compensate the biaxial strain between GaN and InGaN layers, we grew interlayers underneath a thick InGaN layer. Here, the interlayers were composed of multiple superlattice structures. We could observe that the indium composition of core–shell InGaN structures increased with the number of interlayers. This indicates that the absorption energy band of InGaN alloys can be better matched to the spectral irradiance of the solar spectrum in nature. We also implemented a simulation of Ga-polar and nonpolar InGaN-based solar cells based on the indium composition obtained from the experiments. The result showed that nonpolar InGaN solar cells had a much higher efficiency than Ga-polar InGaN solar cells with the same thickness of the absorption layer.

DOI： 10.7567/JJAP.55.05FG03

Selective-area growth of GaN microrods on strain-induced templates by hydride vapor phase epitaxy 査読有り国際誌

Lekhal, K; Bae, SY; Lee, HJ; Mitsunari, T; Tamura, A; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 巻 ( 5 ) 2016年5月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

In this paper, we discuss the influence of parameters such as type of carrier gas and NH<inf>3</inf>/HCl flow ratio on the growth of vertical GaN microstructures by selective-area growth (SAG) hydride vapor phase epitaxy (HVPE). On various strain-induced templates such as GaN/sapphire, GaN/Si, and AlN/Si, regular arrays of Ga-polar GaN microrods were properly achieved by adjusting the growth parameters. The photoluminescence and micro-Raman measurements reveal not only the crystal quality of the GaN microrods but also strain distribution. These results will give insight into the control of the morphology of GaN microrods in terms of the strain induced from templates in SAG-HVPE. The precisely controlled arrays of GaN microrods can be used for next-generation light-emitting diodes (LEDs) by realizing InGaN/GaN multi–quantum wells (MQWs) with a radial structure.

DOI： 10.7567/JJAP.55.05FF03

Preflow trimethylaluminum treatment effect on GaN growth on SiC with an ultrathin interlayer 査読有り国際誌

Sun, Z; Nagamatsu, K; Olsson, M; Song, PF; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 巻 ( 5 ) 2016年5月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Previously, we reported a growth method for GaN on SiC by metalorganic vapor phase epitaxy. By using a preflow trimethylaluminum treatment, the poor wetting problem of gallium on the SiC surface was alleviated, resulting in a 1.2-µm-thick crack-free GaN grown on an on-axis 6H-SiC(0001) substrate via an ultrathin AlGaN interlayer. In this study, the impact of the preflow trimethylaluminum treatment time is investigated to understand why a crack-free epilayer was realized. To demonstrate the electrical performance of devices formed by our technique, GaN/SiC vertical Schottky barrier diodes were fabricated and compared with GaN/AlN/SiC and GaN/GaN vertical Schottky barrier diodes. Compared with diodes including a high-resistance AlN interlayer, the series resistance of GaN/SiC Schottky barrier diodes incorporating the ultrathin interlayer with 5 s of TMAl treatment showed a marked reduction from 4.0 × 107to 2.0 × 10−1Ω·cm2. The ultrathin interlayer growth technique is expected to be applied in future GaN/SiC hybrid high-power and high-frequency devices.

DOI： 10.7567/JJAP.55.05FB06

Observation of relaxation time of surface charge limit for InGaN photocathodes with negative electron affinity 査読有り国際誌

Sato, D; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 巻 ( 5 ) 2016年5月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

A thin p-type InGaN with a negative electron affinity (NEA) surface was used to measure the relaxation time of a surface charge limit (SCL) by irradiating rectangular laser beam pulses at changing time interval. The p-type InGaN film was grown by metal organic vapor phase epitaxy and the NEA activation was performed after the sample was heat cleaned. 13 nC per pulse with 10 ms width was obtained from the InGaN photocathode. The current decreased exponentially from the beginning of the pulse. The initial current value after the laser irradiation decreased with the time interval. As a result, the SCL relaxation time was estimated through the InGaN photocathode measurements at 100 ms.

DOI： 10.7567/JJAP.55.05FH05

Growth of semipolar (1(1)over-bar01) high-indium-content InGaN quantum wells using InGaN tilting layer on Si(001) 査読有り国際誌

Kushimoto, M; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 巻 ( 5 ) 2016年5月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Low-toxity high-In-content InGaN is an attractive option for short-distance communications through plastic optical fibers because its performance is only slightly affected by temperature. However, its fabrication on the c-plane is impaired by In droplets and V pits, which form at low-growth temperature. On the other hand, unlike the c-plane, [Formula: see text] InGaN relaxes with tilting. Therefore, in this study, we first grew a high-In-content InGaN single layer, and then we fabricated an InGaN tilting layer between [Formula: see text] InGaN-based multiple quantum wells (MQWs) and GaN stripes/(001)Si. The emission wavelength increased with the InGaN tilting layer’s growth time because the strain was relaxed by misfit dislocations at the heterointerface. This layer also extended the emission peak of InGaN/GaN MQWs and increased the photoluminescence intensity with respect to that of a single-layered InGaN. Therefore, the InGaN tilting layer is effective for growing high-In-content [Formula: see text] InGaN MQWs.

DOI： 10.7567/JJAP.55.05FA10

Study of enhanced photovoltaic behavior in InGaN-based solar cells by using SiNx insertion layer: Influence of dislocations 査読有り

Growth of AlN layer on patterned sapphire substrate by hydride vapor phase epitaxy 査読有り国際誌

Lee, GS; Lee, C; Jeon, H; Lee, C; Bae, SG; Ahn, HS; Yang, M; Yi, SN; Yu, YM; Lee, JH; Honda, Y; Sawaki, N; Kim, SW

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 巻 ( 5 ) 2016年5月

Emission Characteristics of InGaN/GaN Core-Shell Nanorods Embedded in a 3D Light-Emitting Diode 査読有り国際誌

Jung, BO; Bae, SY; Lee, S; Kim, SY; Lee, JY; Honda, Y; Amano, H

NANOSCALE RESEARCH LETTERS 11 巻 ( 1 ) 頁： 215 2016年4月

Lee, S; Honda, Y; Amano, H; Jang, J; Nam, O

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 巻 ( 3 ) 2016年3月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Using a SiN<inf>x</inf>insertion layer to reduce dislocations, enhanced photovoltaic properties could be obtained in p–i–n InGaN/GaN heterojunction solar cell. To investigate the influence of the dislocations on the photovoltaic behaviors, a sample grown without SiN<inf>x</inf>insertion layer was identically prepared for comparison. From optical properties measurements, the reduction in the number of non-radiative centers and a stronger In localization effect was shown in the sample with SiN<inf>x</inf>insertion layer. However, the quantum confined stark effect was almost negligible in both the samples. Electrical properties measurement showed reduced saturation current and increased shunt resistance in the sample with SiN<inf>x</inf>insertion layer due to the reduced dislocation density. By comparing these results and using a numerical model, the influence of the dislocation density on the different photovoltaic properties such as open-circuit voltage and fill factor has been confirmed.

DOI： 10.7567/JJAP.55.030306

Effect of piezoelectric field on carrier dynamics in InGaN-based solar cells 査読有り国際誌

Lee, S; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 49 巻 ( 2 ) 2016年1月

The interface analysis of GaN grown on 0° off 6H-SiC with an ultra-thin buffer layer 査読有り

Sun, Z; Ohta, A; Miyazaki, S; Nagamatsu, K; Lee, H; Olsson, M; Ye, Z; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 巻 ( 1 ) 2016年1月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Previously, we reported a growth method by metalorganic vapor phase epitaxy using a single two-dimensional growth step, resulting in 1.2-µm crack-free GaN directly grown on 6H-SiC substrate. The introduction of Al-treatment prior to the standard GaN growth step resulted in improved surface wetting of gallium on the SiC substrate. Transmission electron microscope and energy dispersive spectrometer analysis of the epitaxial interface to the SiC determined that an ultra-thin AlGaN interlayer had formed measuring around 2–3 nm. We expect our growth technique can be applied to the fabrication of GaN/SiC high frequency and high power devices.

DOI： 10.7567/JJAP.55.010303

Development of AlGaN-based deep-ultraviolet (DUV) LEDs focusing on the fluorine resin encapsulation and the prospect of the practical applications 査読有り国際誌

Hirano, A; Nagasawa, Y; Iypommatsu, M; Aosaki, K; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I

UV AND HIGHER ENERGY PHOTONICS: FROM MATERIALS TO APPLICATIONS 9926 巻 2016年

Highly elongated vertical GaN nanorod arrays on Si substrates with an AlN seed layer by pulsed-mode metal-organic vapor deposition 査読有り国際誌

Bae, SY; Jung, BO; Lekhal, K; Kim, SY; Lee, JY; Lee, DS; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

CRYSTENGCOMM 18 巻 ( 9 ) 頁： 1505 - 1514 2016年

Excitation density dependence of radiative and nonradiative recombination lifetimes in InGaN/GaN multiple quantum wells 査読有り国際誌

Murotani, H; Yamada, Y; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 252 巻 ( 5 ) 頁： 940 - 945 2015年5月

Optically pumped lasing properties of (1-101) InGaN/GaN stripe multiquantum wells with ridge cavity structure on patterned (001) Si substrates 査読有り

8 巻 ( 2 ) 頁： 022702 2015年2月

Optically pumped lasing properties of (1-101) InGaN/GaN stripe multiquantum wells with ridge cavity structure on patterned (001) Si substrates 査読有り

Maki Kushimoto, Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Applied Physics Express 8 巻 ( 2 ) 頁： 022702 2015年2月

Optically pumped lasing properties of (1(1)over-bar01) InGaN/GaN stripe multiquantum wells with ridge cavity structure on patterned (001) Si substrates 査読有り国際誌

Kushimoto, M; Tanikawa, T; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS 8 巻 ( 2 ) 2015年2月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

We demonstrated lasing action and investigated the optical properties of [Formula: see text] multiquantum-well (MQW) stripe crystals on patterned (001) Si substrates. Longitudinal and higher order transverse modes were observed from a ridge waveguide structure. These results strongly suggest the possibility of fabricating [Formula: see text] InGaN MQW laser diodes on (001) Si.

DOI： 10.7567/APEX.8.022702

Highly ordered catalyst-free InGaN/GaN core-shell architecture arrays with expanded active area region 査読有り国際誌

Jung, BO; Bae, SY; Kim, SY; Lee, S; Lee, JY; Lee, DS; Kato, Y; Honda, Y; Amano, H

NANO ENERGY 11 巻頁： 294 - 303 2015年1月

GaN/SiC Epitaxial growth for high power and high switching speed device applications 査読有り

Zheng Sun, Shigeyoshi Usami, Di Lu, Takahiro Ishii, Marc Olsson, Kouhei Yamashita, Tadashi Mitsunari, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Materials Research Society Symposium Proceedings 1736 巻頁： 65 - 69 2015年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Materials Research Society

We developed a new GaN on SiC growth method by metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE) using of a single 2-dimension-growth step. Prior to epitaxy, to inhibit pre-reaction of Si-face SiC substrate with TMGa and NH&lt
inf&gt
3&lt
/inf&gt
, TMA1 was flowed without NH&lt
inf&gt
3&lt
/inf&gt
. 1.5 μm of undoped crack-firee GaN was grown on 6H-SiC (Si-face). Without buffer layer, the vertical resistance of GaN/SiC structure was found to be around 82.1Ω as determined by I-V characteristic. Further reduction in vertical resistance is expected by growth of n-GaN (1.5 μm)/SiC structure (300 μm). We also expect a SiC-based GaN heterostructure vertical FET will achieve high power and high switching speed performance.

DOI： 10.1557/opl.2015.102

Photocathode electron beam sources using GaN and InGaN with NEA 査読有り

T. Nishitani, T. Maekawa, M. Tabuchi, T. Meguro, Y. Honda, H. Amano

GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES X 9363 巻 2015年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING

A photocathode electron source using p-type GaN and p-type InGaN semiconductors with a negative electron affinity (NEA) surface has been studied for its ability to maintain an extended NEA state. The key technology of NEA photocathodes is the formation of electric dipoles by atoms on the surface, which makes it possible for photo excited electrons in the conduction band minimum to escape into the vacuum. This means that in order to keep the electron energy spread as small as possible, the excitation photon energy should be tuned to the band gap energy. However, the NEA surface is damaged by the adsorption of residual gas and the back-bombardment of ionized residual gas by photoelectrons. The p-type GaN and InGaN semiconductors were measured a lifetime of quantum yield of excitation energy corresponding to the band gap energy in comparison to the p-type GaAs as the conventional NEA photocathode. Lifetime of NEA-photocathodes using the GaN and InGaN were 21 times and 7.7 times longer respectively than that using the GaAs.

DOI： 10.1117/12.2076681

Nature of yellow luminescence band in GaN grown on Si substrate 査読有り国際誌

Ito, S; Nakagita, T; Sawaki, N; Ahn, HS; Irie, M; Hikosaka, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 巻 ( 11 ) 2014年11月

NEA半導体フォトカソードへの応用を目指したGaN系半導体の量子効率および耐久性の研究 (電子部品・材料) 査読有り国際誌

佐藤大樹, 西谷智博, 前川拓也, 本田善央, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 巻 ( 202 ) 頁： 49-54 - 54 2014年9月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

負の電子親和力(Negative Electron Affinity:NEA)状態の表面を持つ半導体(NEA半導体フォトカソード)は、高性能電子ビーム源として素粒子実験分野に貢献してきたが、産業利用上、NEA表面の寿命問題を抱える。我々は、半導体のバンドギャップに着目し、NEA表面が得られた際の表面の電子親和力をより小さくすることでこの寿命問題の改善が可能であると考えた。そこで、NEA半導体フォトカソードに用いる半導体として、従来技術のp-GaAsに比べてバンドギャップの大きいp-GaN及びp-InGaNを作製した。作製したp-GaN及びp-InGaNサンプルによるNEA表面活性化実験では、セシウムの供給のみで表面のNEA状態が得られる可能性が示唆され、量子効率の寿命測定では、従来技術のp-GaAsに比べ、p-GaNで17倍、p-InGaNで7倍の長寿命化に成功した。

P-GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications (シリコン材料・デバイス) 査読有り国際誌

SUN Zheng, Olsson Marc, NAGAYAMA Tsutomu, HONDA Yoshio, AMANO Hiroshi

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 巻 ( 58 ) 頁： 109-112 - 112 2014年5月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

We realized p-GaN by high temperature Mg ion implantation with pre-sputter(PS) technique. Due to the new PS technique and high temperature implantation, ion implantation damage was greatly reduced. This soft implantation made the post anneal more effectively to recover the implantation damage and activate the implanted Mg ions. We believe this p-GaN by Mg ion implantation will contribute to GaN to enter high output power device application field.

