論文 - 天野 浩
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Crystal growth of column-III nitride semiconductors and their electrical and optical properties 査読有り
Akasaki I, Amano H
J. Crystal Growth 163 巻 ( 0 ) 頁： 86-92 1996年
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Raman and photoluminescence imaging of the GaN/substrate interface 査読有り
Siegle H, Thurian P, Eckey L, Hoffmann A, Thomsen C, Meyer B K, Detchprohm T, Hiramatsu K, Amano H, Akasaki I
Institute of Physics Conference Series 149 巻 ( 0 ) 頁： 97-102 1996年
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Present and future of group III nitride semiconductors 査読有り
Akasaki Isamu, Amano Hiroshi
Institute of Physics Conference Series 145 巻 ( 0 ) 頁： 19-22 1996年
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Relaxation and recombination dynamics in GaN/Al2O3 epilayers 査読有り
Eckey L, Heitz R, Hoffmann A, Broser I, Meyer B K, Hiramatsu K, Detchprohm T, Amano H, Akasaki I
Institute of Physics Conference Series 142 巻 ( 0 ) 頁： 927-930 1996年
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Remote plasma hydrogenation of Mg-doped GaN 査読有り
Gotz W, Johnson N M, Walker J, Bour D P, Amano H, Akasaki I
Institute of Physics Conference Series 142 巻 ( 0 ) 頁： 1031-1034 1996年
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Photoluminescence related to the two-dimensional electron gas at a GaN/AlGaN heterointerface 査読有り
Bergman JP, Lundstroem T, Monemar B, Amano H, Akasaki I
Institute of Physics Conference Series 142 巻 ( 0 ) 頁： 935-938 1996年
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Exciton dynamics in GaN 査読有り
Bergman J P, Monemar B, Amano H, Akasaki I, Hiramatsu K, Sawaki N, Detchprohm T
Institute of Physics Conference Series 142 巻 ( 0 ) 頁： 931-934 1996年
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Recent progress of crystal growth, conductivity control and light emitters of column-III nitrides, and future prospect of nitride-based laser diode 査読有り
Akasaki Isamu, Amano Hiroshi, Suemune ikuo
Institute of Physics Conference Series 142 巻 ( 0 ) 頁： 2010/07/10 1996年
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Determination of the conduction band electron effective mass in hexagonal GaN 査読有り
M. Drechsler D. M. Hofmann, B. K. Meyer, T. Detchprohm, H. Amano and I. Akasaki
Jpn. J. Appl. Phys.Part : Letters 34 巻 ( 0 ) 頁： L1178-L1179 1995年
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Characterization of residual transition metal ions in GaN and AlN 査読有り
Baur J., Kaufmann U., Kunzer M., Schneider J., Amano H., Akasaki I., Detchprohm T., Hiramatsu K.
Materials Science Forum 196-201 巻 ( 0 ) 頁： 20333 1995年
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Crystal growth of column III nitrides and their applications to short wavelength light emitters 査読有り
Akasaki I, Amano H
J. Crystal Growth 146 巻 ( 0 ) 頁： 455-61 1995年
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Magneto-optical investigation of the neutral donor bound exciton in GaN 査読有り
Volm D, Streibl T, Meyer B K, Detchprohm T, Amano H, Akasaki I
Solid State Communications 96 巻 ( 0 ) 頁： 53-56 1995年
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Exciton lifetimes in GaN and GaInN 査読有り
Harris C I, Monemar B, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 67 巻 ( 0 ) 頁： 840-2 1995年
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Surface-mode stimulated emission from optically pumped GaInN at room temperature 査読有り
Kim S T, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 67 巻 ( 0 ) 頁： 267-9 1995年
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Hydrogen passivation of Mg acceptors in GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition 査読有り
Gotz W, Johnson N M, Walker J, Bour D P, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 67 巻 ( 0 ) 頁： 1966/08/01 1995年
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Photoluminescence of residual transition metal impurities in GaN 査読有り
Baur J, Kaufmann U, Kunzer M, Schneider J, Amano H, Akasaki I, Detchprohm T, Hiramatsu K
Appl. Phys. Lett. 67 巻 ( 0 ) 頁： 1140-2 1995年
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p-Type conduction in Mg-doped Ga091In009N grown by metalorganic vapor-phase epitaxy 査読有り
Yamasaki S, Asami S, Shibata N, Koike M, Manabe K, Tanaka T, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 66 巻 ( 0 ) 頁： 1112-13 1995年
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Photoemission capacitance transient spectroscopy of n-type GaN 査読有り
Gotz W, Johnson N M, Street R A, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 66 巻 ( 0 ) 頁： 1340-2 1995年
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Properties of the yellow luminescence in undoped GaN epitaxial layers 査読有り
. Hofmann D. M., Kovalev D., Steude G., Meyer B. K., Hoffmann A., Eckey L., Heitz R., Detchprom T., Amano H., Akasaki I.
Physical Review B: Condensed Matter 52 巻 ( 0 ) 頁： 16702-6 1995年
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Exciton dynamics in GaN 査読有り
. Bergman J.P., Monemar B., Amano H., Akasaki I.
Lietuvos Fizikos Zurnalas 35 巻 ( 0 ) 頁： 569-574 1995年