論文 - 天野 浩
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Stimulated emission by current injection from an AlGaN/GaN/GaInN quantum well device 査読有り
I. Akasaki, H. Amano, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka and M. Koike
Jpn. J. Appl. Phys. 34 巻 ( 0 ) 頁： L1517-L1519 1995年
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Surface-mode stimulated emission from optically pumped GaInN at room temperature 査読有り
Kim S T, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 67 巻 ( 0 ) 頁： 267-9 1995年
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Characterization of residual transition metal ions in GaN and AlN 査読有り
Baur J., Kaufmann U., Kunzer M., Schneider J., Amano H., Akasaki I., Detchprohm T., Hiramatsu K.
Materials Science Forum 196-201 巻 ( 0 ) 頁： 20333 1995年
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Crystal growth of column III nitrides and their applications to short wavelength light emitters 査読有り
Akasaki I, Amano H
J. Crystal Growth 146 巻 ( 0 ) 頁： 455-61 1995年
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Magneto-optical investigation of the neutral donor bound exciton in GaN 査読有り
Volm D, Streibl T, Meyer B K, Detchprohm T, Amano H, Akasaki I
Solid State Communications 96 巻 ( 0 ) 頁： 53-56 1995年
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Exciton lifetimes in GaN and GaInN 査読有り
Harris C I, Monemar B, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 67 巻 ( 0 ) 頁： 840-2 1995年
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Polarization of light from an optically pumped (Al-Ga-N)/(Ga-In-N) double heterostructure 査読有り
S. T. Kim, T. Tanaka, H. Amano and I. Akasaki
Mater. Sci. & Eng. B 26 巻 ( 0 ) 頁： L5-L7 1994年
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Iron acceptors in gallium nitride (GaN) 査読有り
K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufmann, J. Schneider, B. Monemar, I. Akasaki and H. Amano.
Materials Science Forum 143-147 巻 ( 0 ) 頁： 1993/08/01 1994年
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ODMR studies of MOVPE-grown GaN epitaxial layers 査読有り
M. Kunzer, U. Kaufmann, K. Maier, J. Schneider, N. Herres, I. Akasaki and H. Amano.
Materials Science Forum 143-147 巻 ( 0 ) 頁： 87-92 1994年
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Widegap column-III nitride semiconductors for UV/blue light emitting devices 査読有り
I. Akasaki and H. Amano.
Journal of the Electrochemical Society 141 巻 ( 0 ) 頁： 2266-71 1994年
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Perspective of UV/blue light emitting devices based on column-III nitrides 査読有り
I. Akasaki and H. Amano.
Institute of Physics Conference Series 136 巻 ( 0 ) 頁： 249-56 1994年
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p-Type conduction in Mg-doped GaN and Al008Ga092N grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
T. Tanaka, A. Watanabe, H. Amano, Y. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki, and M. Koike
Appl. Phys. Lett. 65 巻 ( 0 ) 頁： 593-4 1994年
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Deep level defects in n-type GaN 査読有り
W. Goetz, N. M. Johnson, H. Amano and I. Akasaki
Appl. Phys. Lett. 65 巻 ( 0 ) 頁： 463-5 1994年
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Infrared luminescence of residual iron deep level acceptors in gallium nitride (GaN) epitaxial layers 査読有り
J. Baur, K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufmann, J. Schneider, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm and K. Hiramatsu
Appl. Phys. Lett. 64 巻 ( 0 ) 頁： 857-9 1994年
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Optical gain of optically pumped Al01Ga09N/GaN double heterostructure at room temperature 査読有り
S. T. Kim, H. Amano, I. Akasaki and N. Koide
Appl. Phys. Lett. 64 巻 ( 0 ) 頁： 1535-6 1994年
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Room-temperature violet stimulated emission from optically pumped AlGaN/GaInN double heterostructure 査読有り
H. Amano, T. Tanaka Y. Kunii, K. Kato S. T. Kim and I. Akasaki
Appl. Phys. Lett. 64 巻 ( 0 ) 頁： 1377-9 1994年
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Room-temperature low-threshold surface-stimulated emission by optical pumping from aluminum gallium nitride/gallium nitride (Al01Ga09N/GaN) double heterostructure 査読有り
H. Amano, N. Watanabe, N. Koide and I. Akasaki.
Jpn. J. Appl. Phys. 32 巻 ( 0 ) 頁： L1000-L1002 1993年
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Conductivity control of gallium nitride and fabrication of UV/blue GaN light emitting devices 査読有り
I. Akasaki, H. Amano, N. Koide M. Kotaki Mand K. Manabe
Phys. B 185 巻 ( 0 ) 頁： 428-32 1993年
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Electric properties of zinc-doped gallium nitride-type light emitting diode 査読有り
M. R. H. Khan, I. Akasaki, H. Amano, N. Okazaki and K. Manabe
Phys. B 185 巻 ( 0 ) 頁： 480-4 1993年
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GaN-based UV/blue light emitting devices 査読有り
I. Akasaki, H. Amano, K. Itoh, N. Koide and K. Manabe
Inst. Phys. Conf. Ser. 129 巻 ( 0 ) 頁： 851-6 1993年