論文 - 本田　善央

Optical Characteristics of the AlGaN/GaN/AlGaN Waveguide Grown on (111) Si Substrate 査読有り

H. Kim, K. H. Kim, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Kor. Phys. Soc.   42 巻   頁： S622 - S624   2003年2月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Web of Science

The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN facet structure in the MOVPE growth 査読有り

T. Narita, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   0 巻 ( 7 ) 頁： 2154-2158   2003年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

HVPE growth of a thick GaN layer on a GaN templated (111) Si substrate 査読有り

Y. Nishimura, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   0 巻 ( 7 ) 頁： 2506-2510   2003年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Optical Characteristics of the AlGaN/GaN/AlGaN Waveguide Grown on (111) Si Substrate 査読有り

H. Kim, K. H. Kim, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Kor. Phys. Soc.   42 巻   頁： S622-S624   2003年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

The compositional non-uniformity in an AlGaN capping layer of AlGaN/GaN pyramid grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

Y. Honda, M. Torikai, T. Nakamura, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   0 巻 ( 7 ) 頁： 2043-2046   2003年

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担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Infrared Reflectance in GaN/AlGaN Triangular Stripes Grown on Si(111) Substrates by MOVPE 査読有り

M. Mizushima, T. Kato, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Kor. Phys. Soc.   42 巻 ( Supp. issue 2 ) 頁： S750-S752   2003年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Photoluminescence Properties of a Self-Doped GaN Layer Grown on Si Substrate 査読有り

K. H. Kim, H. Kim, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, N. Kameshiro, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Kor. Phys. Soc.   42 巻 ( Supp. issue 2 ) 頁： S219-S221   2003年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

HVPE growth of a thick GaN layer on a GaN templated (111) Si substrate 査読有り

Y. Nishimura, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   0 巻 ( 7 ) 頁： 2506 - 2510   2003年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

DOI： 10.1002/pssc.200303512

Web of Science

The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN facet structure in the MOVPE growth 査読有り

T. Narita, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   0 巻 ( 7 ) 頁： 2154 - 2158   2003年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

Web of Science

The compositional non-uniformity in an AlGaN capping layer of AlGaN/GaN pyramid grown on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

Y. Honda, M. Torikai, T. Nakamura, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   0 巻 ( 7 ) 頁： 2043 - 2046   2003年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

DOI： 10.1002/pssc.200303373

Web of Science

The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN facet structure in the MOVPE growth 査読有り

Tetsuo Narita, Toshiki Hikosaka, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Nobuhiko Sawaki

Physica Status Solidi C: Conferences   ( 7 ) 頁： 2154 - 2158   2003年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

The growth of a trapezoidal AlGaN/GaN heterostructure was attempted on a (111) Si substrate by selective area metal organic vapour phase epitaxy. On the trapezoidal sample we found that the manner of ridge growth is different in GaN growth from that in AlGaN growth. Analysing the thickness and composition with scanning electron microscopy (SEM), reflection electron microscopy (REM) and cathode luminescence (CL) spectroscopy, the diffusion length of Ga chemical species on the (0001) AlGaN surface was determined. © 2003 WILEY-VCH Verlag GmbH &amp
Co. KGaA.

DOI： 10.1002/pssc.200303511

Scopus

Transmission Electron Microscopy Study of the Microstructure in Selective-Area-Grown GaN and an AlGaN/GaN Heterostructure on a 7-Degree Off-Oriented (001) Si Substrate 査読有り

Tanaka Shigeyasu, Honda Yoshio, Kameshiro Norifumi, IWASAKI Ryuta, SAWAKI Nobuhiko, TANJI Takayoshi

Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters   41 巻 ( 7 ) 頁： L846 - L848   2002年7月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Growth of (1-101) GaN on a 7-degree off-oriented (001) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

Y. Honda, N. Kameshiro, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Cryst. Growth   242 巻 ( 1-2 ) 頁： 82 - 86   2002年7月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Web of Science

Transmission electron microscopy study of the microstructure in selective-area-grown GaN and an AlGaN/GaN heterostructure on a 7-degree off-oriented (001) Si substrate 査読有り

S. Tanaka, Y. Honda, N. Kameshiro, R. Iwasaki, N. Sawaki, T. Tanji

Jpn. J. Appl. Phys.   41 巻 ( 7B ) 頁： L846 - L848   2002年7月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Web of Science

