Faculty Profiles - HONDA, Yoshio

Papers - HONDA, Yoshio

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Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique Reviewed

Jung, Byung Oh, Bae, Si-Young, Kato, Yoshihiro, Imura, Masataka, Lee, Dong-Seon, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi

CrystEngComm Vol. 16 ( 11 ) page： 2273-2282 2014

In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy Reviewed

Ju, Guangxu, Honda, Yoshio, Tabuchi, Masao, Takeda, Yoshikazu, Amano, Hiroshi

Journal of Applied Physics Vol. 115 ( 9 ) page： 94906 2014

Growth of low-defect-density nonpolar a-plane GaN on r-plane sapphire using pulse NH< sub> 3</sub> interrupted etching Reviewed

Son, Ji-Su, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi

Optics express Vol. 22 ( 3 ) page： 3585-3592 2014

MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (レーザ・量子エレクトロニクス)

若杉侑矢, 本田善央, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 Vol. 113 ( 331 ) page： 47 - 50 2013.11

Language：Japanese Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE法を用いてGaN及びAlGaNへのMgとCの同時ドーピングを行い、電気的、光学的特性を評価した。GaNへの同時ドーピングでは比較的低濃度のCドーピングにより正孔密度の増加が確認できたが、AlGaNにおいてはC_2H_2流量増加に伴い正孔密度は減少した。cathodeluminescence(CL)測定により、全ての試料で440nm付近の発光を確認した。GaNへのMgとCのδドーピングを行った試料に対して同様の測定を行った。MgとCの同時δドーピングは通常のMgドーピングよりも高い正孔密度を示した。

MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (電子部品・材料)

若杉侑矢, 本田善央, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 Vol. 113 ( 330 ) page： 47 - 50 2013.11

Language：Japanese Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE法を用いてGaN及びAlGaNへのMgとCの同時ドーピングを行い、電気的、光学的特性を評価した。GaNへの同時ドーピングでは比較的低濃度のCドーピングにより正孔密度の増加が確認できたが、AlGaNにおいてはC_2H_2流量増加に伴い正孔密度は減少した。cathodeluminescence(CL)測定により、全ての試料で440nm付近の発光を確認した。GaNへのMgとCのδドーピングを行った試料に対して同様の測定を行った。MgとCの同時δドーピングは通常のMgドーピングよりも高い正孔密度を示した。

MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (電子デバイス)

若杉侑矢, 本田善央, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 Vol. 113 ( 329 ) page： 47 - 50 2013.11

Language：Japanese Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE法を用いてGaN及びAlGaNへのMgとCの同時ドーピングを行い、電気的、光学的特性を評価した。GaNへの同時ドーピングでは比較的低濃度のCドーピングにより正孔密度の増加が確認できたが、AlGaNにおいてはC_2H_2流量増加に伴い正孔密度は減少した。cathodeluminescence(CL)測定により、全ての試料で440nm付近の発光を確認した。GaNへのMgとCのδドーピングを行った試料に対して同様の測定を行った。MgとCの同時δドーピングは通常のMgドーピングよりも高い正孔密度を示した。

高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (レーザ・量子エレクトロニクス)

前川拓也, 本田善央, 天野浩, 西谷智博

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 Vol. 113 ( 331 ) page： 43 - 46 2013.11

Language：Japanese Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：一般社団法人電子情報通信学会

我々は、負の電子親和力を持つ半導体表面を用いた電子源(NEA半導体フォトカソード電子源)の高輝度、高耐久化を目指して、p-GaN半導体を用いた機能性表面の寿命に対する電子源の高輝度条件を検討した。超高真空中でp-GaN基板に対してNEA表面活性化を行った後、その量子効率の波長依存性及びその寿命の測定実験を行った。その結果から、p-GaN基板は、従来技術のp-GaAs基板に比べて20倍以上寿命が長く、より高耐久性能を持つことが分かった。また、表面機能が低下するに連れて、バンドギャップエネルギー以下の励起エネルギーでの量子効率が優先的に減少することが分かった。これらの結果より、p-GaN基板を用いたNEA半導体フォトカソード電子源は、高耐久である一方で、表面機能が劣化した状態がより電子ビーム源として単色化に適していることを明らかにした。

高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (電子部品・材料)

前川拓也, 本田善央, 天野浩, 西谷智博

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 Vol. 113 ( 330 ) page： 43 - 46 2013.11

Language：Japanese Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：一般社団法人電子情報通信学会

我々は、負の電子親和力を持つ半導体表面を用いた電子源(NEA半導体フォトカソード電子源)の高輝度、高耐久化を目指して、p-GaN半導体を用いた機能性表面の寿命に対する電子源の高輝度条件を検討した。超高真空中でp-GaN基板に対してNEA表面活性化を行った後、その量子効率の波長依存性及びその寿命の測定実験を行った。その結果から、p-GaN基板は、従来技術のp-GaAs基板に比べて20倍以上寿命が長く、より高耐久性能を持つことが分かった。また、表面機能が低下するに連れて、バンドギャップエネルギー以下の励起エネルギーでの量子効率が優先的に減少することが分かった。これらの結果より、p-GaN基板を用いたNEA半導体フォトカソード電子源は、高耐久である一方で、表面機能が劣化した状態がより電子ビーム源として単色化に適していることを明らかにした。

高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (電子デバイス)