P-GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications (電子部品・材料) 査読有り

SUN Zheng, Olsson Marc, NAGAYAMA Tsutomu, HONDA Yoshio, AMANO Hiroshi

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 巻 ( 57 ) 頁： 109-112 - 112 2014年5月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

P-GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications (電子デバイス) 査読有り

SUN Zheng, Olsson Marc, NAGAYAMA Tsutomu, HONDA Yoshio, AMANO Hiroshi

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 巻 ( 56 ) 頁： 109-112 - 112 2014年5月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (レーザ・量子エレクトロニクス)

Characterization of nonpolar a-plane InGaN/GaN multiple quantum well using double nanopillar SiO2 mask 査読有り国際誌

Son, JS; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 巻 ( 5 ) 2014年5月

In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り国際誌

Ju, GX; Honda, Y; Tabuchi, M; Takeda, Y; Amano, H

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 115 巻 ( 9 ) 2014年3月

Growth of InGaN/GaN multiple quantum wells on size-controllable nanopyramid arrays 査読有り国際誌

Miao, C; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 巻 ( 3 ) 2014年3月

Novel activation process for Mg-implanted GaN 査読有り国際誌

Hashimoto, S; Nakamura, T; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 388 巻頁： 112 - 115 2014年2月

Growth of low-defect-density nonpolar a-plane GaN on r-plane sapphire using pulse NH3 interrupted etching 査読有り国際誌

Son, JS; Honda, Y; Amano, H

OPTICS EXPRESS 22 巻 ( 3 ) 頁： 3585 - 3592 2014年2月

Reduction of efficiency droop in InGaN light-emitting diodes on low dislocation density GaN substrate 査読有り

頁： 90030E-90030E-6 2014年

Characterization of nonpolar a-plane InGaN/GaN multiple quantum well using double nanopillar SiO2 mask 査読有り

53 巻 ( 5S1 ) 頁： 05FL01 2014年

Growth of low-defect-density nonpolar a-plane GaN on r-plane sapphire using pulse NH 3 interrupted etching 査読有り

22 巻 ( 3 ) 頁： 3585-3592 2014年

Enhancement of light output power on GaN-based light-emitting diodes using two-direction stripe-patterned sapphire substrate 査読有り

11 巻 ( 3‐4 ) 頁： 722-725 2014年

Growth of InGaN/GaN multiple quantum wells on size-controllable nanopyramid arrays 査読有り

53 巻 ( 3 ) 頁： 30306 2014年

Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique 査読有り

16 巻 ( 11 ) 頁： 2273-2282 2014年

X-ray investigations of GaInN single quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

11 巻 ( 3‐4 ) 頁： 393-396 2014年

In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

115 巻 ( 9 ) 頁： 94906 2014年

Novel activation process for Mg-implanted GaN 査読有り

388 巻頁： 112-115 2014年

Recombination dynamics and internal quantum efficiency in InGaN nanowires 査読有り

11 巻 ( 3-4 ) 頁： 652 - 655 2014年

X-ray investigations of GaInN single quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

11 巻 ( 3-4 ) 頁： 393 - 396 2014年

Enhancement of light output power on GaN-based light-emitting diodes using two-direction stripe-patterned sapphire substrate 査読有り国際誌

11 巻 ( 3-4 ) 頁： 722 - 725 2014年

Reduction of efficiency droop in InGaN light-emitting diodes on low dislocation density GaN substrate 査読有り国際誌

Yamashita, K; Sugiyama, T; Iwai, M; Honda, Y; Yoshino, T; Amano, H

LIGHT-EMITTING DIODES: MATERIALS, DEVICES, AND APPLICATIONS FOR SOLID STATE LIGHTING XVIII 9003 巻 2014年

Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique 査読有り国際誌

Jung, BO; Bae, SY; Kato, Y; Imura, M; Lee, DS; Honda, Y; Amano, H

CRYSTENGCOMM 16 巻 ( 11 ) 頁： 2273 - 2282 2014年

X-ray investigations of GaInN single quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

Ju, Guangxu, Kato, Yoshihiro, Honda, Yoshio, Tabuchi, Masao, Takeda, Yoshikazu, Amano, Hiroshi

physica status solidi (c) 11 巻 ( 3‐4 ) 頁： 393-396 2014年

Reduction of efficiency droop in InGaN light-emitting diodes on low dislocation density GaN substrate 査読有り

Yamashita, Kouhei, Sugiyama, Tomohiko, Iwai, Makoto, Honda, Yoshio, Yoshino, Takashi, Amano, Hiroshi

SPIE OPTO 頁： 90030E-90030E-6 2014年

Characterization of nonpolar a-plane InGaN/GaN multiple quantum well using double nanopillar SiO2 mask 査読有り

Son, Ji-Su, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics 53 巻 ( 5S1 ) 頁： 05FL01 2014年

In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

Ju, Guangxu, Honda, Yoshio, Tabuchi, Masao, Takeda, Yoshikazu, Amano, Hiroshi

Journal of Applied Physics 115 巻 ( 9 ) 頁： 94906 2014年

Growth of low-defect-density nonpolar a-plane GaN on r-plane sapphire using pulse NH 3 interrupted etching 査読有り

Son, Ji-Su, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi

Optics express 22 巻 ( 3 ) 頁： 3585-3592 2014年

Growth of InGaN/GaN multiple quantum wells on size-controllable nanopyramid arrays 査読有り

Miao, Cao, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics 53 巻 ( 3 ) 頁： 30306 2014年

Enhancement of light output power on GaN-based light-emitting diodes using two-direction stripe-patterned sapphire substrate 査読有り

Okuno, Koji, Oshio, Takahide, Shibata, Naoki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

physica status solidi (c) 11 巻 ( 3‐4 ) 頁： 722-725 2014年

Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique 査読有り

Jung, Byung Oh, Bae, Si-Young, Kato, Yoshihiro, Imura, Masataka, Lee, Dong-Seon, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi

CrystEngComm 16 巻 ( 11 ) 頁： 2273-2282 2014年

Novel activation process for Mg-implanted GaN 査読有り

Hashimoto, Shin, Nakamura, Takao, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi

Journal of Crystal Growth 388 巻頁： 112-115 2014年

若杉侑矢, 本田善央, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 巻 ( 331 ) 頁： 47 - 50 2013年11月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE法を用いてGaN及びAlGaNへのMgとCの同時ドーピングを行い、電気的、光学的特性を評価した。GaNへの同時ドーピングでは比較的低濃度のCドーピングにより正孔密度の増加が確認できたが、AlGaNにおいてはC_2H_2流量増加に伴い正孔密度は減少した。cathodeluminescence(CL)測定により、全ての試料で440nm付近の発光を確認した。GaNへのMgとCのδドーピングを行った試料に対して同様の測定を行った。MgとCの同時δドーピングは通常のMgドーピングよりも高い正孔密度を示した。

高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (電子部品・材料)

前川拓也, 本田善央, 天野浩, 西谷智博

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 巻 ( 330 ) 頁： 43 - 46 2013年11月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

我々は、負の電子親和力を持つ半導体表面を用いた電子源(NEA半導体フォトカソード電子源)の高輝度、高耐久化を目指して、p-GaN半導体を用いた機能性表面の寿命に対する電子源の高輝度条件を検討した。超高真空中でp-GaN基板に対してNEA表面活性化を行った後、その量子効率の波長依存性及びその寿命の測定実験を行った。その結果から、p-GaN基板は、従来技術のp-GaAs基板に比べて20倍以上寿命が長く、より高耐久性能を持つことが分かった。また、表面機能が低下するに連れて、バンドギャップエネルギー以下の励起エネルギーでの量子効率が優先的に減少することが分かった。これらの結果より、p-GaN基板を用いたNEA半導体フォトカソード電子源は、高耐久である一方で、表面機能が劣化した状態がより電子ビーム源として単色化に適していることを明らかにした。

高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (電子デバイス)

前川拓也, 本田善央, 天野浩, 西谷智博

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 巻 ( 329 ) 頁： 43 - 46 2013年11月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (レーザ・量子エレクトロニクス)

前川拓也, 本田善央, 天野浩, 西谷智博

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 巻 ( 331 ) 頁： 43 - 46 2013年11月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (電子部品・材料)

若杉侑矢, 本田善央, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 巻 ( 330 ) 頁： 47 - 50 2013年11月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (電子デバイス)

若杉侑矢, 本田善央, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 巻 ( 329 ) 頁： 47 - 50 2013年11月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

Effects of Nano- and Microscale SiO2 Masks on the Growth of a-Plane GaN Layers on r-Plane Sapphire

Son, JS; Miao, C; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H; Seo, YG; Hwang, SM; Baik, KH

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 巻 ( 8 ) 頁： 08JC04 - 08JC04-4 2013年8月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics

We report on the combined effects of a-plane GaN layers on a nanoscale patterned insulator on an r-plane sapphire substrate and epitaxial lateral overgrowth (ELOG) techniques. The fully coalescent a-plane GaN layer using nano- and microscale SiO<inf>2</inf>masks showed the formation of nano- and microscale voids on the masks, respectively. Atomic force microscopy (AFM) measurements revealed a surface roughness of 0.63 nm and a submicron pit density of {\sim}7.8 \times 10^{7} cm-2. Photoluminescence (PL) intensity was enhanced by a factor of 9.0 in comparison with that of a planar sample. Omega full-width at half-maximum (FWHM) values of the (11\bar{2}0) X-ray rocking curve along the c- and m-axes were 553 and 788 arcsec, respectively. A plan-view cathodoluminescence (CL) mapping image showed high luminescence intensity on the SiO<inf>2</inf>masks.

DOI： 10.7567/JJAP.52.08JC04

Progress and Prospect of the Growth of Wide-Band-Gap Group III Nitrides: Development of the Growth Method for Single-Crystal Bulk GaN 査読有り

GaN Overgrowth on Thermally Etched Nanoporous GaN Template

Miao, Cao, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8 ) 頁： 08JB03 2013年8月

Emission Wavelength Dependence of Internal Quantum Efficiency in InGaN Nanowires 査読有り

Murotani, H; Andoh, H; Tsukamoto, T; Sugiura, T; Yamada, Y; Tabata, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 巻 ( 8 ) 頁： 08JE10 2013年8月

Correlation between internal quantum efficiency and degree of localization in InGaN nanowires 査読有り

H. Murotani, H. Andoh, T. Tsukamoto, T. Sugiura, Y. Yamada, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

10th Inter. Conf. Nitride Semiconductors 2013年8月

Recombination dynamics of localized excitons in InGaN nanowires 査読有り

H. Murotani, H. Andoh, T. Tsukamoto, T. Sugiura, Y. Yamada, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

18th Inter. Conf. Electron dynamics in Semiconductors, Optoelectronics, and Nanostructures, TuP-6 2013年7月

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, and H. Amano

phys. stat. sol. (c) 10 巻 ( 3 ) 頁： 369-372 2013年3月

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, and H. Amano

phys. stat. sol. (c) 10 巻 ( 3 ) 頁： 369-372 2013年3月

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, H. Amano

phys. stat. sol. (c) 10 巻 ( 3 ) 頁： 369-372 2013年3月

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, H. Amano

phys. stat. sol. (c) 10 巻 ( 3 ) 頁： 369-372 2013年3月

Growth of GaN on Si (111) Substrates via a Reactive-Sputter-Deposited AlN Intermediate Layer 査読有り

Yamada, Takaya; Tanikawa, Tomoyuki; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB16 2013年

Fabrication of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on (1bar 101) GaN 査読有り

Tanikawa, Tomoyuki; Sano, Tomotaka; Kushimoto, Maki; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JC05 2013年

Stacking Faults and Luminescence Property of InGaN Nanowires 査読有り

Tabata, Takuya; Paek, Jihyun; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JE06 2013年

Effects of nano-and microscale SiO2 masks on the growth of a-plane GaN layers on r-plane sapphire 査読有り

Son, Ji-Su; Miao, Cao; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi; Seo, Yong Gon; Hwang, Sung-Min; Baik, Kwang Hyeon;

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JC04 2013年

Characteristics of a-plane GaN films grown on optimized silicon-dioxide-patterned r-plane sapphire substrates 査読有り

Son, Ji-Su; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi; Baik, Kwang Hyeon; Seo, Yong Gon; Hwang, Sung-Min;

Thin Solid Films 546 巻頁： 108-113 2013年

Defects generation and annihilation in GaN grown on patterned silicon substrate 査読有り

Sawaki, N; Ito, S; Nakagita, T; Iwata, H; Tanikawa, T; Irie, M; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H;

SPIE OPTO 頁： 86250K-86250K-6 2013年

High internal quantum efficiency blue-green light-emitting diode with small efficiency droop fabricated on low dislocation density GaN substrate 査読有り

Sano, Tomotaka; Doi, Tomohiro; Inada, Shunko Albano; Sugiyama, Tomohiko; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi; Yoshino, Takashi;

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JK09 2013年

Growth mode and threading dislocation behavior of GaN films grown on patterned sapphire substrate with radial stripe pattern 査読有り

Okuno, Koji; Oshio, Takahide; Shibata, Naoki; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB09 2013年

Thick InGaN Growth by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy with Sputtered InGaN Buffer Layer 査読有り

Ohata, Toshiya; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB11 2013年

GaN Nanowires Grown on a Graphite Substrate by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy 査読有り

Nakagawa, Shinta; Tabata, Takuya; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JE07 2013年

Effects of exciton localization on internal quantum efficiency of InGaN nanowires 査読有り

Murotani, Hideaki; Yamada, Yoichi; Tabata, Takuya; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

Journal of Applied Physics 114 巻 ( 15 ) 頁： 153506 2013年

GaN Overgrowth on Thermally Etched Nanoporous GaN Template 査読有り

Miao, Cao; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB03 2013年

Strain-Compensated Effect on the Growth of InGaN/AlGaN Multi-Quantum Well by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

Doi, Tomohiro; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB14 2013年

Progress and Prospect of the Growth of Wide-Band-Gap Group III Nitrides: Development of the Growth Method for Single-Crystal Bulk GaN 査読有り

Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 5R ) 頁： 50001 2013年

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

Okuno Koji, Oshio Takahide, Shibata Naoki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Tanaka Shigeyasu, Amano Hiroshi

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 3 10 巻 ( 3 ) 頁： 369 - 372 2013年

Thick InGaN Growth by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy with Sputtered InGaN Buffer Layer 査読有り

Ohata, Toshiya, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB11 2013年

Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 5R ) 頁： 50001 - 050001-10 2013年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics

Thin films of III--V compound semiconductors such as GaAs and InP can be grown on native substrates, whereas such growth was difficult for group III nitride semiconductors. Despite this drawback, scientists have gradually become able to use the functions of group III nitride semiconductors by growing their thin films on non-native substrates such as sapphire and Si substrates. With the continuously increasing demand for the conservation and generation of energy, bulk substrates of group III nitride semiconductors are highly expected to maximize their potential. In this report, I review the current status of the growth methods for bulk GaN single crystals used for substrates as well as summarize the characteristics of blue light-emitting diodes (LEDs), heterojunction field-effect transistors (HFETs), and photovoltaic cells on GaN substrates.

