研究者詳細 - 本田　善央

論文 - 本田　善央

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亀代典史, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 102 巻 ( 76 ) 頁： 27 - 31 2002年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

GaNはSi(111)面上への結晶成長が可能であるが、熱膨張係数差によるクラック等の問題がある。この熱膨張係数差の問題は結晶軸を傾けることによって軽減することが可能である。本研究では、(001)Si 7°off基板上にストライプ窓を設け、異方性エッチングにより(111)ファセットを作製した後、MOVPE法により GaN選択成長を行った。その結果、平坦な(1-101)面が基板表面と平行となる六方晶GaNが得られた。また、界面の平担性がヘテロ構造の特性に大きな影響を及ぼす為、平坦なGaN(1-101)面上にヘテロ構造を作製することによって特性の向上が期待される。そこでGaN(1-101)面上にAlGaN/GaNヘテロ構造を作製し、光学的特性の評価を行った。

(001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長査読有り

亀代典史, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 102 巻 ( 80 ) 頁： 27 - 31 2002年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

GaNはSi(111)面上への結晶成長が可能であるが、熱膨張係数差によるクラック等の問題がある。この熱膨張係数差の問題は結晶軸を傾けることによって軽減することが可能である。本研究では、(001)Si7° off基板上にストライプ窓を設け、異方性エッチングにより(111)ファセットを作製した後、MOVPE法によりGaN選択成長を行った。その結果、平坦な(1-101)面が基板表面と平行となる六方晶GaNが得られた。また、界面の平坦性がヘテロ構造の特性に大きな影響を及ぼす為、平坦なGaN(1-101)面上にヘテロ構造を作製することによって特性の向上が期待される。そこでGaN(1-101)面上にAlGaN/GaNヘテロ構造を作製し、光学的特性の評価を行った。

選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製査読有り

黒岩洋佑, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 102 巻 ( 78 ) 頁： 15 - 19 2002年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

格子型マスクパターンを用いた選択MOVPEにより(111)Si基板上へGaN単結晶の成長を行った。その結果、格子の端部ではリッジ成長が認められたが窓部にクラックフリーのGaNが作製可能であった。(0004)X線回折曲線の半値幅は388sec、77KにおけるPLのバンド端発光の半値幅は18.6meVと狭く、選択成長によりGaNの結晶性は大きく改善された。一方、GaN/A1GaN/Si界面のI-V特性は低抵抗のオーミック特性を示し、光電流スペクトルはA1GaN/Si界面付近にアモルファスSi層と思われる変成層が存在することを示唆していた。

選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製査読有り

黒岩洋佑, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 102 巻 ( 76 ) 頁： 15 - 19 2002年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製査読有り

黒岩洋佑, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 102 巻 ( 80 ) 頁： 15 - 19 2002年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

格子型マスクパターンを用いた選択MOVPEにより(111)Si基板上へGaN単結晶の成長を行った。その結果、格子の端部ではリッジ成長が認められたが窓部にクラックフリーのGaNが作製可能であった。(0004)X線回折曲線の半値幅は388sec、77KにおけるPLのバンド端発光の半値幅は18.6meVと狭く、選択成長によりGaNの結晶性は大きく改善された。一方、GaN/AlGaN/Si界面のI-V特性は低抵抗のオーミック特性を示し、光電流スペクトルはAlGaN/Si界面付近にアモルファスSi層と思われる変成層が存在することを示唆していた。

Fabrication of GaN/AlGaN heterostructures on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Cryst. Growth 237 巻 ( 2 ) 頁： 1099 - 1103 2002年4月

Growth of GaN free from cracks on a (111) Si substrate by selective metalorganic vapor-phase epitaxy 査読有り

Y. Honda, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Appl. Phys. Lett 80 巻 ( 2 ) 頁： 222 - 224 2002年1月

Growth of GaN free from cracks on a (111) Si substrate by selective metalorganic vapor-phase epitaxy 査読有り

Y. Honda, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

Appl. Phys. Lett 80 巻 ( 2 ) 頁： 222-224 2002年

Transmission electron microscopy study of the microstructure in selective-area-grown GaN and an AlGaN/GaN heterostructure on a 7-degree off-oriented (001) Si substrate 査読有り

S. Tanaka, Y. Honda, N. Kameshiro, R. Iwasaki, N. Sawaki, and T. Tanji

Jpn. J. Appl. Phys. 41 巻 ( 7B ) 頁： L846-L848 2002年

HVPE Growth of GaN on a GaN Templated (111) Si Substrate 査読有り

Y. Honda, T. Ishikawa, Y. Nishimura, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 0 巻 ( 1 ) 頁： 107-111 2002年

Fabrication of GaN/AlGaN MQW on (1-101) facet of wurtzite GaN grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Inst. Phys. Conf. Ser. 170 巻頁： 789-794 2002年

Growth of (1-101) GaN on a 7-degree off-oriented (001) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

Y. Honda, N. Kameshiro, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Cryst. Growth 242 巻 ( 1-2 ) 頁： 82-86 2002年

Growth of GaN crystal free from cracks on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

Y. Honda, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Cryst. Growth 242 巻 ( 1-2 ) 頁： 77-81 2002年

Fabrication of GaN/AlGaN heterostructures on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Cryst. Growth 237-239 巻 ( 2 ) 頁： 1099-1103 2002年

Transmission Electron Microscopy Study of the Microstructure in Selective-Area-Grown GaN and an AlGaN/GaN Heterostructure on a 7-Degree Off-Oriented (001) Si Substrate. 査読有り

Tanaka Shigeyasu, Honda Yoshio, Kameshiro Norifumi, Iwasaki Ryuta, Sawaki Nobuhiko, Tanji Takayoshi

Japanese Journal of Applied Physics 41 巻 ( 7 ) 頁： L846 - L848 2002年

Fabrication of GaN/AlGaN MQW on (1-101) facet of wurtzite GaN grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Inst. Phys. Conf. Ser. 170 巻 ( 170 ) 頁： 789 - 794 2002年

HVPE Growth of GaN on a GaN Templated (111) Si Substrate 査読有り

Y. Honda, T. Ishikawa, Y. Nishimura, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 0 巻 ( 1 ) 頁： 107 - 111 2002年

Selective area growth of GaN microstructures on petterned (111) and (001) Si substrate 査読有り

Y. Honda, Y. Kawaguchi, Y. Ohtake, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Cryst. Growth 230 巻 ( 3-4 ) 頁： 346 - 350 2001年9月

Structural characterization of GaN laterally overgrown on a (111)Si substrate 査読有り

S. Tanaka, Y. Honda, N. Sawaki, M. Hibino

Appl. Phys. Lett 79 巻 ( 7 ) 頁： 955 - 957 2001年8月

Selective growth of GaN/AlGaN microstructures by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

T. Kato, Y. Honda, Y. Kawaguchi, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Jpn. J. Appl. Phys. 40 巻 ( 3B ) 頁： 1896 - 1898 2001年3月

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<本田 善央>

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