論文 - 本田 善央
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Characteristics of< i> a</i>-plane GaN films grown on optimized silicon-dioxide-patterned< i> r</i>-plane sapphire substrates 査読有り
Son, Ji-Su, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi, Baik, Kwang Hyeon, Seo, Yong Gon, Hwang, Sung-Min
Thin Solid Films 546 巻 頁： 108-113 2013年
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High internal quantum efficiency blue-green light-emitting diode with small efficiency droop fabricated on low dislocation density GaN substrate 査読有り
Sano, Tomotaka, Doi, Tomohiro, Inada, Shunko Albano, Sugiyama, Tomohiko, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi, Yoshino, Takashi
Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JK09 2013年
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Growth of GaN on Si (111) Substrates via a Reactive-Sputter-Deposited AlN Intermediate Layer 査読有り
Yamada, Takaya, Tanikawa, Tomoyuki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi
Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB16 2013年
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Growth mode and threading dislocation behavior of GaN films grown on patterned sapphire substrate with radial stripe pattern 査読有り
Okuno, Koji, Oshio, Takahide, Shibata, Naoki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi
Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JB09 2013年
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GaN Nanowires Grown on a Graphite Substrate by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy 査読有り
Nakagawa, Shinta, Tabata, Takuya, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi
Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JE07 2013年
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Fabrication of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on (1bar 101) GaN 査読有り
Tanikawa, Tomoyuki, Sano, Tomotaka, Kushimoto, Maki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi
Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JC05 2013年
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Effects of nano-and microscale SiO2 masks on the growth of a-plane GaN layers on r-plane sapphire 査読有り
Son, Ji-Su, Miao, Cao, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi, Seo, Yong Gon, Hwang, Sung-Min, Baik, Kwang Hyeon
Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁： 08JC04 2013年
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Effects of exciton localization on internal quantum efficiency of InGaN nanowires 査読有り
Murotani, Hideaki, Yamada, Yoichi, Tabata, Takuya, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi
Journal of Applied Physics 114 巻 ( 15 ) 頁： 153506 2013年
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Defects generation and annihilation in GaN grown on patterned silicon substrate
Sawaki, N, Ito, S, Nakagita, T, Iwata, H, Tanikawa, T, Irie, M, Honda, Y, Yamaguchi, M, Amano, H
SPIE OPTO 8625 巻 頁： 86250K-86250K-6 2013年
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Effects of low energy e-beam irradiation on cathodoluminescence from GaN 査読有り
S. Suihkonen, H. Nykänen, T. Tanikawa, M. Yamaguchi, Y. Honda, and H. Amano
phys. stat. sol. (a) 210 巻 ( 2 ) 頁： 383-385 2012年12月
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Effects of low energy e-beam irradiation on cathodoluminescence from GaN 査読有り
S. Suihkonen, H. Nykänen, T. Tanikawa, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano
phys. stat. sol. (a) 210 巻 ( 2 ) 頁： 383-385 2012年12月
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InGaNナノワイヤの内部量子効率に対する積層欠陥の影響
室谷 英彰, 安藤 浩哉, 塚本 武彦, 杉浦 藤虎, 山田 陽一, 田畑 拓也, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2012.2 巻 頁： 3246 - 3246 2012年8月
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Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性
久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 112 巻 ( 32 ) 頁： 15 - 18 2012年5月
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Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性
久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩
電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 112 巻 ( 33 ) 頁： 15 - 18 2012年5月
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Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性
久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112 巻 ( 34 ) 頁： 15 - 18 2012年5月
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Strain relaxation in thick (1-101)InGaN grown on GaN/Si substrate 査読有り
T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki
phys. stat. sol. (b) 249 巻 ( 3 ) 頁： 468–471 2012年3月
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Strain relaxation in thick (1-101)InGaN grown on GaN/Si substrate 査読有り
T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, N. Sawaki
phys. stat. sol. (b) 249 巻 ( 3 ) 頁： 468–471 2012年3月
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Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE 査読有り
T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
phys. stat. sol. (c) 9 巻 ( 3-4 ) 頁： 646–649 2012年3月
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Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE 査読有り
T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano
phys. stat. sol. (c) 9 巻 ( 3-4 ) 頁： 646–649 2012年3月
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Small current collapse in AlGaN/GaN HFETs on a-plane GaN self-standing substrate 査読有り
T. Sugiyama, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, Y. Isobe, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Imade, Y. Kitaoka, and Y. Mori
phys. stat. sol. (c) 9 巻 ( 3-4 ) 頁： 875–878 2012年3月