研究者詳細 - 本田　善央

論文 - 本田　善央

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In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

Ju, Guangxu, Honda, Yoshio, Tabuchi, Masao, Takeda, Yoshikazu, Amano, Hiroshi

Journal of Applied Physics 115 巻 ( 9 ) 頁： 94906 2014年

Growth of low-defect-density nonpolar a-plane GaN on r-plane sapphire using pulse NH< sub> 3</sub> interrupted etching 査読有り

Son, Ji-Su, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi

Optics express 22 巻 ( 3 ) 頁： 3585-3592 2014年

Growth of InGaN/GaN multiple quantum wells on size-controllable nanopyramid arrays 査読有り

Miao, Cao, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics 53 巻 ( 3 ) 頁： 30306 2014年

Enhancement of light output power on GaN-based light-emitting diodes using two-direction stripe-patterned sapphire substrate 査読有り

Okuno, Koji, Oshio, Takahide, Shibata, Naoki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

physica status solidi (c) 11 巻 ( 3‐4 ) 頁： 722-725 2014年

Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique 査読有り

Jung, Byung Oh, Bae, Si-Young, Kato, Yoshihiro, Imura, Masataka, Lee, Dong-Seon, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi

CrystEngComm 16 巻 ( 11 ) 頁： 2273-2282 2014年

Novel activation process for Mg-implanted GaN 査読有り

Hashimoto, Shin, Nakamura, Takao, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi

Journal of Crystal Growth 388 巻頁： 112-115 2014年

MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (レーザ・量子エレクトロニクス)

若杉侑矢, 本田善央, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 巻 ( 331 ) 頁： 47 - 50 2013年11月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE法を用いてGaN及びAlGaNへのMgとCの同時ドーピングを行い、電気的、光学的特性を評価した。GaNへの同時ドーピングでは比較的低濃度のCドーピングにより正孔密度の増加が確認できたが、AlGaNにおいてはC_2H_2流量増加に伴い正孔密度は減少した。cathodeluminescence(CL)測定により、全ての試料で440nm付近の発光を確認した。GaNへのMgとCのδドーピングを行った試料に対して同様の測定を行った。MgとCの同時δドーピングは通常のMgドーピングよりも高い正孔密度を示した。

高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (電子部品・材料)

前川拓也, 本田善央, 天野浩, 西谷智博

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 巻 ( 330 ) 頁： 43 - 46 2013年11月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

我々は、負の電子親和力を持つ半導体表面を用いた電子源(NEA半導体フォトカソード電子源)の高輝度、高耐久化を目指して、p-GaN半導体を用いた機能性表面の寿命に対する電子源の高輝度条件を検討した。超高真空中でp-GaN基板に対してNEA表面活性化を行った後、その量子効率の波長依存性及びその寿命の測定実験を行った。その結果から、p-GaN基板は、従来技術のp-GaAs基板に比べて20倍以上寿命が長く、より高耐久性能を持つことが分かった。また、表面機能が低下するに連れて、バンドギャップエネルギー以下の励起エネルギーでの量子効率が優先的に減少することが分かった。これらの結果より、p-GaN基板を用いたNEA半導体フォトカソード電子源は、高耐久である一方で、表面機能が劣化した状態がより電子ビーム源として単色化に適していることを明らかにした。

高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (電子デバイス)

前川拓也, 本田善央, 天野浩, 西谷智博

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 巻 ( 329 ) 頁： 43 - 46 2013年11月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

我々は、負の電子親和力を持つ半導体表面を用いた電子源(NEA半導体フォトカソード電子源)の高輝度、高耐久化を目指して、p-GaN半導体を用いた機能性表面の寿命に対する電子源の高輝度条件を検討した。超高真空中でp-GaN基板に対してNEA表面活性化を行った後、その量子効率の波長依存性及びその寿命の測定実験を行った。その結果から、p-GaN基板は、従来技術のp-GaAs基板に比べて20倍以上寿命が長く、より高耐久性能を持つことが分かった。また、表面機能が低下するに連れて、バンドギャップエネルギー以下の励起エネルギーでの量子効率が優先的に減少することが分かった。これらの結果より、p-GaN基板を用いたNEA半導体フォトカソード電子源は、高耐久である一方で、表面機能が劣化した状態がより電子ビーム源として単色化に適していることを明らかにした。

高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (レーザ・量子エレクトロニクス)

前川拓也, 本田善央, 天野浩, 西谷智博

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 巻 ( 331 ) 頁： 43 - 46 2013年11月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

