研究者詳細 - 本田　善央

論文 - 本田　善央

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Doping of GaN, AlGaN by mixed-source HVPE 査読有り

JY Yi, KH Kim, HJ Lee, M Yang, HS Ahn, CR Cho, SW Kim, Y Honda, M Yamaguchi, N Sawaki

COMPOUND SEMICONDUCTORS 2004, PROCEEDINGS 184 巻頁： 373 - 376 2005年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP PUBLISHING LTD

Mg doped GaN and AlGaN layers were grown by hydrid vapor phase epitaxy (HVPE). Metallic Ga mixed with Mg and (Mg, Al) were used as group III source materials for the growth of GaN:Mg and AlGaN:Mg, respectively. For the crystalline and elemental analysis, double X-ray diffraction (DXRD) and Auger electron spectroscopy (AES) measurements were performed. A luminescence peak at around 380 nm which might be from Mg related recombination center Could be observed in cathodoluminescence (CL) spectroscopy. We could also observed, by Hall effect measurement, effect of counter doping by Mg acceptor in GaN:Mg and AlGaN:Mg layers.

Web of Science

Metalorganic-hydride vapor phase epitaxy growth of GaN/AlN on Si substrates

H. J. Lee, K. H. Kim, J. Y. Yi, M. Yang, H. S. Ahn, J. H. Chang, H. S. Kim, S. N. Yi, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Journal of the Korean Physical Society 45 巻頁： S813 - S815 2004年12月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

High-quality GaN film with AlN buffer layer was successfully grown by using our newly designed metalorganic-hydride vapor-phase epitaxy (MO-HVPE) system. We performed the growth of AlN buffer layer on Si (111) substrates by the use of TMA and NH 3 at 935°C. GaN films were grown on AlN/Si (111) substrates by using metallic Ga, NH 3 and HCl as source materials at 1050&amp
C. The morphologies of the GaN and AlN buffer layers were characterized by scanning electron microscopy (SEM). For the optical characterization of the GaN/AlN/Si, photoluminescence (PL) and cathodoluminescence (CL) spectroscopy were carried out at room temperature.

Scopus

Optical and electrical properties of (1-101)GaN grown on a 7[degree] off-axis (001)Si substrate 査読有り

T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Appl. Phys. Lett. 84 巻 ( 23 ) 頁： 4717 - 4719 2004年6月

MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製

本田善央, 中村剛, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 104 巻 ( 43 ) 頁： 17 - 22 2004年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

我々はこれまでに、シリコン基板上へMOVPE選択成長によりGaN/AlN六角錐構造を作製してきた。しかしながら、形状の均一性について問題があり、これは中間層として用いたAlN成長核の不均一が原因であった。AlNの成長時間を変化させ、GaN/AlN六角錐構造の均一性を評価したところ、AlN中間層膜厚の薄いところでは比較的均一なGaN/AlN六角錐構造が得られた。中間層の薄膜化は同時に、Si-GaN界面での電流-電圧特性を改善させることが可能であり、フィールドエミッタデバイス等の応用に極めて有効であると考えられる。

MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製

本田善央, 中村剛, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 104 巻 ( 41 ) 頁： 17 - 22 2004年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製

本田善央, 中村剛, 山口雅史, 澤木宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 104 巻 ( 39 ) 頁： 17 - 22 2004年5月

記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

Photocurrent spectroscopy of a (0001) GaN/AlGaN/(111)Si heterostructure 査読有り

Y. Kuroiwa, Y. Honda, N. Sawaki

Physica E 21 巻 ( 2-4 ) 頁： 787 - 792 2004年3月

Transmission electron microscopy study of an AlN nucleation layer for the growth of GaN on a 7-degree off-oriented (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

S. Tanaka, Y. Honda, N. Kameshiro, R. Iwasaki, N. Sawaki, T. Tanji, M. Ichihashi

J. Cryst. Growth 260 巻 ( 3-4 ) 頁： 360 - 365 2004年1月

Optical and electrical properties of (1-101)GaN grown on a 7[degree] off-axis (001)Si substrate 査読有り

T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

Appl. Phys. Lett. 84 巻 ( 23 ) 頁： 4717-4719 2004年

Photocurrent spectroscopy of a (0001) GaN/AlGaN/(111)Si heterostructure 査読有り

Y. Kuroiwa, Y. Honda, N. Sawaki

Physica E 21 巻 ( 2-4 ) 頁： 782-792 2004年

Growth of thick AlGaN by metalorganic-hydride vapor phase epitaxy 査読有り

K. H. Kim, J. Y. Yi, H. J. Lee, M. Yang, H. S. Ahn, C. R. Cho, S. W. Kim, S. C. Lee, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 1 巻 ( 10 ) 頁： 2474?2477 2004年

Fabrication and optical properties of GaN micro-prism array on an Si substrate 査読有り

A. Nishioka, Y. Honda, and N. Sawaki

Proc. of Int. Conf. on Electrical Engineering 2004 3-1 巻頁： 297-300 2004年

Optical spectra of GaN/InGaN/GaN MQW structure grown on a (1?101) GaN facet 査読有り

Eun-Hee Kim, Tetsuo Narita, Yoshio Honda, and Nobuhiko Sawaki

phys. stat. sol. (c) 1 巻 ( 10 ) 頁： 2512?2515 2004年

Transmission electron microscopy study of an AlN nucleation layer for the growth of GaN on a 7-degree off-oriented (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

S. Tanaka, Y. Honda, N. Kameshiro, R. Iwasaki, N. Sawaki, T. Tanji, and M. Ichihashi

J. Cryst. Growth 260 巻 ( 3-4 ) 頁： 360-365 2004年

Transport properties of the two-dimensional electron gas in AlxGa1?xN/GaN heterostructures 査読有り

X. Han, Y. Honda, T. Narita, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Phys.: Condens. Matter 19 巻 ( 4 ) 頁： 2297 - 2300 2004年

Fabrication and optical properties of GaN micro-prism array on an Si substrate 査読有り

A. Nishioka, Y. Honda, N. Sawaki

Proc. of Int. Conf. on Electrical Engineering 2004 3-1 巻頁： 297-300 2004年

Optical spectra of GaN/InGaN/GaN MQW structure grown on a (1?101) GaN facet 査読有り

Eun-Hee Kim, Tetsuo Narita, Yoshio Honda, Nobuhiko Sawaki

phys. stat. sol. (c) 1 巻 ( 10 ) 頁： 2512 - 2515 2004年

Growth of thick AlGaN by metalorganic-hydride vapor phase epitaxy 査読有り

K. H. Kim, J. Y. Yi, H. J. Lee, M. Yang, H. S. Ahn, C. R. Cho, S. W. Kim, S. C. Lee, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c) 1 巻 ( 10 ) 頁： 2474 - 2477 2004年

Infrared Reflectance in GaN/AlGaN Triangular Stripes Grown on Si(111) Substrates by MOVPE 査読有り

M. Mizushima, T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Kor. Phys. Soc. 42 巻 ( Supp. issue 2 ) 頁： S750 - S752 2003年2月

Photoluminescence Properties of a Self-Doped GaN Layer Grown on Si Substrate 査読有り

K. H. Kim, H. Kim, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, N. Kameshiro, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Kor. Phys. Soc. 42 巻 ( Supp. issue 2 ) 頁： S219 - S221 2003年2月

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<本田 善央>

論文 - 本田 善央

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