論文 - 天野 浩
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Effects of buffer layers in heteroepitaxy of gallium nitride 査読有り
Hiramatsu K, Detchprohm T, Amano H, Akasaki I
Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanisms ( 0 ) 頁： 399-413 1997年
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Progress and prospect of group-III nitride semiconductors 査読有り
Akasaki Isamu, Amano Hiroshi
J. Crystal Growth 175/176 巻 ( 0 ) 頁： 29-36 1997年
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Photoluminescence and optical gain in highly excited GaN 査読有り
Eckey L, Holst J, Hoffmann A, Broser I, Amano H, Akasaki I, Detchprohm T, Hiramatsu K
Journal of Luminescence 72-74 巻 ( 0 ) 頁： 59-61 1997年
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Photoluminescence decay dynamics in an InGaN/GaN/AlGaN single quantum well 査読有り
Li Wei, Bergman Peder, Monemar Bo, Amano H, Akasaki I
J. Apl. Phys. 81 巻 ( 0 ) 頁： 1005-1007 1997年
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Optical properties of tensile-strained wurtzite GaN epitaxial layers 査読有り
Chichibu S, Azuhata T, Sota T, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 70 巻 ( 0 ) 頁： 2085-2087 1997年
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Transient four-wave-mixing spectroscopy on gallium nitride: Energy splittings of intrinsic excitonic resonances 査読有り
Zimmermann R, Euteneuer A, Mobius J, Weber D, Hofmann M R, Ruhle W W, Gobel E O, Meyer B K, Amano H, Akasaki I
Physical Review B: Condensed Matter 56 巻 ( 0 ) 頁： R12722-R12724 1997年
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N K-edge x-ray-absorption study of heteroepitaxial GaN films 査読有り
Katsikini M, Paloura E C, Fieber-Erdmann M, Kalomiros J, Moustakas T D, Amano H, Akasaki I
Physical Review B: Condensed Matter 56 巻 ( 0 ) 頁： 13380-13386 1997年
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Shortest wavelength semiconductor laser diode 査読有り
Akasaki I, Sota S, Sakai H, Tanaka T, Koike M, Amano H
Electronics Letters 32 巻 ( 0 ) 頁： 1105-1106 1996年
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Effect of Si doping on the dislocation structure of GaN grown on a A-face of sapphire 査読有り
Ruvimov Sergei, Liliental-Weber Zuzanna, Suski Tadesuz, Ager Joel W III, Washburn Jack, Krueger Joachim, Kisielowski Charistian, Weber Eicke R, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 69 巻 ( 0 ) 頁： 990-992 1996年
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Photoluminescence related to the two-dimensional electron gas at a GaN/AlGaN heterointerface 査読有り
Bergman J P, Lundstroem t, Monemar B, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 69 巻 ( 0 ) 頁： 3456-3458 1996年
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High-resolution x-ray analysis of InGaN/GaN superlattices grown on sapphire substrates with GaN layers 査読有り
Li Wei, Bergman Peder, Ivanov Ivan, Ni Wei-Xin, Amano H, Akasa I
Appl. Phys. Lett. 69 巻 ( 0 ) 頁： 3390-3392 1996年
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Intrinsic optical properties of GaN epilayers grown on SiC substrates: effect of the built-in strain 査読有り
Buyanova I A, Bergman J P, Monemar B, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 69 巻 ( 0 ) 頁： 1255-1257 1996年
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75Å GaN channel modulation doped field effect transistors 査読有り
Burm Jinwook, Schaff William J, Eastman Lester F, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu
Appl. Phys. Lett. 68 巻 ( 0 ) 頁： 2849-2851 1996年
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Infrared reflection of GaN and AlGaN thin film heterostructures with AlN buffer layers 査読有り
Wetzel C, Haller E E, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 68 巻 ( 0 ) 頁： 2547/09/01 1996年
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Resonant Raman scattering in hexagonal GaN 査読有り
Behr D, Wagner J, Schneider J, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 68 巻 ( 0 ) 頁： 2404/06/01 1996年
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High-quality (Ga,In)N/GaN multiple quantum wells 査読有り
Koike M, Yamasaki S, Nagai S, Koide N, Asami S, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 68 巻 ( 0 ) 頁： 1403-5 1996年
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Spatially resolved photoluminescence and Raman scattering experiments on the GaN/substrate interface 査読有り
Siegle H, Thurian P, Eckey L, Hoffmann A, Thomsen C, Meyer B K, Amano H, Akasaki I, Detchprohm T, Hiramatsu K
Appl. Phys. Lett. 68 巻 ( 0 ) 頁： 1265-6 1996年
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Free exciton emission in GaN 査読有り
Kovalev D, Averboukh B, Volm D, Meyer B K, Amano H, Akaski I
Physical Review B: Condensed Matter 54 巻 ( 0 ) 頁： 2518-2522 1996年
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Free and bound excitons in thin wurtzite GaN 査読有り
Merz C, Kunzer M, Kaufmann U, Akasaki I, Amano H
Materials Science & Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology 43 巻 ( 0 ) 頁： 176-180 1996年
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Magneto-optical studies of GaN and GaN/AlxGa1-xN: donor Zeeman spectroscopy and two dimensional electron gas cyclotron resonance 査読有り
Wang Y J, Kaplan R, Ng H K, Doverspike K, Gaskill D K, Ikedo T, Akasaki I, Amono H
J. Apl. Phys. 79 巻 ( 0 ) 頁： 8007-8010 1996年