論文 - 天野 浩
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High-resolution x-ray analysis of InGaN/GaN superlattices grown on sapphire substrates with GaN layers 査読有り
Li Wei, Bergman Peder, Ivanov Ivan, Ni Wei-Xin, Amano H, Akasa I
Appl. Phys. Lett. 69 巻 ( 0 ) 頁: 3390-3392 1996年
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Intrinsic optical properties of GaN epilayers grown on SiC substrates: effect of the built-in strain 査読有り
Buyanova I A, Bergman J P, Monemar B, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 69 巻 ( 0 ) 頁: 1255-1257 1996年
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75Å GaN channel modulation doped field effect transistors 査読有り
Burm Jinwook, Schaff William J, Eastman Lester F, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu
Appl. Phys. Lett. 68 巻 ( 0 ) 頁: 2849-2851 1996年
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Infrared reflection of GaN and AlGaN thin film heterostructures with AlN buffer layers 査読有り
Wetzel C, Haller E E, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 68 巻 ( 0 ) 頁: 2547/09/01 1996年
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Resonant Raman scattering in hexagonal GaN 査読有り
Behr D, Wagner J, Schneider J, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 68 巻 ( 0 ) 頁: 2404/06/01 1996年
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High-quality (Ga,In)N/GaN multiple quantum wells 査読有り
Koike M, Yamasaki S, Nagai S, Koide N, Asami S, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 68 巻 ( 0 ) 頁: 1403-5 1996年
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Spatially resolved photoluminescence and Raman scattering experiments on the GaN/substrate interface 査読有り
Siegle H, Thurian P, Eckey L, Hoffmann A, Thomsen C, Meyer B K, Amano H, Akasaki I, Detchprohm T, Hiramatsu K
Appl. Phys. Lett. 68 巻 ( 0 ) 頁: 1265-6 1996年
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Free exciton emission in GaN 査読有り
Kovalev D, Averboukh B, Volm D, Meyer B K, Amano H, Akaski I
Physical Review B: Condensed Matter 54 巻 ( 0 ) 頁: 2518-2522 1996年
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Free and bound excitons in thin wurtzite GaN 査読有り
Merz C, Kunzer M, Kaufmann U, Akasaki I, Amano H
Materials Science & Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology 43 巻 ( 0 ) 頁: 176-180 1996年
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Determination of the conduction band electron effective mass in hexagonal GaN 査読有り
M. Drechsler D. M. Hofmann, B. K. Meyer, T. Detchprohm, H. Amano and I. Akasaki
Jpn. J. Appl. Phys.Part : Letters 34 巻 ( 0 ) 頁: L1178-L1179 1995年
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Characterization of residual transition metal ions in GaN and AlN 査読有り
Baur J., Kaufmann U., Kunzer M., Schneider J., Amano H., Akasaki I., Detchprohm T., Hiramatsu K.
Materials Science Forum 196-201 巻 ( 0 ) 頁: 20333 1995年
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Crystal growth of column III nitrides and their applications to short wavelength light emitters 査読有り
Akasaki I, Amano H
J. Crystal Growth 146 巻 ( 0 ) 頁: 455-61 1995年
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Magneto-optical investigation of the neutral donor bound exciton in GaN 査読有り
Volm D, Streibl T, Meyer B K, Detchprohm T, Amano H, Akasaki I
Solid State Communications 96 巻 ( 0 ) 頁: 53-56 1995年
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Exciton lifetimes in GaN and GaInN 査読有り
Harris C I, Monemar B, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 67 巻 ( 0 ) 頁: 840-2 1995年
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Surface-mode stimulated emission from optically pumped GaInN at room temperature 査読有り
Kim S T, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 67 巻 ( 0 ) 頁: 267-9 1995年
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Hydrogen passivation of Mg acceptors in GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition 査読有り
Gotz W, Johnson N M, Walker J, Bour D P, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 67 巻 ( 0 ) 頁: 1966/08/01 1995年
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Photoluminescence of residual transition metal impurities in GaN 査読有り
Baur J, Kaufmann U, Kunzer M, Schneider J, Amano H, Akasaki I, Detchprohm T, Hiramatsu K
Appl. Phys. Lett. 67 巻 ( 0 ) 頁: 1140-2 1995年
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p-Type conduction in Mg-doped Ga091In009N grown by metalorganic vapor-phase epitaxy 査読有り
Yamasaki S, Asami S, Shibata N, Koike M, Manabe K, Tanaka T, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 66 巻 ( 0 ) 頁: 1112-13 1995年
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Photoemission capacitance transient spectroscopy of n-type GaN 査読有り
Gotz W, Johnson N M, Street R A, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 66 巻 ( 0 ) 頁: 1340-2 1995年
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Properties of the yellow luminescence in undoped GaN epitaxial layers 査読有り
. Hofmann D. M., Kovalev D., Steude G., Meyer B. K., Hoffmann A., Eckey L., Heitz R., Detchprom T., Amano H., Akasaki I.
Physical Review B: Condensed Matter 52 巻 ( 0 ) 頁: 16702-6 1995年