論文 - 本田 善央
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The surface diffusion of Ga species on an AlGaN facet structure in low pressure MOVPE 査読有り
T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki
phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 7 ) 頁： 2506-2509 2007年
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Application of electron holography to the determination of contact potential difference in an AIGaN/AIN/Si heterostructure 査読有り
S. Tanaka, A. Naito, Y. Honda, N. Sawaki, M. Ichihashi
J. Electron Microsc. 56 巻 ( 2 ) 頁： 37-42 2007年
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Growth of InGaN layer on GaN templated Al2O3 (0001) and Si (111) substrates by mixed-source HVPE 査読有り
S. L. Hwang, K. S. Jang, K. H. Kim, H. S. Jeon, H. S. Ahn, M. Yang, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, M. Koike
phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 1 ) 頁： 125 - + 2007年
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Fabrication of SAG-AlGaN/InGaN/AlGaN LEDs by mixed-source HVPE with multi-sliding boat system 査読有り
K. H. Kim, K. S. Jang, S. L. Hwang, H. S. Jeon, W. J. Choi, M. Yang, H. S. Ahn, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, M. Koike
phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 1 ) 頁： 29 - + 2007年
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Electron-Beam-Induced-Current Investigation of GaN/AlGaN/Si Heterostructures Using Scanning Transmission Electron Microscopy 査読有り
S. Tanaka, K. Aoyama, M. Ichihashi, S. Arai, Y. Honda, N. Sawaki
J. Electron Microsc. 56 巻 ( 4 ) 頁： 141-144 2007年
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Characterization of AlGaN/InGaN/AlGaN heterostructure with selective area growth of Te-doped AlGaN cladding layer grown by mixed-source HVPE 査読有り
K. S. Jang, K. H. Kim, S. L. Hwang, H. S. Jeon, M. Yang, H. S. Ahn, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, S. H. Jang, S. M. Lee, M. Koike
phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 7 ) 頁： 2240 - + 2007年
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Characterization of AlGaN, Te-doped GaN and Mg-doped GaN grown by hydride vapor phase epitaxy 査読有り
K. S. Jang, K. H. Kim, S. L. Hwang, H. S. Jeon, H. S. Ahn, M. Yang, W. J. Choi, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, M. Koike
phys. stat. sol. (c) 4 巻 ( 1 ) 頁： 133 - + 2007年
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Mg doping in (1-101)GaN grown on a 7o off-axis (001)Si substrate by selective MOVPE 査読有り
T. Hikosaka, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki
J. Cryst. Growth 298 巻 頁： 207-210 2007年
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Growth and doping of AlGaN and electroluminescence of SAG-InGaN/AlGaN heterostructure by mixed-source HVPE 査読有り
K. H. Kim, H. S. Ahn, M. Yang, K. S. Jang, S. L. Hwang, W. J. Choi, C. R. Cho, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, and M. Koike
phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁： 1461?1465 2006年
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Carbon Incorporation on (1-101) Facet of AlGaN in Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り
N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki
Jpn. J. Appl. Phys. 45 巻 ( 10A ) 頁： 7655-7660 2006年
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Series Resistance in n-GaN/AlN/n-Si Heterojunction Structure 査読有り
H. Kondo, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki
Jpn. J. Appl. Phys. 45 巻 ( 5A ) 頁： 4015?4017 2006年
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Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate 査読有り
E. H. Kim, T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, N. Sawaki
phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁： 1992?1996 2006年
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p-type conduction in a C-doped (1-101)GaN grown on a 7-degree-off oriented (001)Si substrate by selective MOVPE 査読有り
T. Hikosaka, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki
phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁： 1425?1428 2006年
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Cathodoluminescence properties of InGaN codoped with Zn and Si 査読有り
Y. Honda, Y. Yanase, M. Yamaguchi, and N. Sawaki
phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁： 1915?1918 2006年
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The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN stripe structure in the selective MOVPE 査読有り
T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki
phys. stat. sol. (b) 243 巻 ( 7 ) 頁： 1665?1668 2006年
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The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN stripe structure in the selective MOVPE 査読有り
T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki
phys. stat. sol. (b) 243 巻 ( 7 ) 頁： 1665?1668 - 1668 2006年
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Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate 査読有り
E. H. Kim, T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, N. Sawaki
phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁： 1992?1996 2006年
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p-type conduction in a C-doped (1-101)GaN grown on a 7-degree-off oriented (001)Si substrate by selective MOVPE 査読有り
T. Hikosaka, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki
phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁： 1425 - 1428 2006年
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Series Resistance in n-GaN/AlN/n-Si Heterojunction Structure 査読有り
H. Kondo, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki
Jpn. J. Appl. Phys. 45 巻 ( 5A ) 頁： 4015?4017 2006年
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Carbon Incorporation on (1-101) Facet of AlGaN in Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り
N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki
Jpn. J. Appl. Phys. 45 巻 ( 10A ) 頁： 7655-7660 2006年