論文 - 天野 浩
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Exciton dynamics in GaN 査読有り
. Bergman J.P., Monemar B., Amano H., Akasaki I.
Lietuvos Fizikos Zurnalas 35 巻 ( 0 ) 頁： 569-574 1995年
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GaN/GaInN/GaN double heterostructure light emitting diode fabricated using plasma-assisted molecular beam epitaxy 査読有り
Sakai Hiromitsu, Koide Takashi, Suzuki Hiroyuki, Yamaguchi Machiko, Yamasaki Shiro, Koike Masayoshi, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu
Jpn. J. Appl. Phys.Part : Letters 34 巻 ( 0 ) 頁： L1429-L1431 1995年
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Direct patterning of the current confinement structure for p-type Column-III nitrides by low-energy electron beam irradiation treatment 査読有り
Inamori Masahiko, Sakai Hiromitsu, Tanaka Toshiyuki, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu
Jpn. J. Appl. Phys. 34 巻 ( 0 ) 頁： 1190-3 1995年
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Stimulated emission by current injection from an AlGaN/GaN/GaInN quantum well device 査読有り
I. Akasaki, H. Amano, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka and M. Koike
Jpn. J. Appl. Phys. 34 巻 ( 0 ) 頁： L1517-L1519 1995年
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Polarization of light from an optically pumped (Al-Ga-N)/(Ga-In-N) double heterostructure 査読有り
S. T. Kim, T. Tanaka, H. Amano and I. Akasaki
Mater. Sci. & Eng. B 26 巻 ( 0 ) 頁： L5-L7 1994年
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Iron acceptors in gallium nitride (GaN) 査読有り
K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufmann, J. Schneider, B. Monemar, I. Akasaki and H. Amano.
Materials Science Forum 143-147 巻 ( 0 ) 頁： 1993/08/01 1994年
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ODMR studies of MOVPE-grown GaN epitaxial layers 査読有り
M. Kunzer, U. Kaufmann, K. Maier, J. Schneider, N. Herres, I. Akasaki and H. Amano.
Materials Science Forum 143-147 巻 ( 0 ) 頁： 87-92 1994年
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Widegap column-III nitride semiconductors for UV/blue light emitting devices 査読有り
I. Akasaki and H. Amano.
Journal of the Electrochemical Society 141 巻 ( 0 ) 頁： 2266-71 1994年
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Perspective of UV/blue light emitting devices based on column-III nitrides 査読有り
I. Akasaki and H. Amano.
Institute of Physics Conference Series 136 巻 ( 0 ) 頁： 249-56 1994年
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p-Type conduction in Mg-doped GaN and Al008Ga092N grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
T. Tanaka, A. Watanabe, H. Amano, Y. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki, and M. Koike
Appl. Phys. Lett. 65 巻 ( 0 ) 頁： 593-4 1994年
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Deep level defects in n-type GaN 査読有り
W. Goetz, N. M. Johnson, H. Amano and I. Akasaki
Appl. Phys. Lett. 65 巻 ( 0 ) 頁： 463-5 1994年
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Infrared luminescence of residual iron deep level acceptors in gallium nitride (GaN) epitaxial layers 査読有り
J. Baur, K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufmann, J. Schneider, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm and K. Hiramatsu
Appl. Phys. Lett. 64 巻 ( 0 ) 頁： 857-9 1994年
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Optical gain of optically pumped Al01Ga09N/GaN double heterostructure at room temperature 査読有り
S. T. Kim, H. Amano, I. Akasaki and N. Koide
Appl. Phys. Lett. 64 巻 ( 0 ) 頁： 1535-6 1994年
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Room-temperature violet stimulated emission from optically pumped AlGaN/GaInN double heterostructure 査読有り
H. Amano, T. Tanaka Y. Kunii, K. Kato S. T. Kim and I. Akasaki
Appl. Phys. Lett. 64 巻 ( 0 ) 頁： 1377-9 1994年
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Room-temperature low-threshold surface-stimulated emission by optical pumping from aluminum gallium nitride/gallium nitride (Al01Ga09N/GaN) double heterostructure 査読有り
H. Amano, N. Watanabe, N. Koide and I. Akasaki.
Jpn. J. Appl. Phys. 32 巻 ( 0 ) 頁： L1000-L1002 1993年
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GaN-based UV/blue light emitting devices 査読有り
I. Akasaki, H. Amano, K. Itoh, N. Koide and K. Manabe
Inst. Phys. Conf. Ser. 129 巻 ( 0 ) 頁： 851-6 1993年
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The growth of single crystalline gallium nitride on a silicon substrate using aluminum nitride as an intermediate layer 査読有り
A. Watanabe, T. Takeuchi K. Hirosawa, H. Amano, K. Hiramatsu and I. Akasaki
J. Crystal Growth 128 巻 ( 0 ) 頁： 391-6 1993年
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The growth of thick gallium nitride film on sapphire substrate by using zinc oxide buffer layer 査読有り
T. Detchprohm, H. Amano, K. Hiramatsu and I. Akasaki
J. Crystal Growth 128 巻 ( 0 ) 頁： 384-390 1993年
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Growth of gallium nitride and aluminum gallium nitride for UV/blue p-n junction diodes 査読有り
I. Akasaki, H. Amano, H. Murakami, M. Sassa H. Kato and K. Manabe
J. Crystal Growth 128 巻 ( 0 ) 頁： 379-383 1993年
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Radiative energy transfer in magnesium-doped gallium nitride/chromium(3+)-doped alumina (GaN:Mg/Al2O3:Cr3+) epitaxial systems 査読有り
K. Maier, J. Schneider, I. Akasaki and H. Amano.
Jpn. J. Appl. Phys. 32 巻 ( 0 ) 頁： L846-L848 1993年