DOI： 10.7567/JJAP.52.050001

Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性

Stacking Faults and Luminescence Property of InGaN Nanowires 査読有り

Tabata, Takuya, Paek, Jihyun, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JE06 2013年

Strain-Compensated Effect on the Growth of InGaN/AlGaN Multi-Quantum Well by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

Doi, Tomohiro, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB14 2013年

Characteristics of a-plane GaN films grown on optimized silicon-dioxide-patterned r-plane sapphire substrates 査読有り

Son, Ji-Su, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi, Baik, Kwang Hyeon, Seo, Yong Gon, Hwang, Sung-Min

Thin Solid Films 546 巻頁： 108-113 2013年

High internal quantum efficiency blue-green light-emitting diode with small efficiency droop fabricated on low dislocation density GaN substrate 査読有り

Sano, Tomotaka, Doi, Tomohiro, Inada, Shunko Albano, Sugiyama, Tomohiko, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi, Yoshino, Takashi

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JK09 2013年

Growth of GaN on Si (111) Substrates via a Reactive-Sputter-Deposited AlN Intermediate Layer 査読有り

Yamada, Takaya, Tanikawa, Tomoyuki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB16 2013年

Growth mode and threading dislocation behavior of GaN films grown on patterned sapphire substrate with radial stripe pattern 査読有り

Okuno, Koji, Oshio, Takahide, Shibata, Naoki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB09 2013年

GaN Nanowires Grown on a Graphite Substrate by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy 査読有り

Nakagawa, Shinta, Tabata, Takuya, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JE07 2013年

Fabrication of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on (1bar 101) GaN 査読有り

Tanikawa, Tomoyuki, Sano, Tomotaka, Kushimoto, Maki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JC05 2013年

Effects of nano-and microscale SiO2 masks on the growth of a-plane GaN layers on r-plane sapphire 査読有り

Son, Ji-Su, Miao, Cao, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi, Seo, Yong Gon, Hwang, Sung-Min, Baik, Kwang Hyeon

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JC04 2013年

Effects of exciton localization on internal quantum efficiency of InGaN nanowires 査読有り

Murotani, Hideaki, Yamada, Yoichi, Tabata, Takuya, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Journal of Applied Physics 114 巻 ( 15 ) 頁： 153506 2013年

Defects generation and annihilation in GaN grown on patterned silicon substrate

Sawaki, N, Ito, S, Nakagita, T, Iwata, H, Tanikawa, T, Irie, M, Honda, Y, Yamaguchi, M, Amano, H

SPIE OPTO 8625 巻頁： 86250K-86250K-6 2013年

Effects of low energy e-beam irradiation on cathodoluminescence from GaN 査読有り

S. Suihkonen, H. Nykänen, T. Tanikawa, M. Yamaguchi, Y. Honda, and H. Amano

phys. stat. sol. (a) 210 巻 ( 2 ) 頁： 383-385 2012年12月

Effects of low energy e-beam irradiation on cathodoluminescence from GaN 査読有り

S. Suihkonen, H. Nykänen, T. Tanikawa, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano

phys. stat. sol. (a) 210 巻 ( 2 ) 頁： 383-385 2012年12月

InGaNナノワイヤの内部量子効率に対する積層欠陥の影響

室谷英彰, 安藤浩哉, 塚本武彦, 杉浦藤虎, 山田陽一, 田畑拓也, 本田善央, 山口雅史, 天野浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2012.2 巻頁： 3246 - 3246 2012年8月

久志本真希, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 112 巻 ( 32 ) 頁： 15 - 18 2012年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性

久志本真希, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 112 巻 ( 33 ) 頁： 15 - 18 2012年5月

Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性

久志本真希, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112 巻 ( 34 ) 頁： 15 - 18 2012年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

Strain relaxation in thick (1-101)InGaN grown on GaN/Si substrate 査読有り

T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (b) 249 巻 ( 3 ) 頁： 468–471 2012年3月

Strain relaxation in thick (1-101)InGaN grown on GaN/Si substrate 査読有り

T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, N. Sawaki

phys. stat. sol. (b) 249 巻 ( 3 ) 頁： 468–471 2012年3月

Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE 査読有り

T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

phys. stat. sol. (c) 9 巻 ( 3-4 ) 頁： 646–649 2012年3月

Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE 査読有り

T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

phys. stat. sol. (c) 9 巻 ( 3-4 ) 頁： 646–649 2012年3月

Small current collapse in AlGaN/GaN HFETs on a-plane GaN self-standing substrate 査読有り

T. Sugiyama, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, Y. Isobe, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Imade, Y. Kitaoka, and Y. Mori

phys. stat. sol. (c) 9 巻 ( 3-4 ) 頁： 875–878 2012年3月

In-situ void formation technique using an AlN shell structure grown on GaN stripes on Si(111) and c-plane sapphire substrates 査読有り

T. Mitsunari, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

phys. stat. sol. (c) 9 巻 ( 3-4 ) 頁： 480–483 2012年3月

A local vibration mode in a carbon doped (1-101)AlGaN 査読有り

N. Sawaki, K. Hagiwara, K. Yamashita, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

SPIE 8262 巻頁： 82620D 2012年3月

In-situ void formation technique using an AlN shell structure grown on GaN stripes on Si(111) and c-plane sapphire substrates 査読有り

T. Mitsunari, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

phys. stat. sol. (c) 9 巻 ( 3-4 ) 頁： 480–483 2012年3月

Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE 査読有り

T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

phys. stat. sol. (c) 9 巻 ( 3-4 ) 頁： 646–649 2012年3月

Enhancement of two-dimensional electron gases in AlGaN-channel high-electron-mobility transistors with AlN barrier layers 査読有り

Hashimoto, S; Akita, K; Yamamoto, Y; Ueno, M; Nakamura, T; Takeda, K; Iwaya, M; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 209 巻 ( 3 ) 頁： 501 - 504 2012年3月

Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE

T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

phys. stat. sol. (c) 9 巻 ( 3-4 ) 頁： 646–649 2012年3月

InGaNナノワイヤにおける内部量子効率の発光波長依存性

室谷英彰, 安藤浩哉, 塚本武彦, 杉浦藤虎, 山田陽一, 田畑拓也, 本田善央, 山口雅史, 天野浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2012.1 巻頁： 140 - 140 2012年2月

Impurity incorporation in semipolar (1-101) GaN grown on an Si substrate 査読有り

N. Sawaki, K. Hagiwara, T. Hikosaka, and Y. Honda

Semicond. Sci. Technol. 27 巻頁： 024006_1-024006_5 2012年1月

Impurity incorporation in semipolar (1-101) GaN grown on an Si substrate 査読有り

N. Sawaki, K. Hagiwara, T. Hikosaka, Y. Honda

Semicond. Sci. Technol. 27 巻頁： 024006_1-024006_5 2012年1月

Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE 査読有り

Tabata Takuya, Paek Jihyun, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4 9 巻 ( 3-4 ) 頁： 646 - 649 2012年

In-situ void formation technique using an AlN shell structure grown on GaN stripes on Si(111) and c-plane sapphire substrates 査読有り

Mitsunari Tadashi, Tanikawa Tomoyuki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4 9 巻 ( 3-4 ) 頁： 480 - 483 2012年

Small current collapse in AlGaN/GaN HFETs on a-plane GaN self-standing substrate 査読有り

T. Sugiyama, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, Y. Isobe, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Imade, Y. Kitaoka, Y. Mori

phys. stat. sol. (c) 9 巻 ( 3-4 ) 頁： 875 - 878 2012年

A local vibration mode in a carbon doped (1-101)AlGaN

N. Sawaki, K. Hagiwara, K. Yamashita, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

SPIE 8262 巻頁： 82620D 2012年

Improvement of Light Extraction Efficiency for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes 査読有り

T. Inazu, S. Fukahori, C. Pernot, M. H. Kim, T. Fujita, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano, and I. Akasaki

Jpn. J. Appl. Phys. 50 巻 ( 12 ) 頁： 122101_1-122101_3 2011年12月

Improvement of Light Extraction Efficiency for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes 査読有り

T. Inazu, S. Fukahori, C. Pernot, M. H. Kim, T. Fujita, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki

Jpn. J. Appl. Phys. 50 巻 ( 12 ) 頁： 122101_1-122101_3 2011年12月

Raman Spectroscopic Study Of Residual Strain In (1-101) GaN And (0001) GaN Layers Grown On Si Substrate 査読有り

T. Sugiura, E.H. Kim, Y. Honda, H. Takagi, T. Tsukamoto, H. Andoh, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

AIP Conf. Proc. 1399 巻頁： 503-504 2011年12月

Raman Spectroscopic Study Of Residual Strain In (1-101) GaN And (0001) GaN Layers Grown On Si Substrate 査読有り

T. Sugiura, E.H. Kim, Y. Honda, H. Takagi, T. Tsukamoto, H. Andoh, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

AIP Conf. Proc. 1399 巻頁： 503-504 2011年12月

Raman Spectroscopic Study Of Residual Strain In (1-101) GaN And (0001) GaN Layers Grown On Si Substrate 査読有り

T. Sugiura, E.H. Kim, Y. Honda, H. Takagi, T. Tsukamoto, H. Andoh, M. Yamaguchi, N. Sawaki

AIP Conf. Proc. 1399 巻頁： 503-504 2011年12月

Raman Spectroscopic Study Of Residual Strain In (1-101) GaN And (0001) GaN Layers Grown On Si Substrate 査読有り

T. Sugiura, E.H. Kim, Y. Honda, H. Takagi, T. Tsukamoto, H. Andoh, M. Yamaguchi, N. Sawaki

AIP Conf. Proc. 1399 巻頁： 503-504 2011年12月

AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates 査読有り

Kim Myunghee, Fujita Takehiko, Fukahori Shinya, INAZU Tetsuhiko, PERNOT Cyril, NAGASAWA Yosuke, HIRANO Akira, IPPOMMATSU Masamichi, IWAYA Motoaki, TAKEUCHI Tetsuya, KAMIYAMA Satoshi, YAMAGUCHI Masahito, HONDA Yoshio, AMANO Hiroshi, AKASAKI Isamu

Applied physics express 4 巻 ( 9 ) 頁： "092102 - 1"-"092102-3" 2011年9月

AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates 査読有り

M.H. Kim, T. Fujita, S. Fukahori, T. Inazu, C. Pernot, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano, and I. Akasaki

Appl. Phys. Express 4 巻 ( 9 ) 頁： 092102_1-092102_3 2011年8月

AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates 査読有り

M.H. Kim, T. Fujita, S. Fukahori, T. Inazu, C. Pernot, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano, and I. Akasaki

Appl. Phys. Express 4 巻 ( 9 ) 頁： 092102_1-092102_3 2011年8月

AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates 査読有り

M.H. Kim, T. Fujita, S. Fukahori, T. Inazu, C. Pernot, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki

Appl. Phys. Express 4 巻 ( 9 ) 頁： 092102_1-092102_3 2011年8月

AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates 査読有り

M.H. Kim, T. Fujita, S. Fukahori, T. Inazu, C. Pernot, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki

Appl. Phys. Express 4 巻 ( 9 ) 頁： 092102_1-092102_3 2011年8月

(1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長

TANIKAWA Tomoyuki, HONDA Yoshio, YAMAGUCHI Masahito, AMANO Hiroshi, SAWAKI Nobuhiko

IEICE technical report 111 巻 ( 44 ) 頁： 63 - 66 2011年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

We demonstrated thick InGaN growth on (1-101)GaN/Si. The grown samples had relative smooth surface with RMS value of less than 10nm. From X-ray reciprocal space mapping, InGaN layer showed incoherent growth. First, the lattice relaxation occurred by generation of misfit dislocations between InGaN/GaN interface and inclined along <0001> projection. At a high indium content, a high density of misfit dislocations was generated, resulted in a larger inclination. Along <11-20> direction, InGaN lattice relaxation only occurred along the in-plane direction.

GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET

SUGIYAMA T., HONDA Y., YAMAGUCHI M., AMANO H., ISOBE Y., OSHIMURA Y., IWAYA M., TAKEUCHI T., KAMIYAMA S., AKASAKI I., IMADE M., KITAOKA Y., MORI Y.

IEICE technical report 111 巻 ( 46 ) 頁： 175 - 178 2011年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

We measured current collapse in AlGaN/GaN HFETs on an a-plane GaN substrate. Non polar HFETs are promising for realizing a high V_<th> and a small current collapse than c-plane HFETs. We also measured current collapse in normally off mode AlGaN/GaN JHFETs with a p-GaN gate. The large current collapse was observed in unpassivated sample, because AlGaN barrier of JHFETs was exposed to air by dry etching. On the other hand current collapse in the SiNx-passivated JHFETs is small and almost the same as that in as-grown HFETs.

GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET

SUGIYAMA T., HONDA Y., YAMAGUCHI M., AMANO H., ISOBE Y., OSHIMURA Y., IWAYA M., TAKEUCHI T., KAMIYAMA S., AKASAKI I., IMADE M., KITAOKA Y., MORI Y.

IEICE technical report 111 巻 ( 45 ) 頁： 175 - 178 2011年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET

杉山貴之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩, 磯部康裕, 押村吉徳, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇, 今出完, 北岡康夫, 森勇介

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 111 巻 ( 44 ) 頁： 175 - 178 2011年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

c面および非極性a面GaN基板上AlGaN/GaN HFETの電流コラプスを測定した。a-HFETはc面上のHFETsに比べ高い閾値電圧と電流コラプス耐性の両立に優れることを実証した。また、p-GaNゲートを用いたc面ノーマリーオフ型JHFETについても電流コラプスの測定を行った、ドライエッチングによって露出されたAlGaN表面のデバイスでは電流コラプスが極めて大きいが、SiNパッシベーションによって、as-grownで同じ組成・膜厚を有するAlGaNバリアのノーマリーオフ型HFETsと同程度まで電流コラプス耐性が向上した。

AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム

朴貴珍, 杉山貴之, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩, 稲津哲彦, 藤田武彦, ペルノーシリル, 平野光

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111 巻 ( 46 ) 頁： 123 - 126 2011年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

長時間・大電流駆動によるAlGaN系紫外発光素子の通電特性の変化から発光効率とリーク電流成分の増大の関連性、また、発光層への注入効率とリーク成分の関係性を調べた.劣化初期、通電時間が経つとともにリーク電流は増大、IQEは一定であった.しかし、駆動時間400時間目の結果からIQEの低下が観測された.その原因はリーク電流によるジュール熱であると考えられる.

AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム

朴貴珍, 杉山貴之, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩, 稲津哲彦, 藤田武彦, ペルノーシリル, 平野光

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 111 巻 ( 45 ) 頁： 123 - 126 2011年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム

朴貴珍, 杉山貴之, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩, 稲津哲彦, 藤田武彦, ペルノーシリル, 平野光

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 111 巻 ( 44 ) 頁： 123 - 126 2011年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

(1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長

谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111 巻 ( 46 ) 頁： 63 - 66 2011年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE法により(1-101)GaN/Si上にInGaN厚膜の成長を試みた。InGaNを成長するとGaNにみられた原子ステップは消失し、三次元成長が促進されていることを確認したが、c面によくみられるV字ピットは現れず、10nm以下の平均粗さを有する平坦性の比較的優れた結晶であることが分かった。X線逆格子マッピング測定よりInGaN結晶の格子緩和過程を観察すると、2段階の緩和過程が観察された。低In組成ではコヒーレント成長していたのに対し、In組成が増大するにつれまずc軸方向へのチルトが見られた。これは格子不整合により界面にミスフィット転位が導入されることに起因すると思われる。In組成が高くなるについてミスフィット転位の間隔が狭くなりチルト角度が増大した。<11-20>方向においては面内の格子緩和のみ発生した。

(1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長

谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 111 巻 ( 45 ) 頁： 63 - 66 2011年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長

田畑拓也, 白知鉉, 本田善央, 山口雅史, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 111 巻 ( 45 ) 頁： 45 - 48 2011年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

従来のプレーナ型量子井戸構造と比較してInGaNナノワイヤは可視光長波長領域において、より優れた発光特性を示すと予想される。本研究では、RF-MBE法により(111)Si基板上にIn/(In+Ga)フラックス比および成長温度を変化させてInGaNナノワイヤの成長を行った。成長温度を固定した場合、Inフラックス比が大きくなるほどナノワイヤにおけるIn組成の増大とともにフォトルミネッセンス(PL)ピーク波長は長波長側へシフトした。また、成長温度が高くなるにつれて、PLピーク波長は短波長側へシフトし、PL強度は大きくなった。これは成長温度が高くなるにつれてInの脱離が多くなったこと、およびInGaNナノワイヤの結晶性が向上したことが原因として考えられる。しかし、PLスペクトルの温度依存性からInGaNナノワイヤの内部量子効率を見積もると18%程度であった。これはSTEM像において確認された積層欠陥が原因の1つに挙げられる。

RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長

田畑拓也, 白知鉉, 本田善央, 山口雅史, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111 巻 ( 46 ) 頁： 45 - 48 2011年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長

田畑拓也, 白知鉉, 本田善央, 山口雅史, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 111 巻 ( 44 ) 頁： 45 - 48 2011年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

Effect of lateral vapor-phase diffusion during the selective growth of InGaN/GaN MQW on semi-polar and non-polar GaN stripes 査読有り

T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

phys. stat. sol. (a) 208 巻 ( 5 ) 頁： 1175-1178 2011年5月

Optical properties of (1-101)semi-polar InGaN/GaN multiple quantum wells grown on patterned silicon substrates 査読有り

C.H. Chiu, D.W. Lin, C.C. Lin, Z.Y. Li, Y.C. Chen, S.C. Ling, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Cryst. Growth 318 巻 ( 1 ) 頁： 500-504 2011年5月

Effect of lateral vapor-phase diffusion during the selective growth of InGaN/GaN MQW on semi-polar and non-polar GaN stripes 査読有り

T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

phys. stat. sol. (a) 208 巻 ( 5 ) 頁： 1175-1178 2011年5月

Optical properties of (1-101)semi-polar InGaN/GaN multiple quantum wells grown on patterned silicon substrates 査読有り

C.H. Chiu, D.W. Lin, C.C. Lin, Z.Y. Li, Y.C. Chen, S.C. Ling, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Cryst. Growth 318 巻 ( 1 ) 頁： 500-504 2011年5月

Effect of lateral vapor-phase diffusion during the selective growth of InGaN/GaN MQW on semi-polar and non-polar GaN stripes 査読有り

T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

phys. stat. sol. (a) 208 巻 ( 5 ) 頁： 1175-1178 2011年5月

Effect of lateral vapor-phase diffusion during the selective growth of InGaN/GaN MQW on semi-polar and non-polar GaN stripes 査読有り

T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

phys. stat. sol. (a) 208 巻 ( 5 ) 頁： 1175-1178 2011年5月

Spontaneous formation of highly regular superlattice structure in InGaN epilayers grown by molecular beam epitaxy 査読有り

Z. H. Wu, Y. Kawai, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, H. Kondo, M. Hori, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

Appl. Phys. Lett. 98 巻 ( 14 ) 頁： 141905 2011年4月

Semi-polar GaN LEDs on Si substrate 査読有り

N. Sawaki and Y. Honda

SCIENCE CHINA Technological Sciences 54 巻 ( 1 ) 頁： 38-41 2011年4月

Spontaneous formation of highly regular superlattice structure in InGaN epilayers grown by molecular beam epitaxy 査読有り

Z. H. Wu, Y. Kawai, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, H. Kondo, M. Hori, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano

Appl. Phys. Lett. 98 巻 ( 14 ) 頁： 141905 2011年4月

Spontaneous formation of highly regular superlattice structure in InGaN epilayers grown by molecular beam epitaxy 査読有り

Z. H. Wu, Y. Kawai, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, H. Kondo, M. Hori, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

Appl. Phys. Lett. 98 巻 ( 14 ) 頁： 141905 2011年4月

Semi-polar GaN LEDs on Si substrate 査読有り

N. Sawaki, Y. Honda

SCIENCE CHINA Technological Sciences 54 巻 ( 1 ) 頁： 38-41 2011年4月

Spontaneous formation of highly regular superlattice structure in InGaN epilayers grown by molecular beam epitaxy 査読有り

Z. H. Wu, Y. Kawai, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, H. Kondo, M. Hori, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

Appl. Phys. Lett. 98 巻 ( 14 ) 頁： 141905 2011年4月

Optical properties of (1-101)semi-polar InGaN/GaN multiple quantum wells grown on patterned silicon substrates 査読有り

C.H. Chiu, D.W. Lin, C.C. Lin, Z.Y. Li, Y.C. Chen, S.C. Ling, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Cryst. Growth 318 巻 ( 1 ) 頁： 500-504 2011年3月

Optical properties of (1-101)semi-polar InGaN/GaN multiple quantum wells grown on patterned silicon substrates 査読有り

C.H. Chiu, D.W. Lin, C.C. Lin, Z.Y. Li, Y.C. Chen, S.C. Ling, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Cryst. Growth 318 巻 ( 1 ) 頁： 500-504 2011年3月

Growth of semi-polar GaN-based light-emitting diodes grown on an patterned Si substrate 査読有り

C.H. Chiu, D.W. Lin, Z.Y. Li, S.C. Ling, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

SPIE 7939 巻頁： 79391X 2011年3月

Growth of semi-polar GaN-based light-emitting diodes grown on an patterned Si substrate 査読有り

C.H. Chiu, D.W. Lin, Z.Y. Li, S.C. Ling, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

SPIE 7939 巻頁： 79391X 2011年3月

Reduction of Efficiency Droop in Semipolar (1(1)over-bar01) InGaN/GaN Light Emitting Diodes Grown on Patterned Silicon Substrates (vol 4, 012105, 2011)

Chiu, CH; Lin, DW; Lin, CC; Li, ZY; Chang, WT; Hsu, HW; Kuo, HC; Lu, TC; Wang, SC; Liao, WT; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Sawaki, N

APPLIED PHYSICS EXPRESS 4 巻 ( 3 ) 2011年3月

Growth of semi-polar GaN-based light-emitting diodes grown on an patterned Si substrate 査読有り

C.H. Chiu, D.W. Lin, Z.Y. Li, S.C. Ling, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

SPIE 7939 巻頁： 79391X 2011年3月

Photonic properties of erbium doped InGaN alloys grown on Si (001) substrates 査読有り

I. W. Feng, X. K. Cao, J. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, N. Sawaki, Y. Honda, T. Tanikawa, J. M. Zavada

APPLIED PHYSICS LETTERS 98 巻 ( 8 ) 2011年2月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AMER INST PHYSICS

Erbium doped InGaN alloys (InGaN:Er) were grown on Si (001) substrates using metal organic chemical vapor deposition. The growth of epitaxial films was accomplished by depositing InGaN:Er on GaN templates deposited on 7.3 degrees off-oriented Si (001) substrates which were prepared by etching and subsequent selective area growth. X-ray diffraction measurements confirmed the formation of wurtzite InGaN (1 (1) over bar 01) epilayers, which exhibit strong photoluminescence emission at 1.54 mu m. The observed emission intensity at 1.54 mu m was comparable to that from similar alloys grown on GaN/AlN/Al(2)O(3) templates. These results indicate the high potential for on-chip integration of erbium based photonic devices with complementary metal oxide semiconductor technology. (C) 2011 American Institute of Physics. [doi:10.1063/1.3556678]

DOI： 10.1063/1.3556678

Reduction of Efficiency Droop in Semipolar (1101) InGaN/GaN Light Emitting Diodes Grown on Patterned Silicon Substrates

Chiu Ching-Hsueh, Lin Da-Wei, Lin Chien-Chung, LI Zhen-Yu, CHANG Wei-Ting, HSU Hung-Wen, KUO Hao-Chung, LU Tien-Chang, WANG Shing-Chung, LIAO Wei-Tsai, TANIKAWA Tomoyuki, HONDA Yoshio, YAMAGUCHI Masahito, SAWAKI Nobuhiko

Applied physics express 4 巻 ( 1 ) 頁： "012105 - 1"-"012105-3" 2011年1月

Semi-polar GaN LEDs on Si substrate 査読有り

N. Sawaki and Y. Honda

SCIENCE CHINA Technological Sciences 54 巻 ( 1 ) 頁： 38-41 2011年1月

Semi-polar GaN LEDs on Si substrate 査読有り

N. Sawaki, Y. Honda

SCIENCE CHINA Technological Sciences 54 巻 ( 1 ) 頁： 38-41 2011年1月

Reduction of Efficiency Droop in Semipolar (1-101) InGaN/GaN Light Emitting Diodes Grown on Patterned Silicon Substrates 査読有り

C.-H. Chiu, D.-W. Lin, C.-C. Lin, Z.-Y. Li, W.-T. Chang, H.-W. Hsu, H.-C. Kuo, T.-C. Lu, S.-C. Wang, W.-T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

Appl. Phys. Express 4 巻 ( 1 ) 頁： 01210_1-012105_3 2011年1月

Drastic Reduction of Dislocation Density in Semipolar (11-22) GaN Stripe Crystal on Si Substrate by Dual Selective Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

T. Murase, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki

Jpn. J. Appl. Phys. 50 巻 ( 1 ) 頁： 01AD04_1-01AD04_3 2011年1月

Drastic Reduction of Dislocation Density in Semipolar (11-22) GaN Stripe Crystal on Si Substrate by Dual Selective Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

T. Murase, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, N. Sawaki

Jpn. J. Appl. Phys. 50 巻 ( 1 ) 頁： 01AD04_1-01AD04_3 2011年1月

Reduction of Efficiency Droop in Semipolar (1-101) InGaN/GaN Light Emitting Diodes Grown on Patterned Silicon Substrates 査読有り

C.-H. Chiu, D.-W. Lin, C.-C. Lin, Z.-Y. Li, W.-T. Chang, H.-W. Hsu, H.-C. Kuo, T.-C. Lu, S.-C. Wang, W.-T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

Appl. Phys. Express 4 巻 ( 1 ) 頁： 01210_1-012105_3 2011年1月

Partial strain relaxation by stacking fault generation in InGaN multiple quantum wells grown on (11-01) semipolar GaN 査読有り

Z. H. Wu, T. Tanikawa, T. Murase, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki

Appl. Phys. Lett. 98 巻 ( 5 ) 頁： 051902_1-051902_3 2011年1月

Drastic Reduction of Dislocation Density in Semipolar (11-22) GaN Stripe Crystal on Si Substrate by Dual Selective Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

T. Murase, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki

Jpn. J. Appl. Phys. 50 巻 ( 1 ) 頁： 01AD04_1-01AD04_3 2011年1月

Partial strain relaxation by stacking fault generation in InGaN multiple quantum wells grown on (11-01) semipolar GaN 査読有り

