論文 - 本田 善央
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Controlling the orientations of directional sputtered non- and semi-polar GaN/AlN layers 査読有り
Nan, H; Dinh, DV; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 巻 2019年6月
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Nagasawa, Y; Kojima, K; Hirano, A; Ipponmatsu, M; Honda, Y; Amano, H; Akasaki, I; Chichibu, SF
APPLIED PHYSICS EXPRESS 12 巻 ( 6 ) 2019年6月
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Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation (vol 508, pg 58, 2019) 査読有り
Liu, ZB; Nitta, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Sitar, Z; Amano, H
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 514 巻 頁： 13 - 13 2019年5月
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Nagamatsu, K; Ando, Y; Kono, T; Cheong, H; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 512 巻 頁： 78 - 83 2019年4月
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Yamada Jumpei, Usami Shigeyoshi, Ueda Yuki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Maruyama Takahiro, Naritsuka Shigeya
Jpn. J. Appl. Phys. 58 巻 ( 4 ) 2019年3月
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Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
Liu, ZB; Nitta, S; Usami, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 509 巻 頁： 50 - 53 2019年3月
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Fully Ion Implanted Normally-Off GaN DMOSFETs with ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Gate Dielectrics 査読有り
Yoshino, M; Ando, Y; Deki, M; Toyabe, T; Kuriyama, K; Honda, Y; Nishimura, T; Amano, H; Kachi, T; Nakamura, T
MATERIALS 12 巻 ( 5 ) 2019年3月
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窒素暴露した半導体フォトカソードの加熱処理に伴う表面機能変化
佐藤 大樹, 西谷 智博, 本田 善央, 天野 浩
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 巻 頁： 1474 - 1474 2019年2月
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Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation 査読有り
Liu, ZB; Nitta, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 508 巻 頁： 58 - 65 2019年2月
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How to obtain metal-polar untwinned high-quality (10-13) GaN on m-plane sapphire 査読有り
Hu, N; Dinh, DV; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 507 巻 頁： 205 - 208 2019年2月
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Vertical GaN p-n diode with deeply etched mesa and the capability of avalanche breakdown 査読有り
Fukushima, H; Usami, S; Ogura, M; Ando, Y; Tanaka, A; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H
APPLIED PHYSICS EXPRESS 12 巻 ( 2 ) 2019年2月
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Carrier localization structure combined with current micropaths in AlGaN quantum wells grown on an AIN template with macrosteps 査読有り
Kojima K, Nagasawa Y, Hirano A, Ippommatsu M, Honda Y, Amano H, Akasaki I, Chichibu S. F
APPLIED PHYSICS LETTERS 114 巻 ( 1 ) 2019年1月
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高感度電子線ホログラフィーによるGaN系半導体のドーパント濃度分布の観察 査読有り
仲野 靖孝, 本田 善央, 天野 浩, 松本 実子, 穴田 智史, 山本 和生, 石川 由加里, 平山 司, 安藤 悠人, 小倉 昌也, 田中 敦之
まてりあ 58 巻 ( 2 ) 頁： 103-103 - 103 2019年
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Electronic structure analysis of core structures of threading dislocations in GaN 査読有り
Nakano, T; Chokawa, K; Araidai, M; Shiraishi, K; Oshiyama, A; Kusaba, A; Kangawa, Y; Tanaka, A; Honda, Y; Amano, H
2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) 頁： . 2019年
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Analysis of negative electron affinity InGaN photocathode by temperature-programed desorption method 査読有り
Kashima, M; Sato, D; Koizumi, A; Nishitani, T; Honda, Y; Amano, H; Iijima, H; Meguro, T
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 36 巻 ( 6 ) 2018年11月
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Comparing high-purity c- and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
57 巻 ( 10 ) 2018年10月
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Dinh, DV; Hu, N; Honda, Y; Amano, H; Pristovsek, M
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 498 巻 頁： 377 - 380 2018年9月
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大気暴露したGaN半導体フォトカソードの加熱処理に伴う表面状態の光電子分光観測
佐藤 大樹, 西谷 智博, 本田 善央, 天野 浩
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 巻 頁： 1571 - 1571 2018年9月
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Detailed study of effects of duration of pre-AIN-growth trimethylaluminum step on morphologies of GaN layers grown on silicon substrate by metal organic chemical vapor deposition 査読有り
57 巻 ( 9 ) 2018年9月
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Barry, OI; Lekhal, K; Bae, SY; Lee, HJ; Pristovsek, M; Honda, Y; Amano, H
PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS 12 巻 ( 8 ) 2018年8月