論文 - 天野 浩
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Systematic analysis and control of low-temperature GaN buffer layers on sapphire substrates 査読有り
Sumiya M, Ogusu N, Yotsuda Y, Itoh M, Fuke S, Nakamura T, Mochizuki S, Sano T, Kamiyama S, Amano H, Akasaki I
J. Apl. Phys. 93 巻 ( 0 ) 頁： 1311-1319 2003年
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Light emission and microstructure of Mg-doped AlGaN grown on patterned sapphire 査読有り
Bell A, Liu R, Ponce F A, Amano H, Akasaki I, Cherns D
Appl. Phys. Lett. 82 巻 ( 0 ) 頁： 349-351 2003年
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High-power UV-light-emitting diode on sapphire 査読有り
Iwaya Motoaki, Takanami Shun, Miyazaki Atsushi, Watanabe Yasuhiro, Kamiyama Satoshi, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu
Jpn. J. Appl. Phys. Part : Regular PapersShort Notes & Review Papers 42 巻 ( 0 ) 頁： 400-403 2003年
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ZrB2 substrate for nitride semiconductors 査読有り
Kinoshita Hiroyuki, Otani Shigeki, Kamiyama Satoshi, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu, Suda Jun, Matsunami Hiroyuki
Jpn. J. Appl. Phys.Part : Regular PapersShort Notes & Review Papers 42 巻 ( 0 ) 頁： 2260-2264 2003年
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Piezoelectric effect in group-III nitride-based heterostructures and quantum wells 査読有り
Takeuchi T, Wetzel C, Amano H, Akasaki I
Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices 16 巻 ( 0 ) 頁： 399-438 2003年
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Structural analysis of Si-doped AlGaN/GaN multi-quantum wells 査読有り
Nakamura Tetsuya, Mochizuki Shingo, Terao Shinji, Sano Tomoaki, Iwaya Motoaki, Kamiyama Satoshi, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu
J. Crystal Growth 237-239 巻 ( 0 ) 頁： 1129-1132 2002年
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Photoluminescence and electroluminescence characterization of InxGa1-xN/InyGa1-yN multiple quantum well light emitting diodes 査読有り
Bergman J P, Pozina G, Monemar B, Kamiyama S, Iwaya M, Amano H, Akasaki I
Materials Science Forum 389-393 巻 ( 0 ) 頁： 1493-1496 2002年
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MOVPE growth and characterization of Al1-xInxN/GaN multiple layers 査読有り
Kosaki Masayoshi, Mochizuki Shingo, Nakamura Tetsuya, Watanabe Yasuhiro, Yukawa Yohei, Nitta Shugo, Yamaguchi Shigeo, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu
J. Crystal Growth 237-239 巻 ( 0 ) 頁： 968-971 2002年
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Suppression of phase separation of AlGaN during lateral growth and fabrication of high-efficiency UV-LED on optimized AlGaN 査読有り
Iwaya Motoaki, Terao Shinji, Sano Tomoaki, Ukai Tsutomu, Nakamura Ryo, Kamiyama Satoshi, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu
J. Crystal Growth 237-239 巻 ( 0 ) 頁： 951-955 2002年
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Relaxation of misfit-induced stress in nitride-based heterostructures 査読有り
Terao Shinji, Iwaya Motoaki, Sano Tomoaki, Nakamura Tetsuya, Kamiyama Satoshi, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu
J. Crystal Growth 237-239 巻 ( 0 ) 頁： 947-950 2002年
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Characterization of local structures around In atoms in Ga1-xInxN layers by fluorescence EXAFS measurements 査読有り
Tabuchi M, Katou D, Kyouzu H, Takeda Y, Yamaguchi S, Amano H, Akasaki I
J. Crystal Growth 237-239 巻 ( 0 ) 頁： 1139-1142 2002年
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Atomic scale characterization of GaInN/GaN layers grown on sapphire substrates with low-temperature deposited AlN buffer layers 査読有り
Tabuchi M, Kyouzu H, Takeda Y, Yamaguchi S, Amano H, Akasaki I
J. Crystal Growth 237-239 巻 ( 0 ) 頁： 1133-1138 2002年
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Electric fields in polarized GaInN/GaN heterostructures 査読有り
Wetzel C, Takeuchi T, Amano H, Akasaki I
Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices 14 巻 ( 0 ) 頁： 219-258 2002年
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Annihilation of threading dislocations in GaN/AlGaN 査読有り
Kuwano N, Tsuruda T, Adachi Y, Terao S, Kamiyama S, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi A: Applied Research 192 巻 ( 0 ) 頁： 366-370 2002年
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UV light-emitting diode fabricated on hetero-ELO-grown Al022Ga078N with low dislocation density 査読有り
Kamiyama S, Iwaya M, Takanami S, Terao S, Miyazaki A, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi A: Applied Research 192 巻 ( 0 ) 頁： 296-300 2002年
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Influence of depletion fields on photoluminescence of n-doped InGaN/GaN multiple quantum well structures 査読有り
Monemar B, Paskov P P, Pozina G, Bergman J P, Kamiyama S, Iwaya M, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi A: Applied Research 192 巻 ( 0 ) 頁： 21-26 2002年
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Photoluminescence of excitons in InxGa1-xN/InyGa1-yN multiple quantum wells 査読有り
Monemar B, Paskov P P, Bergman J P, Pozina G, Paskova T, Kamiyama S, Iwaya M, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi A: Applied Research 190 巻 ( 0 ) 頁： 161-166 2002年
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Optical study of AlGaN/GaN multiple quantum well structures grown on laterally overgrown GaN templates 査読有り
Pozina G, Bergman J P, Monemar B, Kamiyama S, Iwaya M, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi A: Applied Research 190 巻 ( 0 ) 頁： 107-111 2002年
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High-quality and high-mobility AlInN/GaN superlattices grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
Yamaguchi S, Iwamura Y, Kosaki M, Watanabe Y, Mochizuki S, Nakamura T, Yukawa Y, Nitta S, Kamiyama S, Amano H, Akasaki I
Institute of Physics Conference Series 170 巻 ( 0 ) 頁： 813-817 2002年
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Growth of high-quality GaN on metallic-ZrB2 by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
Yukawa Y, Nakamura T, Kosaki M, Watanabe Y, Nitta S, Kamiyama S, Amano H, Akasaki I, Otani S, Kinoshita H
Institute of Physics Conference Series 170 巻 ( 0 ) 頁： 713-718 2002年