Z. H. Wu, T. Tanikawa, T. Murase, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki

Appl. Phys. Lett. 98 巻 ( 5 ) 頁： 051902_1-051902_3 2011年1月

Reduction of Efficiency Droop in Semipolar (1-101) InGaN/GaN Light Emitting Diodes Grown on Patterned Silicon Substrates 査読有り

C.-H. Chiu, D.-W. Lin, C.-C. Lin, Z.-Y. Li, W.-T. Chang, H.-W. Hsu, H.-C. Kuo, T.-C. Lu, S.-C. Wang, W.-T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Appl. Phys. Express 4 巻 ( 1 ) 頁： 01210_1-012105_3 2011年1月

Partial strain relaxation by stacking fault generation in InGaN multiple quantum wells grown on (11-01) semipolar GaN 査読有り

Z. H. Wu, T. Tanikawa, T. Murase, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, N. Sawaki

Appl. Phys. Lett. 98 巻 ( 5 ) 頁： 051902_1-051902_3 2011年1月

Partial strain relaxation by stacking fault generation in InGaN multiple quantum wells grown on (11-01) semipolar GaN 査読有り

Z. H. Wu, T. Tanikawa, T. Murase, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, N. Sawaki

Appl. Phys. Lett. 98 巻 ( 5 ) 頁： 051902_1-051902_3 2011年1月

Drastic Reduction of Dislocation Density in Semipolar (11-22) GaN Stripe Crystal on Si Substrate by Dual Selective Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

T. Murase, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, N. Sawaki

Jpn. J. Appl. Phys. 50 巻 ( 1 ) 頁： 01AD04_1-01AD04_3 2011年1月

Drain bias stress and memory effects in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with p-GaN gate 査読有り

Sugiyama Takayuki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi, Oshimura Yoshinori, Iida Daisuke, Iwaya Motoaki, Akasaki Isamu

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 7-8 8 巻 ( 7-8 ) 2011年

Optical properties of (1-101) InGaN/GaN MQW stripe laser structure on Si substrate 査読有り

Murase Tasuku, Tanikawa Tomoyuki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 7-8 8 巻 ( 7-8 ) 2011年

Selective MOVPE growth of InGaN/GaN MQW on microfacet GaN stripes 査読有り

Tanikawa Tomoyuki, Murase Tasuku, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 7-8 8 巻 ( 7-8 ) 2011年

Reduction of Efficiency Droop in Semipolar (1-101) InGaN/GaN Light Emitting Diodes Grown on Patterned Silicon Substrates 査読有り

C.-H. Chiu, D.-W. Lin, C.-C. Lin, Z.-Y. Li, W.-T. Chang, H.-W. Hsu, H.-C. Kuo, T.-C. Lu, S.-C. Wang, W.-T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Appl. Phys. Express 4 巻 ( 1 ) 頁： 01210_1-012105_3 2011年

Growth of semi-polar GaN-based light-emitting diodes grown on an patterned Si substrate 査読有り

C.H. Chiu, D.W. Lin, Z.Y. Li, S.C. Ling, H.C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, W.T. Liao, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

SPIE 7939 巻頁： 79391X 2011年

IQE and EQE of the nitride-based UV/DUV LEDs 査読有り

H. Amano, G. J. Park, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, K. Ban, K. Nagata, K. Nonaka, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki

2011 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO) 2011年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：IEEE

Internal and external quantum efficiency and injection efficiency of nitride-based UV/DUV devices were investigated. Non radiative component in the photoluminescence and electroluminescence is found to be strongly correlated with the dislocation density.

Fabrication of InGaN/GaN stripe structure on (111)Si and stimulated emission under photo-excitation 査読有り

B.-J. Kim, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 7-8 42 巻 ( 10 ) 頁： 2575-2578 2010年10月

Fabrication of InGaN/GaN stripe structure on (111)Si and stimulated emission under photo-excitation 査読有り

B.-J. Kim, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

Physica E 42 巻 ( 10 ) 頁： 2575-2578 2010年10月

Fabrication of InGaN/GaN stripe structure on (111)Si and stimulated emission under photo-excitation 査読有り

B.-J. Kim, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Physica E 42 巻 ( 10 ) 頁： 2575-2578 2010年10月

Fabrication of InGaN/GaN stripe structure on (111)Si and stimulated emission under photo-excitation 査読有り

B.-J. Kim, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Physica E 42 巻 ( 10 ) 頁： 2575-2578 2010年10月

HVPE growth of a -plane GaN on a GaN template (110)Si substrate 査読有り

T. Tanikawa, N. Suzuki, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 7 巻 ( 7-8 ) 頁： 1760–1763 2010年7月

HVPE growth of a -plane GaN on a GaN template (110)Si substrate 査読有り

T. Tanikawa, N. Suzuki, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 7 巻 ( 7-8 ) 頁： 1760–1763 2010年7月

選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製査読有り

TANIKAWA Tomoyuki, HONDA Yoshio, YAMAGUCHI Masahito

IEICE technical report 109 巻 ( 422 ) 頁： 23 - 28 2010年2月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

We investigated the InGaN/GaN multiple quantum well(MQW)thickness and luminescence distribution on non c-plane GaN stripes. In the case of non-polar crystal, InGaN MQW at the edge region was thicker than the center region. On the other hand, we got uniform thickness on semi-polar crystals. We simulated the diffusion process in gas phase and estimated the diffusion length of chemical species on each facets. The estimated results suggested that the non-uniformity of thickness was attributed to the chemical source diffusion from vapor phase. While CL spectra showed broad InGaN peak, there were no difference between the center and edge region. We concluded that non-uniformity of thickness and/or composition might be caused from the vapor diffusion in the selective growth on three dimensional structure.

選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製査読有り

TANIKAWA Tomoyuki, HONDA Yoshio, YAMAGUCHI Masahito

IEICE technical report 109 巻 ( 423 ) 頁： 23 - 28 2010年2月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

We investigated the InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) thickness and luminescence distribution on non c-plane GaN stripes. In the case of non-polar crystal, InGaN MQW at the edge region was thicker than the center region. On the other hand, we got uniform thickness on semi-polar crystals. We simulated the diffusion process in gas phase and estimated the diffusion length of chemical species on each facets. The estimated results suggested that the non-uniformity of thickness was attributed to the chemical source diffusion from vapor phase. While CL spectra showed broad InGaN peak, there were no difference between the center and edge region. We concluded that non-uniformity of thickness and/or composition might be caused from the vapor diffusion in the selective growth on three dimensional structure.

HVPE growth of a-plane GaN on a GaN template (110)Si substrate 査読有り

Tanikawa Tomoyuki, Suzuki Noriyuki, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Sawaki Nobuhiko

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 7-8 7 巻 ( 7-8 ) 2010年

Selective growth and impurity incorporation in semipolar GaN grown on Si substrate 査読有り

N. Sawaki, Y. Honda, T. Hikosaka, S. Tanaka, M. Yamaguchi, N. Koide, K. Tomita

GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES V 7602 巻 2010年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING

Semipolar nitrogen terminated (1-101) GaN film was grown on a patterned (001) Si substrate using selective area metal organic vapor phase epitaxy. By using a high temperature grown AlN buffer layer upon oblique (111) Si facets on the substrate, we achieved a GaN crystal film with low dislocation density. Because the growth of GaN crystal was self-organized on the facets, we achieved two dimensional growth mode automatically, and the surface roughness was as small as 0.2nm. Incorporation of magnesium (Mg) and carbon (C) in the (1-101) GaN was studied extensively. It was found that the Mg doping efficiency is superior on (1-101) face to that on (0001) face. In case of C doping, a shallow acceptor level was generated in (1-101) face and p-type conduction was realized.

Percolation transport in an AlGaN/GaN heterostructure 招待有り査読有り

N. Sawaki, X. X. Han, Y. Honda, and M. Yamaguchi

Journal of Physics: Conference Series 193 巻頁： 012012_1-012012_4 2009年11月

Influence of a SiO2 Mask on the Growth of Semi-Polar (11-22) GaN on Patterned Si (311) Substrates 査読有り

M. Yang, H. S. Ahn, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Korean Phys. Soc. 54 巻 ( 6 ) 頁： 2363 2009年6月

Influence of a SiO2 Mask on the Growth of Semi-Polar (11-22) GaN on Patterned Si (311) Substrates 査読有り

M. Yang, H. S. Ahn, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Korean Phys. Soc. 54 巻 ( 6 ) 頁： 2363 2009年6月

*DAP emission band in a carbon doped (1-101)GaN grown on (001)Si substrate 査読有り

Y. Honda, T. Hikosaka, M. Yamaguchi, N. Sawaki, G. Pozina, F. Karlsson, V. Darakchieva, P. Paskov, and B. Monemar

phys. stat. sol. (c) 6 巻 ( S2 ) 頁： S772 2009年5月

*DAP emission band in a carbon doped (1-101)GaN grown on (001)Si substrate 査読有り

Y. Honda, T. Hikosaka, M. Yamaguchi, N. Sawaki, G. Pozina, F. Karlsson, V. Darakchieva, P. Paskov, B. Monemar

phys. stat. sol. (c) 6 巻 ( S2 ) 頁： S772 2009年5月

*Growth and properties of semi-polar GaN on a patterned silicon substrate 査読有り

N. Sawaki, T. Hikosaka, N. Koide, S. Tanaka, Y. Honda, and M. Yamaguchi

J. Cryst. Growth 311 巻 ( 10 ) 頁： 2867 2009年3月

Maskless selective growth of semi-polar (11-22) GaN on Si (311) substrate by metal organic vapor phase epitaxy 査読有り

M. Yang, H. S. Ahn, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Cryst. Growth 311 巻 ( 10 ) 頁： 2914 2009年3月

MOVPE growth and properties of GaN on (111)Si using an AlInN intermediate layer 査読有り

M. Irie, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Cryst. Growth 311 巻 ( 10 ) 頁： 2891 2009年3月

*Reduction of dislocations in a (11-22)GaN grown by selective MOVPE on (113)Si 査読有り

T. Tanikawa, Y. Kagohashi, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Cryst. Growth 311 巻 ( 10 ) 頁： 2879 2009年3月

*HVPE growth of semi-polar (11-22)GaN on GaN template (113)Si substrate 査読有り

N. Suzuki, T. Uchida, T. Tanikawa, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Cryst. Growth 311 巻 ( 10 ) 頁： 2875 2009年3月

*Growth and properties of semi-polar GaN on a patterned silicon substrate 査読有り

N. Sawaki, T. Hikosaka, N. Koide, S. Tanaka, Y. Honda, M. Yamaguchi

J. Cryst. Growth 311 巻 ( 10 ) 頁： 2867 - 2867 2009年3月

*Reduction of dislocations in a (11-22)GaN grown by selective MOVPE on (113)Si 査読有り

T. Tanikawa, Y. Kagohashi, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Cryst. Growth 311 巻 ( 10 ) 頁： 2879 2009年3月

*HVPE growth of semi-polar (11-22)GaN on GaN template (113)Si substrate 査読有り

N. Suzuki, T. Uchida, T. Tanikawa, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Cryst. Growth 311 巻 ( 10 ) 頁： 2875 2009年3月

Maskless selective growth of semi-polar (11-22) GaN on Si (311) substrate by metal organic vapor phase epitaxy 査読有り

M. Yang, H. S. Ahn, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Cryst. Growth 311 巻 ( 10 ) 頁： 2914 2009年3月

MOVPE growth and properties of GaN on (111)Si using an AlInN intermediate layer 査読有り

M. Irie, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Cryst. Growth 311 巻 ( 10 ) 頁： 2891 2009年3月

Scattering times in the two-dimensional electron gas of AlxGa1-xN/AlN/GaN heterostructures 査読有り

X.X. Han XX, T. Honda, T. Narita, M. Yamaguchi, N. Sawaki, T. Tanaka, Q.X. Guo, and M. Nishio

J. Phys. D 42 巻 ( 4 ) 頁： 045112-1 2009年1月

Scattering times in the two-dimensional electron gas of AlxGa1-xN/AlN/GaN heterostructures 査読有り

X.X. Han XX, T. Honda, T. Narita, M. Yamaguchi, N. Sawaki, T. Tanaka, Q.X. Guo, M. Nishio

J. Phys. D 42 巻 ( 4 ) 頁： 045112-1 2009年1月

DAP emission band in a carbon doped (1-101)GaN grown on (001)Si substrate 査読有り

Honda Yoshio, Hikosaka Toshiki, Yamaguchi Masahito, Sawaki Nobuhiko, Pozina Galia, Karlsson Fredrik, Darakchieva Vanya, Paskov Plamen, Monemar Bo

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2 6 巻頁： S772 - S775 2009年

Percolation transport in an AlGaN/GaN heterostructure 招待有り査読有り

N. Sawaki, X. X. Han, Y. Honda, M. Yamaguchi

Journal of Physics: Conference Series 193 巻頁： 012012_1-012012_4 2009年

Time-resolved spectroscopy in an undoped GaN (1-101) 査読有り

E.H. Kim, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 5 巻 ( 1 ) 頁： 367-369 2008年

Growth of semi-polar (11-22)GaN on a (113)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

T. Tanikawa, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 5 巻 ( 9 ) 頁： 2966-2968 2008年

*Fabrication and properties of semi-polar (1-101) and (11-22) InGaN/GaN light emitting diodes on patterned Si substrates 査読有り

T. Hikosaka, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 5 巻 ( 6 ) 頁： 2234?2237 2008年

Energy relaxation processes of photo-generated carriers in Mg doped (0001)GaN and (1-101)GaN 査読有り

J. Saida, E. H. Kim, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 5 巻 ( 6 ) 頁： 1746?1749 2008年

Time-resolved spectroscopy in an undoped GaN (1-101) 査読有り

E.H. Kim, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 5 巻 ( 1 ) 頁： 367-369 2008年

*Fabrication and properties of semi-polar (1-101) and (11-22) InGaN/GaN light emitting diodes on patterned Si substrates 査読有り

T. Hikosaka, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 5 巻 ( 6 ) 頁： 2234 - 2237 2008年

Energy relaxation processes of photo-generated carriers in Mg doped (0001)GaN and (1-101)GaN 査読有り

J. Saida, E. H. Kim, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 5 巻 ( 6 ) 頁： 1746 - 1749 2008年

Growth of semi-polar (11-22)GaN on a (113)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

T. Tanikawa, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 5 巻 ( 9 ) 頁： 2966-2968 2008年

Energy relaxation processes of photo-generated carriers in Mg doped (0001)GaN and (1-101)GaN 査読有り

J. Saida, E. H. Kim, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 5 巻 ( 6 ) 頁： 1746 - 1749 2008年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Energy relaxation processes of photo-generated excess carriers in Mg doped GaN epitaxial layers were investigated at room temperature, with photoluminescence intensity correlation method using femto-second pulse laser as the excitation source. The decay curve was well fitted by exponential decay with two time constants. The slow process of the order of 100 ps was attributed to the energy relaxation of electrons in the conduction band, while the fast process of the order of several pico-seconds was attributed to the capture process in the impurity band near the valence band. Little difference has been found out between the results for (0001)GaN and those for (1-101)GaN. © 2008 Wiley-VCH Verlag GmbH &amp
Co. KGaA.