我々は、負の電子親和力を持つ半導体表面を用いた電子源(NEA半導体フォトカソード電子源)の高輝度、高耐久化を目指して、p-GaN半導体を用いた機能性表面の寿命に対する電子源の高輝度条件を検討した。超高真空中でp-GaN基板に対してNEA表面活性化を行った後、その量子効率の波長依存性及びその寿命の測定実験を行った。その結果から、p-GaN基板は、従来技術のp-GaAs基板に比べて20倍以上寿命が長く、より高耐久性能を持つことが分かった。また、表面機能が低下するに連れて、バンドギャップエネルギー以下の励起エネルギーでの量子効率が優先的に減少することが分かった。これらの結果より、p-GaN基板を用いたNEA半導体フォトカソード電子源は、高耐久である一方で、表面機能が劣化した状態がより電子ビーム源として単色化に適していることを明らかにした。

MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (電子部品・材料)

若杉侑矢, 本田善央, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 巻 ( 330 ) 頁： 47 - 50 2013年11月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE法を用いてGaN及びAlGaNへのMgとCの同時ドーピングを行い、電気的、光学的特性を評価した。GaNへの同時ドーピングでは比較的低濃度のCドーピングにより正孔密度の増加が確認できたが、AlGaNにおいてはC_2H_2流量増加に伴い正孔密度は減少した。cathodeluminescence(CL)測定により、全ての試料で440nm付近の発光を確認した。GaNへのMgとCのδドーピングを行った試料に対して同様の測定を行った。MgとCの同時δドーピングは通常のMgドーピングよりも高い正孔密度を示した。

MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (電子デバイス)

若杉侑矢, 本田善央, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 巻 ( 329 ) 頁： 47 - 50 2013年11月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE法を用いてGaN及びAlGaNへのMgとCの同時ドーピングを行い、電気的、光学的特性を評価した。GaNへの同時ドーピングでは比較的低濃度のCドーピングにより正孔密度の増加が確認できたが、AlGaNにおいてはC_2H_2流量増加に伴い正孔密度は減少した。cathodeluminescence(CL)測定により、全ての試料で440nm付近の発光を確認した。GaNへのMgとCのδドーピングを行った試料に対して同様の測定を行った。MgとCの同時δドーピングは通常のMgドーピングよりも高い正孔密度を示した。

Effects of Nano- and Microscale SiO<sub>2</sub> Masks on the Growth of <i>a</i>-Plane GaN Layers on <i>r</i>-Plane Sapphire

Son, JS; Miao, C; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H; Seo, YG; Hwang, SM; Baik, KH

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 巻 ( 8 ) 頁： 08JC04 - 08JC04-4 2013年8月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics

We report on the combined effects of a-plane GaN layers on a nanoscale patterned insulator on an r-plane sapphire substrate and epitaxial lateral overgrowth (ELOG) techniques. The fully coalescent a-plane GaN layer using nano- and microscale SiO<inf>2</inf>masks showed the formation of nano- and microscale voids on the masks, respectively. Atomic force microscopy (AFM) measurements revealed a surface roughness of 0.63 nm and a submicron pit density of {\sim}7.8 \times 10^{7} cm<sup>-2</sup>. Photoluminescence (PL) intensity was enhanced by a factor of 9.0 in comparison with that of a planar sample. Omega full-width at half-maximum (FWHM) values of the (11\bar{2}0) X-ray rocking curve along the c- and m-axes were 553 and 788 arcsec, respectively. A plan-view cathodoluminescence (CL) mapping image showed high luminescence intensity on the SiO<inf>2</inf>masks.

DOI： 10.7567/JJAP.52.08JC04

GaN Overgrowth on Thermally Etched Nanoporous GaN Template

Miao, Cao, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8 ) 頁： 08JB03 2013年8月

Emission Wavelength Dependence of Internal Quantum Efficiency in InGaN Nanowires 査読有り

Murotani, H; Andoh, H; Tsukamoto, T; Sugiura, T; Yamada, Y; Tabata, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 巻 ( 8 ) 頁： 08JE10 2013年8月

Correlation between internal quantum efficiency and degree of localization in InGaN nanowires 査読有り

H. Murotani, H. Andoh, T. Tsukamoto, T. Sugiura, Y. Yamada, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

10th Inter. Conf. Nitride Semiconductors 2013年8月

Recombination dynamics of localized excitons in InGaN nanowires 査読有り

H. Murotani, H. Andoh, T. Tsukamoto, T. Sugiura, Y. Yamada, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

18th Inter. Conf. Electron dynamics in Semiconductors, Optoelectronics, and Nanostructures, TuP-6 2013年7月

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, and H. Amano

phys. stat. sol. (c) 10 巻 ( 3 ) 頁： 369-372 2013年3月

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, and H. Amano

phys. stat. sol. (c) 10 巻 ( 3 ) 頁： 369-372 2013年3月

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, H. Amano

phys. stat. sol. (c) 10 巻 ( 3 ) 頁： 369-372 2013年3月

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