Growth of GaN crystal free from cracks on a (111) Si substrate by selective MOVPE 査読有り

Y. Honda, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, N. Sawaki

J. Cryst. Growth   242 巻 ( 1-2 ) 頁： 77 - 81   2002年7月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Web of Science

Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性 査読有り

成田 哲生, 加藤 友将, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   102 巻 ( 114 ) 頁： 25 - 28   2002年6月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

選択有機金属気層エピタキシャル成長(MOVPE)法によりSi(111)基板上GaN台形ストライプ構造上とGaN/AlGaNヘテロ構造を作製し、光学的特性の評価を行った。ストライプ構造は(11^^-01)ファセットと(0001)面からなる。AlGaN混晶層の4.0KにおけるCLスペクトルには複数のDAP発光が観測された。その特性は混晶層の厚みによって変化し、ヘテロ界面の歪みが成長モードあるいは不純物の取り込みを変えていることを示唆した。

Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性 査読有り

成田 哲生, 加藤 友将, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   102 巻 ( 117 ) 頁： 25 - 28   2002年6月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

選択有機金属気層エピタキシャル成長(MOVPE)法によりSi(111)基板上GaN台形ストライプ構造上とGaN/AlGaNヘテロ構造を作製し、光学的特性の評価を行った。ストライプ構造は(1101)ファセットと(0001)面からなる。AlGaN混晶層の4.0KにおけるCLスペクトルには複数のDAP発光が観測された。その特性は混晶層の厚みによって変化し、ヘテロ界面の歪みが成長モードあるいは不純物の取り込みを変えていることを示唆した。

Si基板上へのGaN/AlGaNピラミッド列のMOVPE成長 査読有り

鳥飼 正幸, 加藤 友将, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   102 巻 ( 117 ) 頁： 21 - 24   2002年6月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

(111)Si基板上へのGaN/Al_xGa_1-xN六角錐ピラミッド列の選択MOVPE成長を行った。GaNピラミッド構造に混晶薄膜を堆積させたところ、Al_xGa_1-xNの組成はファセット上で異なり、ピラミッド構造の先端部分ではAl組成が高い傾向にあった。これは、ファセット上でのGaとAlの関する化学種の拡散長の差異によるものと解釈される。また堆積させる薄膜をAlNとした試料のC面における4.2KのCLスペクトルでは、波長218nmにAlNに起因すると考えられるピークが観測されたが、C面上には六角錐構造の幾何学的形状を反映するピット列が観測された。

Si基板上へのGaN/AlGaNピラミッド列のMOVPE成長 査読有り

鳥飼 正幸, 加藤 友将, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   102 巻 ( 114 ) 頁： 21 - 24   2002年6月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

(111)Si基板上へのGaN/Al_xGa_<1-x>N六角錐ピラミッド列の選択MOVPE成長を行った。GaNピラミッド構造に混晶薄膜を堆積させたところ、Al_xGa_<1-x>Nの組成はファセット上で異なり、ピラミッド構造の先端部分ではAl組成が高い傾向にあった。これは、ファセット上でのGaとAlの関する化学種の拡散長の差異によるものと解釈される。また堆積させる薄膜をAlNとした試料のC面における4.2KのCLスペクトルでは、波長218nmにAlNに起因すると考えられるピークが観測されたが、C面上には六角錐構造の幾何学的形状を反映するピット列が観測された。

(001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長 査読有り

亀代 典史, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   102 巻 ( 78 ) 頁： 27 - 31   2002年5月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

GaNはSi(111)面上への結晶成長が可能であるが、熱膨張係数差によるクラック等の問題がある。この熱膨張係数差の問題は結晶軸を傾けることによって軽減することが可能である。本研究では、(001)Si 7°off基板上にストライプ窓を設け、異方性エッチングにより(111)ファセットを作製した後、MOVPE法により GaN選択成長を行った。その結果、平坦な(1-101)面が基板表面と平行となる六方晶GaNが得られた。また、界面の平担性がヘテロ構造の特性に大きな影響を及ぼす為、平坦なGaN(1-101)面上にヘテロ構造を作製することによって特性の向上が期待される。そこでGaN(1-101)面上にAlGaN/GaNヘテロ構造を作製し、光学的特性の評価を行った。