論文 - 天野 浩
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High-output-power AlGaN/GaN ultraviolet-light-emitting diodes by activation of Mg-doped p-type AlGaN in oxygen ambient 査読有り
Nagata, Kengo, Ichikawa, Tomoki, Takeda, Kenichiro, Nagamatsu, Kentaro, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
Physica Status Solidi A: 207 巻 ( 0 ) 頁： 1393-1396 2010年
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MOVPE法により成長したa面及びc面MgドープGaNにおける補償効果 査読有り
飯田大輔、田村健太、岩谷素顕、天野浩、上山智、赤﨑勇
312 巻 ( 21 ) 頁： 3131-3135 2010年
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Defects in highly Mg-doped AlN 査読有り
Nonaka, Kentaro, Asai, Toshiaki, Nagamatsu, Kentaro, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
Physica Status Solidi A 207 巻 ( 0 ) 頁： 1299-1301 2010年
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Growth mechanism of c-axis-oriented AlN on (001) diamond substrates by metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り
Imura, Masataka, Nakajima, Kiyomi, Liao, Meiyong, Koide, Yasuo, Amano, Hiroshi
Journal of Crystal Growth 312 巻 ( 0 ) 頁： 368-372 2010年
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Growth mechanism of c-axis-oriented AlN on (111) diamond substrates by metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り
Imura, Masataka, Nakajima, Kiyomi, Liao, Meiyong, Koide, Yasuo, Amano, Hiroshi
Journal of Crystal Growth 312 巻 ( 0 ) 頁： 1325-1328 2010年
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III族窒化物半導体へのp型ドーピングと結晶欠陥 招待有り 査読有り
天野 浩、岩谷 素顕、上山 智、赤﨑 勇
日本結晶成長学会誌 36 巻 ( 3 ) 頁： 200-204 2009年3月
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Temperature dependence of excitonic transitions in a-plane AlN epitaxial layers 査読有り
Murotani, Hideaki, Kuronaka, Takahiro, Yamada, Yoichi, Taguchi, Tsunemasa, Okada, Narihito, Amano, Hiroshi
Journal of Applied Physics 105 巻 ( 0 ) 頁： 083533/1-083533/6 2009年
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Activation energy of Mg in a-plane Ga1-xInxN (0 < x < 0.17) 査読有り
Iida, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
Physica Status Solidi B: 246 巻 ( 0 ) 頁： 1188-1190 2009年
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Crystal growth and p-type conductivity control of AlGaN for high-efficiency nitride-based UV emitters 査読有り
Mori, T., Nagamatsu, K., Nonaka, K., Takeda, K., Iwaya, M., Kamiyama, S., Amano, H., Akasaki, I.
Physica Status Solidi C 6 巻 ( 0 ) 頁： 2621-2625 2009年
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Electrical properties and deep traps spectra in undoped and Si-doped m-plane GaN films 査読有り
Polyakov, A. Y., Smirnov, N. B., Govorkov, A. V., Markov, A. V., Yugova, T. G., Petrova, E. A., Amano, H., Kawashima, T., Scherbatchev, K. D., Bublik, V. T.
Journal of Applied Physics 105 巻 ( 0 ) 頁： 063708/1-063708/9 2009年
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Electrical properties and deep traps spectra in undoped M-plane GaN films prepared by standard MOCVD and by selective lateral overgrowth 査読有り
Polyakov, A. Y., Smirnov, N. B., Govorkov, A. V., Markov, A. V., Yakimov, E. B., Vergeles, P. S., Amano, H., Kawashima, T.
Journal of Crystal Growth 311 巻 ( 0 ) 頁： 2923-2925 2009年
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Evidence for two Mg related acceptors in GaN 査読有り
Monemar B, Paskov P P, Pozina G, Hemmingsson C, Bergman J P, Kawashima T, Amano H, Akasaki I, Paskova T, Figge S, et al
Physical review letters 102 巻 ( 0 ) 頁： 235501/1-235501/4 2009年
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Experimental and theoretical investigations of optical properties of GaN/AlGaN MQW nanostructures. Impact of built-in polarization fields 査読有り
Esmaeili, M., Gholami, M., Haratizadeh, H., Monemar, B., Holtz, P. O., Kamiyama, S., Amano, H., Akasaki, I.
Opto-Electronics Review 17 巻 ( 0 ) 頁： 293-299 2009年
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Growth of thick GaInN on grooved (1011) GaN/(1012) 4H-SiC 査読有り
Matsubara, Tetsuya, Senda, Ryota, Iida, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
Journal of Crystal Growth 311 巻 ( 0 ) 頁： 2926-2928 2009年
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High-performance UV emitter grown on high-crystalline-quality AlGaN underlying layer 査読有り
Tsuzuki, Hirotoshi, Mori, Fumiaki, Takeda, Kenichiro, Ichikawa, Tomoki, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu, Yoshida, Harumasa, Kuwabara, Masakazu, et al
Physica Status Solidi A 206 巻 ( 0 ) 頁： 1199-1204 2009年
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InGaN growth with various InN mole fractions on m-plane ZnO substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
Kawai, Yohjiro, Ohsuka, Shinya, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
Journal of Crystal Growth 311 巻 ( 0 ) 頁： 2929-2932 2009年
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Misfit strain relaxation by stacking fault generation in InGaN quantum wells grown on m-plane GaN 査読有り
Fischer, Alec M., Wu, Zhihao, Sun, Kewei, Wei, Qiyuan, Huang, Yu, Senda, Ryota, Iida, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Amano, Hiroshi, Ponce, Fernando A.
Applied Physics Express 2 巻 ( 0 ) 頁： 041002/1-041002/3 2009年
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Novel UV devices on high-quality AlGaN using grooved underlying layer 査読有り
Tsuzuki, Hirotoshi, Mori, Fumiaki, Takeda, Kenichiro, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu, Yoshida, Harumasa, Kuwabara, Masakazu, Yamashita, Yoji, et al
Journal of Crystal Growth 311 巻 ( 0 ) 頁： 2860-2863 2009年
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One-sidewall-seeded epitaxial lateral overgrowth of a-plane GaN by metalorganic vapor-phase epitaxy 査読有り
Iida, Daisuke, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
Journal of Crystal Growth 311 巻 ( 0 ) 頁： 2887-2890 2009年
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Optimization of electrode configuration in large GaInN light-emitting diodes 査読有り
Ochiai, Wataru, Kawai, Ryosuke, Suzuki, Atsushi, Iwaya, Motoaki, Amano, Hiroshi, Kamiyama, Satoshi, Akasaki, Isamu
Physica Status Solidic 6 巻 ( 0 ) 頁： 1416-1419 2009年