論文 - 本田 善央
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Growth of InGaN/GaN multiple quantum wells on size-controllable nanopyramid arrays 査読有り 国際誌
Miao, C; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 巻 ( 3 ) 2014年3月
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Novel activation process for Mg-implanted GaN 査読有り 国際誌
Hashimoto, S; Nakamura, T; Honda, Y; Amano, H
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 388 巻 頁： 112 - 115 2014年2月
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Son, JS; Honda, Y; Amano, H
OPTICS EXPRESS 22 巻 ( 3 ) 頁： 3585 - 3592 2014年2月
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Reduction of efficiency droop in InGaN light-emitting diodes on low dislocation density GaN substrate 査読有り
頁： 90030E-90030E-6 2014年
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Characterization of nonpolar a-plane InGaN/GaN multiple quantum well using double nanopillar SiO2 mask 査読有り
53 巻 ( 5S1 ) 頁： 05FL01 2014年
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Growth of low-defect-density nonpolar a-plane GaN on r-plane sapphire using pulse NH< sub> 3</sub> interrupted etching 査読有り
22 巻 ( 3 ) 頁： 3585-3592 2014年
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Enhancement of light output power on GaN-based light-emitting diodes using two-direction stripe-patterned sapphire substrate 査読有り
11 巻 ( 3‐4 ) 頁： 722-725 2014年
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Growth of InGaN/GaN multiple quantum wells on size-controllable nanopyramid arrays 査読有り
53 巻 ( 3 ) 頁： 30306 2014年
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Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique 査読有り
16 巻 ( 11 ) 頁： 2273-2282 2014年
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X-ray investigations of GaInN single quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
11 巻 ( 3‐4 ) 頁： 393-396 2014年
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In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り
115 巻 ( 9 ) 頁： 94906 2014年
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Novel activation process for Mg-implanted GaN 査読有り
388 巻 頁： 112-115 2014年
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Recombination dynamics and internal quantum efficiency in InGaN nanowires 査読有り
11 巻 ( 3-4 ) 頁： 652 - 655 2014年
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X-ray investigations of GaInN single quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
11 巻 ( 3-4 ) 頁： 393 - 396 2014年
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Enhancement of light output power on GaN-based light-emitting diodes using two-direction stripe-patterned sapphire substrate 査読有り 国際誌
11 巻 ( 3-4 ) 頁： 722 - 725 2014年
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Yamashita, K; Sugiyama, T; Iwai, M; Honda, Y; Yoshino, T; Amano, H
LIGHT-EMITTING DIODES: MATERIALS, DEVICES, AND APPLICATIONS FOR SOLID STATE LIGHTING XVIII 9003 巻 2014年
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Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique 査読有り 国際誌
Jung, BO; Bae, SY; Kato, Y; Imura, M; Lee, DS; Honda, Y; Amano, H
CRYSTENGCOMM 16 巻 ( 11 ) 頁： 2273 - 2282 2014年
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X-ray investigations of GaInN single quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
Ju, Guangxu, Kato, Yoshihiro, Honda, Yoshio, Tabuchi, Masao, Takeda, Yoshikazu, Amano, Hiroshi
physica status solidi (c) 11 巻 ( 3‐4 ) 頁： 393-396 2014年
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Reduction of efficiency droop in InGaN light-emitting diodes on low dislocation density GaN substrate 査読有り
Yamashita, Kouhei, Sugiyama, Tomohiko, Iwai, Makoto, Honda, Yoshio, Yoshino, Takashi, Amano, Hiroshi
SPIE OPTO 頁： 90030E-90030E-6 2014年
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Characterization of nonpolar a-plane InGaN/GaN multiple quantum well using double nanopillar SiO2 mask 査読有り
Son, Ji-Su, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi
Japanese Journal of Applied Physics 53 巻 ( 5S1 ) 頁： 05FL01 2014年