論文 - 天野 浩
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Low-dislocation-density GaN and AlxGa1-xN (x? 013) grown on grooved substrates 査読有り
Sano Shigekazu, Detchprohm Theeradetch, Mochizuki Shingo, Kamiyama Satoshi, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu
J. Crystal Growth 235 巻 ( 0 ) 頁： 129-134 2002年
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Migration of dislocations in strained GaN heteroepitaxial layers 査読有り
Sahonta S-L, Baines M Q, Cherns D, Amano H, Ponce F A
Physica Status Solidi B: Basic Research 234 巻 ( 0 ) 頁： 952-955 2002年
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Mg incorporation in AlGaN layers grown on grooved sapphire substrates 査読有り
Cherns D, Baines M Q, Wang Y Q, Liu R, Ponce F A, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi B: Basic Research 234 巻 ( 0 ) 頁： 850-854 2002年
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Phonon-assisted photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells 査読有り
Paskov P P, Holtz P O, Monemar B, Kamiyama S, Iwaya M, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi B: Basic Research 234 巻 ( 0 ) 頁： 755-758 2002年
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Mass transport of AlxGa1-xN 査読有り
Nitta S, Yukawa Y, Watanabe Y, Kamiyama S, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi A: Applied Research 194 巻 ( 0 ) 頁： 485-488 2002年
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High-efficiency UV light-emitting diode 査読有り
Kamiyama S, Iwaya M, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi A: Applied Research 194 巻 ( 0 ) 頁： 393-398 2002年
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Effect of In-doping on the properties of as-grown p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
Yamaguchi S, Iwamura Y, Watanabe Y, Kosaki M, Yukawa Y, Nitta S, Kamiyama S, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi A: Applied Research 192 巻 ( 0 ) 頁： 453-455 2002年
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Annihilation of threading dislocations in GaN/AlGaN 査読有り
Kuwano N, Tsuruda T, Adachi Y, Terao S, Kamiyama S, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi A: Applied Research 192 巻 ( 0 ) 頁： 366-370 2002年
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UV light-emitting diode fabricated on hetero-ELO-grown Al022Ga078N with low dislocation density 査読有り
Kamiyama S, Iwaya M, Takanami S, Terao S, Miyazaki A, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi A: Applied Research 192 巻 ( 0 ) 頁： 296-300 2002年
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Influence of depletion fields on photoluminescence of n-doped InGaN/GaN multiple quantum well structures 査読有り
Monemar B, Paskov P P, Pozina G, Bergman J P, Kamiyama S, Iwaya M, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi A: Applied Research 192 巻 ( 0 ) 頁： 21-26 2002年
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Photoluminescence of excitons in InxGa1-xN/InyGa1-yN multiple quantum wells 査読有り
Monemar B, Paskov P P, Bergman J P, Pozina G, Paskova T, Kamiyama S, Iwaya M, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi A: Applied Research 190 巻 ( 0 ) 頁： 161-166 2002年
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Novel aspects of the growth of nitrides by MOVPE 査読有り
Amano H, Akasaki I
Journal of Physics: Condensed Matter 13 巻 ( 0 ) 頁： 6935-6944 2001年
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Luminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells grown by mass-transport 査読有り
Pozina G, Bergman J P, Monemar B, Iwaya M, Nitta S, Amano H, Akasaki I
Materials Science Forum 353-356 巻 ( 0 ) 頁： 791-794 2001年
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Compensation mechanism in MOCVD and MBE grown GaN:Mg 査読有り
Alves H, Bohm M, Hofstaetter A, Amano H, Einfeldt S, Hommel D, Hofmann D M, Meyer B K
Physica B: Condensed Matter AmsterdamNetherlands 308-310 巻 ( 0 ) 頁： 38-41 2001年
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DX-like behavior of oxygen in GaN 査読有り
Wetzel C, Amano H, Akasaki I, Ager J W, Grzegory I, Meyer B K
Physica B: Condensed Matter AmsterdamNetherlands 302&303 巻 ( 0 ) 頁： 23-38 2001年
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Photoluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells grown by mass transport 査読有り
Pozina G, Bergman J P, Monemar B, Iwaya M, Nitta S, Amano H, Akasaki I
J. Crystal Growth 230 巻 ( 0 ) 頁： 473-476 2001年
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Near K-edge absorption spectra of III-V nitrides 査読有り
Fukui K, Hirai R, Yamamoto A, Hirayama H, Aoyagi Y, Yamaguchi S, Amano H, Akasaki I, Tanaka S
Physica Status Solidi B: Basic Research 228 巻 ( 0 ) 頁： 461-465 2001年
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Optical characterization of InGaN/GaN MQW structures without in phase separation 査読有り
Monemar B, Paskov P P, Pozina G, Paskova T, Bergman J P, Iwaya M, Nitta S, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi B: Basic Research 228 巻 ( 0 ) 頁： 157-160 2001年
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Low-temperature-deposited AlGaN interlayer for improvement of AlGaN/GaN heterostructure 査読有り
Kamiyama S, Iwaya M, Hayashi N, Takeuchi T, Amano H, Akasaki I, Watanabe S, Kaneko Y, Yamada N
J. Crystal Growth 223 巻 ( 0 ) 頁： 83-91 2001年
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Crystal growth of high-quality AlInN/GaN superlattices and of crack-free AlN on GaN: their possibility of high electron mobility transistor 査読有り
Yamaguchi S, Kosaki M, Watanabe Y, Mochizuki S, Nakamura T, Yukawa Y, Nitta S, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi A: Applied Research 188 巻 ( 0 ) 頁： 895-898 2001年