DOI： 10.1002/pssc.200778620

Growth of non-polar (1 1 2̄ 0)GaN on a patterned (1 1 0)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

Tanikawa, T, Rudolph, D, Hikosaka, T, Honda, Y, Yamaguchi, M, Sawaki, N

J Cryst Growth 310 巻 ( 23 ) 頁： 4999 - 5002 2008年

Fabrication and properties of semi-polar (1-101) and (11-22) InGaN/GaN light emitting diodes on patterned Si substrates 査読有り

T. Hikosaka, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 5 巻 ( 6 ) 頁： 2234 - 2237 2008年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

InGaN/GaN light emitting diodes (LEDs) were fabricated on semi-polar (1-101) and (11-22) GaN templates which had been grown on patterned (001) and (113)Si substrates, respectively. The GaN templates were of 300 x 300 μm 2 discs formed by the coalescence of GaN stripes grown by selective MOVPE method. The n-type electrode was fabricated on the back surface of the Si substrate. The electroluminescence (EL) peaks were observed around 440 nm and 420 nm in (1-101) and (11-22) LEDs, respectively. The full width at half maximum (FWHM) of the peaks at 20 mA were 33 nm ((1-101) LED) and 21 nm ((11-22) LED). The emission peak was slightly blue-shifted at high drive currents, which was smaller than that of conventional c-plane LEDs. The turn-on voltage of the diodes was of the order of 3-4 V. © 2008 Wiley-VCH Verlag GmbH &amp
Co. KGaA.

DOI： 10.1002/pssc.200778642

Transport properties of the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures

Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長査読有り

中島由樹, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 107 巻 ( 252 ) 頁： 97 - 102 2007年10月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

選択MOVPE法により(111)Si基板上に作製された(0001)面と(1-101)面からなるGaN台形ストライプ構造上にInGaN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を試みた。InGaN混晶薄膜の膜厚は各々のファセット面上で一様でなく、顕著なリッジ成長が見られた。CLスペクトルから組成均一性を評価したところ、(0001)面上ではスペクトルの中央値(ピーク値)は面上で一様であったが、リッジ部でスペクトル半値幅が増加し組成揺らぎが増強されることが分かった。これらの結果は気相中あるいはファセット表面上での化学種の拡散現象だけでは説明できなかった。

Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長査読有り

中島由樹, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 107 巻 ( 253 ) 頁： 97 - 102 2007年10月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長査読有り

中島由樹, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 107 巻 ( 251 ) 頁： 97 - 102 2007年10月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE growth and cathodoluminescence properties of GAN microcrystal co-doped with Zn and Si 査読有り

Y. Honda, Y. Yanase, M. Tsuji, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Cryst. Growth 300 巻 ( 1 ) 頁： 110 - 113 2007年3月

Han, XX; Honda, Y; Narita, T; Yamaguchi, M; Sawaki, N

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 19 巻 ( 4 ) 頁： 046204 2007年1月

Fabrication of SAG-AlGaN/InGaN/AlGaN LEDs by mixed-source HVPE with multi-sliding boat system 査読有り

K. H. Kim, K. S. Jang, S. L. Hwang, H. S. Jeon, W. J. Choi, M. Yang, H. S. Ahn, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, and M. Koike

phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 1 ) 頁： 29?32 2007年

Acceptor Level due to Carbon in a (1?101)AlGaN 査読有り

N. Sawaki, N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, and M. Yamaguchi

AIP Conf. Proc. 893 巻頁： 281-282 2007年

Al doping in (1?101) GaN films grown on patterned (001) Si substrate 査読有り

T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Appl. Phys. 101 巻 ( 10 ) 頁： 103513-1-103513-5 2007年

MOVPE growth and cathodoluminescence properties of GAN microcrystal co-doped with Zn and Si 査読有り

Y. Honda, Y. Yanase, M. Tsuji, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Cryst. Growth 300 巻 ( 1 ) 頁： 110-113 2007年

Mg doping in (1-101)GaN grown on a 7o off-axis (001)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

T. Hikosaka, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Cryst. Growth 298 巻頁： 207-210 2007年

Transport properties of the two-dimensional electron gas in AlxGa1?xN/GaN heterostructures 査読有り

X. Han, Y. Honda, T. Narita, M. Yamaguchi and N. Sawaki

J. Phys.: Condens. Matter 19 巻 ( 4 ) 頁： 046204_1-046204_11 2007年

Characterization of AlGaN, Te-doped GaN and Mg-doped GaN grown by hydride vapor phase epitaxy 査読有り

K. S. Jang, K. H. Kim, S. L. Hwang, H. S. Jeon, H. S. Ahn, M. Yang, W. J. Choi, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, and M. Koike

phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 1 ) 頁： 133?136 2007年

Growth of InGaN layer on GaN templated Al2O3 (0001) and Si (111) substrates by mixed-source HVPE 査読有り

S. L. Hwang, K. S. Jang, K. H. Kim, H. S. Jeon, H. S. Ahn, M. Yang, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, and M. Koike

phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 1 ) 頁： 125?128 2007年

Time-resolved photoluminescence spectroscopy in a GaN/AlGaN SQW structure grown on a (111) Si substrate 査読有り

E.H. Kim, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 7 ) 頁： 2838-2841 2007年

Electron-Beam-Induced-Current Investigation of GaN/AlGaN/Si Heterostructures Using Scanning Transmission Electron Microscopy 査読有り

S. Tanaka, K. Aoyama, M. Ichihashi, S. Arai, Y. Honda, and N. Sawaki

J. Electron Microsc. 56 巻 ( 4 ) 頁： 141-144 2007年

Application of electron holography to the determination of contact potential difference in an AIGaN/AIN/Si heterostructure 査読有り

S. Tanaka, A. Naito, Y. Honda, N. Sawaki, and M. Ichihashi

J. Electron Microsc. 56 巻 ( 2 ) 頁： 37-42 2007年

Characterization of AlGaN/InGaN/AlGaN heterostructure with selective area growth of Te-doped AlGaN cladding layer grown by mixed-source HVPE 査読有り

K. S. Jang, K. H. Kim, S. L. Hwang, H. S. Jeon, M. Yang, H. S. Ahn, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, S. H. Jang, S. M. Lee, and M. Koike

phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 7 ) 頁： 2240-2243 2007年

Subband structure and transport properties of two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures 査読有り

X. Han, Y. Honda, T. Narita, M. Yamaguchi and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 7 ) 頁： 2334-2337 2007年

The surface diffusion of Ga species on an AlGaN facet structure in low pressure MOVPE 査読有り

T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 7 ) 頁： 2506-2509 2007年

Series resistance in a GaN/AlGaN/n-Si structure grown by MOVPE 査読有り

Y. Honda, S. Kato, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 7 ) 頁： 2740-2743 2007年

Time-resolved photoluminescence spectroscopy in a GaN/AlGaN SQW structure grown on a (111) Si substrate 査読有り

E.H. Kim, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 7 ) 頁： 2838-2841 2007年

Al doping in (1?101) GaN films grown on patterned (001) Si substrate 査読有り

T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Appl. Phys. 101 巻 ( 10 ) 頁： 103513-1-103513-5 2007年

Acceptor Level due to Carbon in a (1?101)AlGaN 査読有り

N. Sawaki, N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi

AIP Conf. Proc. 893 巻頁： 281 - + 2007年

Series resistance in a GaN/AlGaN/n-Si structure grown by MOVPE 査読有り

Y. Honda, S. Kato, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 7 ) 頁： 2740-2743 2007年

Subband structure and transport properties of two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures 査読有り

X. Han, Y. Honda, T. Narita, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 7 ) 頁： 2334-2337 2007年

The surface diffusion of Ga species on an AlGaN facet structure in low pressure MOVPE 査読有り

T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 7 ) 頁： 2506-2509 2007年

Application of electron holography to the determination of contact potential difference in an AIGaN/AIN/Si heterostructure 査読有り

S. Tanaka, A. Naito, Y. Honda, N. Sawaki, M. Ichihashi

J. Electron Microsc. 56 巻 ( 2 ) 頁： 37-42 2007年

Growth of InGaN layer on GaN templated Al2O3 (0001) and Si (111) substrates by mixed-source HVPE 査読有り

S. L. Hwang, K. S. Jang, K. H. Kim, H. S. Jeon, H. S. Ahn, M. Yang, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, M. Koike

phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 1 ) 頁： 125 - + 2007年

Fabrication of SAG-AlGaN/InGaN/AlGaN LEDs by mixed-source HVPE with multi-sliding boat system 査読有り

K. H. Kim, K. S. Jang, S. L. Hwang, H. S. Jeon, W. J. Choi, M. Yang, H. S. Ahn, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, M. Koike

phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 1 ) 頁： 29 - + 2007年

Electron-Beam-Induced-Current Investigation of GaN/AlGaN/Si Heterostructures Using Scanning Transmission Electron Microscopy 査読有り

S. Tanaka, K. Aoyama, M. Ichihashi, S. Arai, Y. Honda, N. Sawaki

J. Electron Microsc. 56 巻 ( 4 ) 頁： 141-144 2007年

Characterization of AlGaN/InGaN/AlGaN heterostructure with selective area growth of Te-doped AlGaN cladding layer grown by mixed-source HVPE 査読有り

K. S. Jang, K. H. Kim, S. L. Hwang, H. S. Jeon, M. Yang, H. S. Ahn, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, S. H. Jang, S. M. Lee, M. Koike

phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 7 ) 頁： 2240 - + 2007年

Characterization of AlGaN, Te-doped GaN and Mg-doped GaN grown by hydride vapor phase epitaxy 査読有り

K. S. Jang, K. H. Kim, S. L. Hwang, H. S. Jeon, H. S. Ahn, M. Yang, W. J. Choi, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, M. Koike

phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 1 ) 頁： 133 - + 2007年

Mg doping in (1-101)GaN grown on a 7o off-axis (001)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

T. Hikosaka, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Cryst. Growth 298 巻頁： 207-210 2007年

Growth and doping of AlGaN and electroluminescence of SAG-InGaN/AlGaN heterostructure by mixed-source HVPE 査読有り

K. H. Kim, H. S. Ahn, M. Yang, K. S. Jang, S. L. Hwang, W. J. Choi, C. R. Cho, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, and M. Koike

phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁： 1461?1465 2006年

Carbon Incorporation on (1-101) Facet of AlGaN in Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

Jpn. J. Appl. Phys. 45 巻 ( 10A ) 頁： 7655-7660 2006年

Series Resistance in n-GaN/AlN/n-Si Heterojunction Structure 査読有り

H. Kondo, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

Jpn. J. Appl. Phys. 45 巻 ( 5A ) 頁： 4015?4017 2006年

Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate 査読有り

E. H. Kim, T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁： 1992?1996 2006年

p-type conduction in a C-doped (1-101)GaN grown on a 7-degree-off oriented (001)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

T. Hikosaka, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁： 1425?1428 2006年

Cathodoluminescence properties of InGaN codoped with Zn and Si 査読有り

Y. Honda, Y. Yanase, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁： 1915?1918 2006年

The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN stripe structure in the selective MOVPE 査読有り

T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (b) 243 巻 ( 7 ) 頁： 1665?1668 2006年

The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN stripe structure in the selective MOVPE 査読有り

T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (b) 243 巻 ( 7 ) 頁： 1665?1668 - 1668 2006年

Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate 査読有り

E. H. Kim, T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁： 1992?1996 2006年

p-type conduction in a C-doped (1-101)GaN grown on a 7-degree-off oriented (001)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

T. Hikosaka, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁： 1425 - 1428 2006年

Series Resistance in n-GaN/AlN/n-Si Heterojunction Structure 査読有り

H. Kondo, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Jpn. J. Appl. Phys. 45 巻 ( 5A ) 頁： 4015?4017 2006年

Carbon Incorporation on (1-101) Facet of AlGaN in Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Jpn. J. Appl. Phys. 45 巻 ( 10A ) 頁： 7655-7660 2006年

Growth and doping of AlGaN and electroluminescence of SAG-InGaN/AlGaN heterostructure by mixed-source HVPE 査読有り

K. H. Kim, H. S. Ahn, M. Yang, K. S. Jang, S. L. Hwang, W. J. Choi, C. R. Cho, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, M. Koike

phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁： 1461 - 1465 2006年

Cathodoluminescence properties of InGaN codoped with Zn and Si 査読有り

Y. Honda, Y. Yanase, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁： 1915 - 1918 2006年

Incorporation of carbon on a (1-101) facet of GaN by MOVPE 査読有り

N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Cryst. Growth 284 巻 ( 3-4 ) 頁： 341 - 346 2005年11月

(001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

彦坂年輝, 小出典克, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 105 巻 ( 90 ) 頁： 69 - 74 2005年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

(001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

彦坂年輝, 小出典克, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 105 巻 ( 92 ) 頁： 69 - 74 2005年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

Characterization of AlGaN layer with high Al content grown by mixed-source HVPE 査読有り

H. S. Ahn, K. H. Kim, M. Yang, J. Y. Yi, H. J. Lee, J. H. Chang, H. S. Kim, S. W. Kim, S. C. Lee, Y Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (a) 202 巻 ( 6 ) 頁： 1048 - 1052 2005年5月