前川拓也, 本田善央, 天野浩, 西谷智博

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 Vol. 113 ( 329 ) page： 43 - 46 2013.11

Language：Japanese Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：一般社団法人電子情報通信学会

我々は、負の電子親和力を持つ半導体表面を用いた電子源(NEA半導体フォトカソード電子源)の高輝度、高耐久化を目指して、p-GaN半導体を用いた機能性表面の寿命に対する電子源の高輝度条件を検討した。超高真空中でp-GaN基板に対してNEA表面活性化を行った後、その量子効率の波長依存性及びその寿命の測定実験を行った。その結果から、p-GaN基板は、従来技術のp-GaAs基板に比べて20倍以上寿命が長く、より高耐久性能を持つことが分かった。また、表面機能が低下するに連れて、バンドギャップエネルギー以下の励起エネルギーでの量子効率が優先的に減少することが分かった。これらの結果より、p-GaN基板を用いたNEA半導体フォトカソード電子源は、高耐久である一方で、表面機能が劣化した状態がより電子ビーム源として単色化に適していることを明らかにした。

Effects of Nano- and Microscale SiO

Son Ji-Su, Miao Cao, Honda Yoshio, Yamaguchi Masahito, Amano Hiroshi, Seo Yong Gon, Hwang Sung-Min, Baik Kwang Hyeon

Jpn J Appl Phys Vol. 52 ( 8 ) page： 08JC04 - 08JC04-4 2013.8

Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：The Japan Society of Applied Physics

We report on the combined effects of a-plane GaN layers on a nanoscale patterned insulator on an r-plane sapphire substrate and epitaxial lateral overgrowth (ELOG) techniques. The fully coalescent a-plane GaN layer using nano- and microscale SiO<inf>2</inf>masks showed the formation of nano- and microscale voids on the masks, respectively. Atomic force microscopy (AFM) measurements revealed a surface roughness of 0.63 nm and a submicron pit density of {\sim}7.8 \times 10^{7} cm<sup>-2</sup>. Photoluminescence (PL) intensity was enhanced by a factor of 9.0 in comparison with that of a planar sample. Omega full-width at half-maximum (FWHM) values of the (11\bar{2}0) X-ray rocking curve along the c- and m-axes were 553 and 788 arcsec, respectively. A plan-view cathodoluminescence (CL) mapping image showed high luminescence intensity on the SiO<inf>2</inf>masks.

DOI： 10.7567/JJAP.52.08JC04

Emission Wavelength Dependence of Internal Quantum Efficiency in InGaN Nanowires Reviewed

H. Murotani, H. Andoh, T. Tsukamoto, T. Sugiura, Y. Yamada, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 52 ( 8 ) page： 08JE10 2013.8

GaN Overgrowth on Thermally Etched Nanoporous GaN Template

Cao Miao, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol. 52 ( 8 ) page： 08JB03 2013.8

Language：English Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：IOP PUBLISHING LTD

A thermal-etching process for fabricating nanoporous GaN templates in a metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) reactor was proposed. Such nanoporous templates exhibited nearly complete strain relaxation and considerably increased photoluminescence (PL) intensity. The threading dislocation density (TDD) after overgrowth was reduced from 3 x 10(9) to 4 x 10(8) cm(-2) for the template with poor quality, whereas little improvement was observed for the high-quality template (TDD, 4 x 10(8) cm(-2)). Multiple quantum wells (MQWs) grown on a nanoporous template fabricated from the high-quality GaN template were used to assess the effect on LED performance. The PL intensity of the sample with a nanoporous structure showed a twofold increase in PL intensity compared with the control sample. (C) 2013 The Japan Society of Applied Physics

DOI： 10.7567/JJAP.52.08JB03

Correlation between internal quantum efficiency and degree of localization in InGaN nanowires Reviewed

H. Murotani, H. Andoh, T. Tsukamoto, T. Sugiura, Y. Yamada, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

10th Inter. Conf. Nitride Semiconductors 2013.8

Recombination dynamics of localized excitons in InGaN nanowires Reviewed

H. Murotani, H. Andoh, T. Tsukamoto, T. Sugiura, Y. Yamada, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

18th Inter. Conf. Electron dynamics in Semiconductors, Optoelectronics, and Nanostructures, TuP-6 2013.7

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy Reviewed

K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, and H. Amano

phys. stat. sol. (c) Vol. 10 ( 3 ) page： 369-372 2013.3

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy Reviewed

K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, and H. Amano

phys. stat. sol. (c) Vol. 10 ( 3 ) page： 369-372 2013.3

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy Reviewed

K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, H. Amano

phys. stat. sol. (c) Vol. 10 ( 3 ) page： 369-372 2013.3

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy Reviewed

K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, H. Amano

phys. stat. sol. (c) Vol. 10 ( 3 ) page： 369-372 2013.3

Progress and Prospect of the Growth of Wide-Band-Gap Group III Nitrides: Development of the Growth Method for Single-Crystal Bulk GaN Reviewed

Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics Vol. 52 ( 5R ) page： 50001 2013

Growth of GaN on Si (111) Substrates via a Reactive-Sputter-Deposited AlN Intermediate Layer Reviewed

Yamada, Takaya; Tanikawa, Tomoyuki; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics Vol. 52 ( 8S ) page： 08JB16 2013

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