Growth of thick AlGaN by mixed-source hydride vapor phase epitaxy 査読有り

H.S. Ahn, K.H. Kim, M. Yang, J.Y. Yi, H.J. Lee, C.R. Cho, H.K. Cho, S.W. Kim, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Appl. Surf. Science 243 巻 ( 1-4 ) 頁： 178 - 182 2005年4月

Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE 査読有り

Y. Honda, M. Okano, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 2 巻 ( 7 ) 頁： 2125? 2128 2005年

Incorporation of carbon on a (1-101) facet of GaN by MOVPE 査読有り

N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Cryst. Growth 284 巻 ( 3-4 ) 頁： 341?346 2005年

Characterization of AlGaN layer with high Al content grown by mixed-source HVPE 査読有り

H. S. Ahn, K. H. Kim, M. Yang, J. Y. Yi, H. J. Lee, J. H. Chang, H. S. Kim, S. W. Kim, S. C. Lee, Y Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (a) 202 巻 ( 6 ) 頁： 1048?1052 2005年

Doping in GaN and AlGaN Grown by Mixed-Source Hydride Vapor Phase Epitaxy 査読有り

J. Y. Yi, Kyoung H. Kim, H. J. Lee, M.?Yang, H. S. Ahn, C. R. Cho, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

Inst. Phys. Conf. Ser. 184 巻頁： 373-376 2005年

Growth of AlGaN on Al2O3 substrates by Mixed-Source HVPE 査読有り

K. H. Kim, J. Y. Yi, H. J. Lee, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, C. R. Cho, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

Inst. Phys. Conf. Ser. 184 巻頁： 361-364 2005年

Effect of Si doping to the (1-101)GaN grown on a 7 degree off oriented (001)Si by selective MOVPE 査読有り

T. Hikosaka, Y. Honda, N. Koide, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

Inst. Phys. Conf. Ser. 184 巻頁： 251-254 2005年

Growth of thick AlGaN by mixed-source hydride vapor phase epitaxy 査読有り

H.S. Ahn, K.H. Kim, M. Yang, J.Y. Yi, H.J. Lee, C.R. Cho, H.K. Cho, S.W. Kim, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

Appl. Surf. Science 243 巻 ( 1-4 ) 頁： 178-182 2005年

Growth and optical properties of InGaN/GaN quantum well on a (1-101) facet 査読有り

T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 2 巻 ( 7 ) 頁： 2349?2352 2005年

Doping in GaN and AlGaN Grown by Mixed-Source Hydride Vapor Phase Epitaxy 査読有り

J. Y. Yi, Kyoung H. Kim, H. J. Lee, M.?Yang, H. S. Ahn, C. R. Cho, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Inst. Phys. Conf. Ser. 184 巻頁： 373-376 2005年

Growth of AlGaN on Al2O3 substrates by Mixed-Source HVPE 査読有り

K. H. Kim, J. Y. Yi, H. J. Lee, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, C. R. Cho, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Inst. Phys. Conf. Ser. 184 巻頁： 361 - 364 2005年

Effect of Si doping to the (1-101)GaN grown on a 7 degree off oriented (001)Si by selective MOVPE 査読有り

T. Hikosaka, Y. Honda, N. Koide, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Inst. Phys. Conf. Ser. 184 巻頁： 251 - 254 2005年

Growth and optical properties of InGaN/GaN quantum well on a (1-101) facet 査読有り

T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 2 巻 ( 7 ) 頁： 2349 - 2352 2005年

Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE 査読有り

Y. Honda, M. Okano, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 2 巻 ( 7 ) 頁： 2125 - 2128 2005年

Doping of GaN, AlGaN by mixed-source HVPE 査読有り

JY Yi, KH Kim, HJ Lee, M Yang, HS Ahn, CR Cho, SW Kim, Y Honda, M Yamaguchi, N Sawaki

COMPOUND SEMICONDUCTORS 2004, PROCEEDINGS 184 巻頁： 373 - 376 2005年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP PUBLISHING LTD

Mg doped GaN and AlGaN layers were grown by hydrid vapor phase epitaxy (HVPE). Metallic Ga mixed with Mg and (Mg, Al) were used as group III source materials for the growth of GaN:Mg and AlGaN:Mg, respectively. For the crystalline and elemental analysis, double X-ray diffraction (DXRD) and Auger electron spectroscopy (AES) measurements were performed. A luminescence peak at around 380 nm which might be from Mg related recombination center Could be observed in cathodoluminescence (CL) spectroscopy. We could also observed, by Hall effect measurement, effect of counter doping by Mg acceptor in GaN:Mg and AlGaN:Mg layers.

Metalorganic-hydride vapor phase epitaxy growth of GaN/AlN on Si substrates

H. J. Lee, K. H. Kim, J. Y. Yi, M. Yang, H. S. Ahn, J. H. Chang, H. S. Kim, S. N. Yi, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Journal of the Korean Physical Society 45 巻頁： S813 - S815 2004年12月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

High-quality GaN film with AlN buffer layer was successfully grown by using our newly designed metalorganic-hydride vapor-phase epitaxy (MO-HVPE) system. We performed the growth of AlN buffer layer on Si (111) substrates by the use of TMA and NH 3 at 935°C. GaN films were grown on AlN/Si (111) substrates by using metallic Ga, NH 3 and HCl as source materials at 1050&amp
C. The morphologies of the GaN and AlN buffer layers were characterized by scanning electron microscopy (SEM). For the optical characterization of the GaN/AlN/Si, photoluminescence (PL) and cathodoluminescence (CL) spectroscopy were carried out at room temperature.

MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製

Optical and electrical properties of (1-101)GaN grown on a 7[degree] off-axis (001)Si substrate 査読有り

T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Appl. Phys. Lett. 84 巻 ( 23 ) 頁： 4717 - 4719 2004年6月

本田善央, 中村剛, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 104 巻 ( 43 ) 頁： 17 - 22 2004年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

我々はこれまでに、シリコン基板上へMOVPE選択成長によりGaN/AlN六角錐構造を作製してきた。しかしながら、形状の均一性について問題があり、これは中間層として用いたAlN成長核の不均一が原因であった。AlNの成長時間を変化させ、GaN/AlN六角錐構造の均一性を評価したところ、AlN中間層膜厚の薄いところでは比較的均一なGaN/AlN六角錐構造が得られた。中間層の薄膜化は同時に、Si-GaN界面での電流-電圧特性を改善させることが可能であり、フィールドエミッタデバイス等の応用に極めて有効であると考えられる。

MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製

本田善央, 中村剛, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 104 巻 ( 41 ) 頁： 17 - 22 2004年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製

本田善央, 中村剛, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 104 巻 ( 39 ) 頁： 17 - 22 2004年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

Photocurrent spectroscopy of a (0001) GaN/AlGaN/(111)Si heterostructure 査読有り

Y. Kuroiwa, Y. Honda, N. Sawaki

Physica E 21 巻 ( 2-4 ) 頁： 787 - 792 2004年3月

Transmission electron microscopy study of an AlN nucleation layer for the growth of GaN on a 7-degree off-oriented (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

S. Tanaka, Y. Honda, N. Kameshiro, R. Iwasaki, N. Sawaki, T. Tanji, M. Ichihashi

J. Cryst. Growth 260 巻 ( 3-4 ) 頁： 360 - 365 2004年1月

Optical and electrical properties of (1-101)GaN grown on a 7[degree] off-axis (001)Si substrate 査読有り

T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

Appl. Phys. Lett. 84 巻 ( 23 ) 頁： 4717-4719 2004年

Photocurrent spectroscopy of a (0001) GaN/AlGaN/(111)Si heterostructure 査読有り

Y. Kuroiwa, Y. Honda, N. Sawaki

Physica E 21 巻 ( 2-4 ) 頁： 782-792 2004年

Growth of thick AlGaN by metalorganic-hydride vapor phase epitaxy 査読有り

K. H. Kim, J. Y. Yi, H. J. Lee, M. Yang, H. S. Ahn, C. R. Cho, S. W. Kim, S. C. Lee, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 1 巻 ( 10 ) 頁： 2474?2477 2004年

Fabrication and optical properties of GaN micro-prism array on an Si substrate 査読有り

A. Nishioka, Y. Honda, and N. Sawaki

Proc. of Int. Conf. on Electrical Engineering 2004 3-1 巻頁： 297-300 2004年

Optical spectra of GaN/InGaN/GaN MQW structure grown on a (1?101) GaN facet 査読有り

Eun-Hee Kim, Tetsuo Narita, Yoshio Honda, and Nobuhiko Sawaki

phys. stat. sol. (c) 1 巻 ( 10 ) 頁： 2512?2515 2004年

Transmission electron microscopy study of an AlN nucleation layer for the growth of GaN on a 7-degree off-oriented (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

S. Tanaka, Y. Honda, N. Kameshiro, R. Iwasaki, N. Sawaki, T. Tanji, and M. Ichihashi

J. Cryst. Growth 260 巻 ( 3-4 ) 頁： 360-365 2004年

Transport properties of the two-dimensional electron gas in AlxGa1?xN/GaN heterostructures 査読有り

X. Han, Y. Honda, T. Narita, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Phys.: Condens. Matter 19 巻 ( 4 ) 頁： 2297 - 2300 2004年

Fabrication and optical properties of GaN micro-prism array on an Si substrate 査読有り

A. Nishioka, Y. Honda, N. Sawaki

Proc. of Int. Conf. on Electrical Engineering 2004 3-1 巻頁： 297-300 2004年

Optical spectra of GaN/InGaN/GaN MQW structure grown on a (1?101) GaN facet 査読有り

Eun-Hee Kim, Tetsuo Narita, Yoshio Honda, Nobuhiko Sawaki

phys. stat. sol. (c) 1 巻 ( 10 ) 頁： 2512 - 2515 2004年

Growth of thick AlGaN by metalorganic-hydride vapor phase epitaxy 査読有り

K. H. Kim, J. Y. Yi, H. J. Lee, M. Yang, H. S. Ahn, C. R. Cho, S. W. Kim, S. C. Lee, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 1 巻 ( 10 ) 頁： 2474 - 2477 2004年

Infrared Reflectance in GaN/AlGaN Triangular Stripes Grown on Si(111) Substrates by MOVPE 査読有り

M. Mizushima, T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Kor. Phys. Soc. 42 巻 ( Supp. issue 2 ) 頁： S750 - S752 2003年2月

Photoluminescence Properties of a Self-Doped GaN Layer Grown on Si Substrate 査読有り

K. H. Kim, H. Kim, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, N. Kameshiro, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Kor. Phys. Soc. 42 巻 ( Supp. issue 2 ) 頁： S219 - S221 2003年2月

Optical Characteristics of the AlGaN/GaN/AlGaN Waveguide Grown on (111) Si Substrate 査読有り

H. Kim, K. H. Kim, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Kor. Phys. Soc. 42 巻頁： S622 - S624 2003年2月

The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN facet structure in the MOVPE growth 査読有り

T. Narita, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 0 巻 ( 7 ) 頁： 2154-2158 2003年

HVPE growth of a thick GaN layer on a GaN templated (111) Si substrate 査読有り

Y. Nishimura, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 0 巻 ( 7 ) 頁： 2506-2510 2003年

Optical Characteristics of the AlGaN/GaN/AlGaN Waveguide Grown on (111) Si Substrate 査読有り

H. Kim, K. H. Kim, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Kor. Phys. Soc. 42 巻頁： S622-S624 2003年

The compositional non-uniformity in an AlGaN capping layer of AlGaN/GaN pyramid grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

Y. Honda, M. Torikai, T. Nakamura, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 0 巻 ( 7 ) 頁： 2043-2046 2003年

Infrared Reflectance in GaN/AlGaN Triangular Stripes Grown on Si(111) Substrates by MOVPE 査読有り

M. Mizushima, T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Kor. Phys. Soc. 42 巻 ( Supp. issue 2 ) 頁： S750-S752 2003年

Photoluminescence Properties of a Self-Doped GaN Layer Grown on Si Substrate 査読有り

K. H. Kim, H. Kim, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, N. Kameshiro, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Kor. Phys. Soc. 42 巻 ( Supp. issue 2 ) 頁： S219-S221 2003年

HVPE growth of a thick GaN layer on a GaN templated (111) Si substrate 査読有り

Y. Nishimura, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 0 巻 ( 7 ) 頁： 2506 - 2510 2003年

The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN facet structure in the MOVPE growth 査読有り

T. Narita, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 0 巻 ( 7 ) 頁： 2154 - 2158 2003年

The compositional non-uniformity in an AlGaN capping layer of AlGaN/GaN pyramid grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

Y. Honda, M. Torikai, T. Nakamura, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 0 巻 ( 7 ) 頁： 2043 - 2046 2003年

The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN facet structure in the MOVPE growth 査読有り

Tetsuo Narita, Toshiki Hikosaka, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Nobuhiko Sawaki

Physica Status Solidi C: Conferences ( 7 ) 頁： 2154 - 2158 2003年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

The growth of a trapezoidal AlGaN/GaN heterostructure was attempted on a (111) Si substrate by selective area metal organic vapour phase epitaxy. On the trapezoidal sample we found that the manner of ridge growth is different in GaN growth from that in AlGaN growth. Analysing the thickness and composition with scanning electron microscopy (SEM), reflection electron microscopy (REM) and cathode luminescence (CL) spectroscopy, the diffusion length of Ga chemical species on the (0001) AlGaN surface was determined. © 2003 WILEY-VCH Verlag GmbH &amp
Co. KGaA.

DOI： 10.1002/pssc.200303511

Transmission Electron Microscopy Study of the Microstructure in Selective-Area-Grown GaN and an AlGaN/GaN Heterostructure on a 7-Degree Off-Oriented (001) Si Substrate 査読有り

Tanaka Shigeyasu, Honda Yoshio, Kameshiro Norifumi, IWASAKI Ryuta, SAWAKI Nobuhiko, TANJI Takayoshi

Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters 41 巻 ( 7 ) 頁： L846 - L848 2002年7月

Growth of (1-101) GaN on a 7-degree off-oriented (001) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

Y. Honda, N. Kameshiro, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Cryst. Growth 242 巻 ( 1-2 ) 頁： 82 - 86 2002年7月

Transmission electron microscopy study of the microstructure in selective-area-grown GaN and an AlGaN/GaN heterostructure on a 7-degree off-oriented (001) Si substrate 査読有り

S. Tanaka, Y. Honda, N. Kameshiro, R. Iwasaki, N. Sawaki, T. Tanji

Jpn. J. Appl. Phys. 41 巻 ( 7B ) 頁： L846 - L848 2002年7月

Growth of GaN crystal free from cracks on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

Y. Honda, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Cryst. Growth 242 巻 ( 1-2 ) 頁： 77 - 81 2002年7月

Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性査読有り

成田哲生, 加藤友将, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 102 巻 ( 114 ) 頁： 25 - 28 2002年6月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

選択有機金属気層エピタキシャル成長(MOVPE)法によりSi(111)基板上GaN台形ストライプ構造上とGaN/AlGaNヘテロ構造を作製し、光学的特性の評価を行った。ストライプ構造は(11^^-01)ファセットと(0001)面からなる。AlGaN混晶層の4.0KにおけるCLスペクトルには複数のDAP発光が観測された。その特性は混晶層の厚みによって変化し、ヘテロ界面の歪みが成長モードあるいは不純物の取り込みを変えていることを示唆した。

Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性査読有り

成田哲生, 加藤友将, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 102 巻 ( 117 ) 頁： 25 - 28 2002年6月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

選択有機金属気層エピタキシャル成長(MOVPE)法によりSi(111)基板上GaN台形ストライプ構造上とGaN/AlGaNヘテロ構造を作製し、光学的特性の評価を行った。ストライプ構造は(1101)ファセットと(0001)面からなる。AlGaN混晶層の4.0KにおけるCLスペクトルには複数のDAP発光が観測された。その特性は混晶層の厚みによって変化し、ヘテロ界面の歪みが成長モードあるいは不純物の取り込みを変えていることを示唆した。

Si基板上へのGaN/AlGaNピラミッド列のMOVPE成長査読有り

鳥飼正幸, 加藤友将, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 102 巻 ( 117 ) 頁： 21 - 24 2002年6月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

(111)Si基板上へのGaN/Al_xGa_1-xN六角錐ピラミッド列の選択MOVPE成長を行った。GaNピラミッド構造に混晶薄膜を堆積させたところ、Al_xGa_1-xNの組成はファセット上で異なり、ピラミッド構造の先端部分ではAl組成が高い傾向にあった。これは、ファセット上でのGaとAlの関する化学種の拡散長の差異によるものと解釈される。また堆積させる薄膜をAlNとした試料のC面における4.2KのCLスペクトルでは、波長218nmにAlNに起因すると考えられるピークが観測されたが、C面上には六角錐構造の幾何学的形状を反映するピット列が観測された。

Si基板上へのGaN/AlGaNピラミッド列のMOVPE成長査読有り

鳥飼正幸, 加藤友将, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 102 巻 ( 114 ) 頁： 21 - 24 2002年6月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

(111)Si基板上へのGaN/Al_xGa_<1-x>N六角錐ピラミッド列の選択MOVPE成長を行った。GaNピラミッド構造に混晶薄膜を堆積させたところ、Al_xGa_<1-x>Nの組成はファセット上で異なり、ピラミッド構造の先端部分ではAl組成が高い傾向にあった。これは、ファセット上でのGaとAlの関する化学種の拡散長の差異によるものと解釈される。また堆積させる薄膜をAlNとした試料のC面における4.2KのCLスペクトルでは、波長218nmにAlNに起因すると考えられるピークが観測されたが、C面上には六角錐構造の幾何学的形状を反映するピット列が観測された。

(001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長査読有り

亀代典史, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 102 巻 ( 78 ) 頁： 27 - 31 2002年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

GaNはSi(111)面上への結晶成長が可能であるが、熱膨張係数差によるクラック等の問題がある。この熱膨張係数差の問題は結晶軸を傾けることによって軽減することが可能である。本研究では、(001)Si 7°off基板上にストライプ窓を設け、異方性エッチングにより(111)ファセットを作製した後、MOVPE法により GaN選択成長を行った。その結果、平坦な(1-101)面が基板表面と平行となる六方晶GaNが得られた。また、界面の平担性がヘテロ構造の特性に大きな影響を及ぼす為、平坦なGaN(1-101)面上にヘテロ構造を作製することによって特性の向上が期待される。そこでGaN(1-101)面上にAlGaN/GaNヘテロ構造を作製し、光学的特性の評価を行った。

(001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長査読有り

亀代典史, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 102 巻 ( 76 ) 頁： 27 - 31 2002年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

(001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長査読有り

亀代典史, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 102 巻 ( 80 ) 頁： 27 - 31 2002年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

GaNはSi(111)面上への結晶成長が可能であるが、熱膨張係数差によるクラック等の問題がある。この熱膨張係数差の問題は結晶軸を傾けることによって軽減することが可能である。本研究では、(001)Si7° off基板上にストライプ窓を設け、異方性エッチングにより(111)ファセットを作製した後、MOVPE法によりGaN選択成長を行った。その結果、平坦な(1-101)面が基板表面と平行となる六方晶GaNが得られた。また、界面の平坦性がヘテロ構造の特性に大きな影響を及ぼす為、平坦なGaN(1-101)面上にヘテロ構造を作製することによって特性の向上が期待される。そこでGaN(1-101)面上にAlGaN/GaNヘテロ構造を作製し、光学的特性の評価を行った。

選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製査読有り

黒岩洋佑, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 102 巻 ( 78 ) 頁： 15 - 19 2002年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

格子型マスクパターンを用いた選択MOVPEにより(111)Si基板上へGaN単結晶の成長を行った。その結果、格子の端部ではリッジ成長が認められたが窓部にクラックフリーのGaNが作製可能であった。(0004)X線回折曲線の半値幅は388sec、77KにおけるPLのバンド端発光の半値幅は18.6meVと狭く、選択成長によりGaNの結晶性は大きく改善された。一方、GaN/A1GaN/Si界面のI-V特性は低抵抗のオーミック特性を示し、光電流スペクトルはA1GaN/Si界面付近にアモルファスSi層と思われる変成層が存在することを示唆していた。

選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製査読有り

黒岩洋佑, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 102 巻 ( 76 ) 頁： 15 - 19 2002年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製査読有り

黒岩洋佑, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 102 巻 ( 80 ) 頁： 15 - 19 2002年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

格子型マスクパターンを用いた選択MOVPEにより(111)Si基板上へGaN単結晶の成長を行った。その結果、格子の端部ではリッジ成長が認められたが窓部にクラックフリーのGaNが作製可能であった。(0004)X線回折曲線の半値幅は388sec、77KにおけるPLのバンド端発光の半値幅は18.6meVと狭く、選択成長によりGaNの結晶性は大きく改善された。一方、GaN/AlGaN/Si界面のI-V特性は低抵抗のオーミック特性を示し、光電流スペクトルはAlGaN/Si界面付近にアモルファスSi層と思われる変成層が存在することを示唆していた。

Fabrication of GaN/AlGaN heterostructures on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Cryst. Growth 237 巻 ( 2 ) 頁： 1099 - 1103 2002年4月

Growth of GaN free from cracks on a (111) Si substrate by selective metalorganic vapor-phase epitaxy 査読有り

Y. Honda, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Appl. Phys. Lett 80 巻 ( 2 ) 頁： 222 - 224 2002年1月

Growth of GaN free from cracks on a (111) Si substrate by selective metalorganic vapor-phase epitaxy 査読有り

Y. Honda, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

Appl. Phys. Lett 80 巻 ( 2 ) 頁： 222-224 2002年

Transmission electron microscopy study of the microstructure in selective-area-grown GaN and an AlGaN/GaN heterostructure on a 7-degree off-oriented (001) Si substrate 査読有り

S. Tanaka, Y. Honda, N. Kameshiro, R. Iwasaki, N. Sawaki, and T. Tanji

Jpn. J. Appl. Phys. 41 巻 ( 7B ) 頁： L846-L848 2002年

HVPE Growth of GaN on a GaN Templated (111) Si Substrate 査読有り

Y. Honda, T. Ishikawa, Y. Nishimura, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 0 巻 ( 1 ) 頁： 107-111 2002年

Fabrication of GaN/AlGaN MQW on (1-101) facet of wurtzite GaN grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Inst. Phys. Conf. Ser. 170 巻頁： 789-794 2002年

Growth of (1-101) GaN on a 7-degree off-oriented (001) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

Y. Honda, N. Kameshiro, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Cryst. Growth 242 巻 ( 1-2 ) 頁： 82-86 2002年

Growth of GaN crystal free from cracks on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

Y. Honda, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Cryst. Growth 242 巻 ( 1-2 ) 頁： 77-81 2002年

Fabrication of GaN/AlGaN heterostructures on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Cryst. Growth 237-239 巻 ( 2 ) 頁： 1099-1103 2002年

Transmission Electron Microscopy Study of the Microstructure in Selective-Area-Grown GaN and an AlGaN/GaN Heterostructure on a 7-Degree Off-Oriented (001) Si Substrate. 査読有り

Tanaka Shigeyasu, Honda Yoshio, Kameshiro Norifumi, Iwasaki Ryuta, Sawaki Nobuhiko, Tanji Takayoshi

Japanese Journal of Applied Physics 41 巻 ( 7 ) 頁： L846 - L848 2002年

Fabrication of GaN/AlGaN MQW on (1-101) facet of wurtzite GaN grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Inst. Phys. Conf. Ser. 170 巻 ( 170 ) 頁： 789 - 794 2002年

HVPE Growth of GaN on a GaN Templated (111) Si Substrate 査読有り

Y. Honda, T. Ishikawa, Y. Nishimura, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 0 巻 ( 1 ) 頁： 107 - 111 2002年

Selective area growth of GaN microstructures on petterned (111) and (001) Si substrate 査読有り

Y. Honda, Y. Kawaguchi, Y. Ohtake, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Cryst. Growth 230 巻 ( 3-4 ) 頁： 346 - 350 2001年9月

Structural characterization of GaN laterally overgrown on a (111)Si substrate 査読有り

S. Tanaka, Y. Honda, N. Sawaki, M. Hibino

Appl. Phys. Lett 79 巻 ( 7 ) 頁： 955 - 957 2001年8月

Selective growth of GaN/AlGaN microstructures by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

T. Kato, Y. Honda, Y. Kawaguchi, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Jpn. J. Appl. Phys. 40 巻 ( 3B ) 頁： 1896 - 1898 2001年3月

選択成長法によるシリコン基板上へのGaNドット列の作製査読有り

山口雅史, 本田善央, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 100 巻 ( 643 ) 頁： 25 - 30 2001年2月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

(111)Si基板上に電子線露光法によって直径250nm以下の大きさの円形窓列(周期350nm)を有するシリコン酸化膜を作製し, これをマスクとして, 有機金属気相成長(MOVPE)法によってGaNの選択成長を行った.窓部には, 底面の差し渡しが250nm程度の六角錐GaNドット列が得られた.六角錘GaNドットの頂上には極めて平坦なc面が得られ, その大きさは50nmとなった.サファイア基板上への成長した六角錐GaNドットに比べて, ファセットの形状が鮮明で, 光学的性質にも比較的優れ, GaN量子ドット列を得るのにSi基板上に作製した方がより都合がいいことが分かった.

Selective growth of GaN/AlGaN microstructures by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

T. Kato, Y. Honda, Y. Kawaguchi, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

Jpn. J. Appl. Phys. 40 巻 ( 3B ) 頁： 1896-1898 2001年

Structural characterization of GaN laterally overgrown on a (111)Si substrate 査読有り

S. Tanaka, Y. Honda, N. Sawaki, and M. Hibino

Appl. Phys. Lett 79 巻 ( 7 ) 頁： 955-957 2001年

Selective area growth of GaN microstructures on petterned (111) and (001) Si substrate 査読有り

Y. Honda, Y. Kawaguchi, Y. Ohtake, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Cryst. Growth 230 巻 ( 3-4 ) 頁： 346-350 2001年

MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六方晶GaN微細構造の作製と制御査読有り

本田善央, 大竹洋一, 川口靖利, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 99 巻 ( 616 ) 頁： 21 - 28 2000年2月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE選択成長法(SAG)によるシリコン基板上への六方晶GaNのストライプ構造、埋め込み構造、並びに六角錐ピラミッドの作製について述べた。(1-101)ファセットとC面で囲まれたこれらの結晶の品質は一面成長によるものより良質であること、GaN量子細線や量子ドットをSi基板上に形成することができることを明らかにした。高品質の結晶を得るためには成長初期の成長核の形成過程、すなわち、異種材料上へのヘテロエピタキシにおける緩衝層の形成条件を整えることが重要であることを示した。

Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE 査読有り

Y. Honda, Y. Kawaguchi, T. Kato, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

IPAP Conf. Series 1 巻頁： 304-307 2000年

Selective growth of GaN microstructures on (111) facets of a (001)Si substrate by MOVPE 査読有り

Y. Honda, Y. Kawaguchi, T. Kato, M. Yamaguchi, N. Sawaki

IPAP Conf. Series 1 巻頁： 302 - 307 2000年

Selective Area Growth of GaN on Stripe-Patterned (111)Si Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 査読有り

Y. Kawaguchi, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, K. Hiramatsu

Phys. Stat. Sol. (a) 176 巻 ( 1 ) 頁： 557 - 560 1999年11月

Crystal orientation fluctuation of epitaxial-lateral-overgrown GaN with W mask and SiO2 mask observed by transmission electron diffraction and X-ray rocking curves 査読有り

Y Honda, Y Iyechika, T Maeda, H Miyake, K Hiramatsu, H Sone, N Sawaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 38 巻 ( 11B ) 頁： L1299 - L1302 1999年11月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：JAPAN J APPLIED PHYSICS

Fluctuation of the crystal orientation of epitaxial-lateral-overgrown (ELO) GaN with a tungsten (W) mask is compared to that with a SiO2 mask by means of selected-area transmission electron diffraction (TED) and X-ray rocking curves (XRCs). XRCs of (0004) reflection exhibited three peaks for ELO-GaN on a SiO2 mask, and were confirmed to originate from domains of different c-axis orientation by TED. On the other hand, fluctuation of the c-axis was not observed for ELO-GaN with a W mask. These results indicate that the crystalline quality of ELO-GaN with a W mask is better than that with a SiO2 mask.