論文 - 天野 浩
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Microstructure of a-plane AlN grown on r-plane sapphire and on patterned AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
Okada N., Imura M., Nagai T., Balakrishnan K., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I., Maruyama H., Noro T., Takagi T., Bandoh A.
Physica Status Solidi C 4 巻 ( 0 ) 頁： 2528-2531 2007年
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Mg-doped high-quality AlxGa1-xN (x = 0-1) grown by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り
Imura M., Kato N., Okada N., Balakrishnan K., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I., Noro T., Takagi T., Bandoh A.
Physica Status Solidi C 4 巻 ( 0 ) 頁： 2502-2505 2007年
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Void assisted dislocation reduction in AlN and AlGaN by high temperature MOVPE 査読有り
Balakrishnan K., Iida K., Bandoh A., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I.
Physica Status Solidi C 4 巻 ( 0 ) 頁： 2272-2276 2007年
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Epitaxial lateral overgrowth of a-AlN layer on patterned a-AlN template by HT-MOVPE 査読有り
Okada N., Kato N., Sato S., Sumii T., Fujimoto N., Imura M., Balakrishnan K., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I., Takagi T., Noro T., Bandoh A.
J. Crystal Growth 300 巻 ( 0 ) 頁： 141-144 2007年
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Metastable behavior of the UV luminescence in Mg-doped GaN layers grown on quasibulk GaN templates 査読有り
Pozina G., Paskov P. P., Bergman J. P., Hemmingsson C., Hultman L., Monemar B., Amano H., Akasaki I., Usui A.
Appl. Phys. Lett. 91 巻 ( 0 ) 頁： 221901/1-221901/3 2007年
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Metastability of the UV luminescence in Mg-doped GaN layers grown by MOVPE on quasi-bulk GaN templates 査読有り
Pozina G., Monemar B., Paskov P. P., Hemmingsson C., Hultman L., Amano H., Akasaki I., Paskova T., Figge S., Hommel D., Usui A.
Physica B 401-402 巻 ( 0 ) 頁： 302-306 2007年
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Realization of high-crystalline-quality thick m-plane GaInN film on 6H-SiC substrate by epitaxial lateral overgrowth 査読有り
Senda Ryota, Miura Aya, Hayakawa Takemasa, Kawashima Takeshi, Iida Daisuke, Nagai Tetsuya, Iwaya Motoaki, Kamiyama Satoshi, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu
Jpn. J. Appl. Phys. 46 巻 ( 0 ) 頁： L948-L950 2007年
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Dependence of DAP emission properties on impurity concentrations in N-/B-co-doped 6H-SiC. 査読有り
Murata Satoshi, Nakamura Yoshihiro, Maeda Tomohiko, Shibata Yoko, Ikuta Mina, Sugiura Masaaki, Nitta Shugo, Iwaya Motoaki, Kamiyama Satoshi, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu, Yoshimoto Masahiro, Furusho Tomoaki, Kinoshita Hiroyuki.
Materials Science Forum 556-557 巻 ( 0 ) 頁： 335-338 2007年
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Growth of high-quality and crack free AlN layers on sapphire substrate by multi-growth mode modification 査読有り
Okada N., Kato N., Sato S., Sumii T., Nagai T., Fujimoto N., Imura M., Balakrishnan K., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I., Maruyama H., Takagi T., Noro T., Bandoh A.
J. Crystal Growth 298 巻 ( 0 ) 頁： 349-353 2007年
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Microstructure in nonpolar m-plane GaN and AlGaN films 査読有り
Nagai T., Kawashima T., Imura M., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I.
J. Crystal Growth 298 巻 ( 0 ) 頁： 288-292 2007年
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Critical aspects of high temperature MOCVD growth of AlN epilayers on 6H-SiC substrates 査読有り
Balakrishnan K., Fujimoto N., Kitano T., Bandoh A., Imura M., Nakano K., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I., Takagi T., Noro T., Shimono K., Riemann T., Christen J.
Physica Status Solidi C 3 巻 ( 0 ) 頁： 1392-1395 2006年
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A hydrogen-related shallow donor in GaN? 査読有り
Monemar B., Paskov P. P., Bergman J. P., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I.
Physica B 376-377 巻 ( 0 ) 頁： 460-463 2006年
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Dominant shallow acceptor enhanced by oxygen doping in GaN 査読有り
Monemar B., Paskov P. P., Tuomisto F., Saarinen K., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I., Kimura S.
Physica B 376-377 巻 ( 0 ) 頁： 440-443 2006年
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Microstructure of nitrides grown on inclined c-plane sapphire and SiC substrate 査読有り
Imura M., Honshio A., Miyake Y., Nakano K., Tsuchiya N., Tsuda M., Okadome Y., Balakrishnan K., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I.
Physica B 376-377 巻 ( 0 ) 頁： 491-495 2006年
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Dominant shallow acceptor enhanced by oxygen doping in GaN 査読有り
Monemar B, Paskov P P, Tuomisto F, Saarinen K, Iwaya M, Kamiyama S, Amano H, Akasaki I, Kimura S
Physica B 376-377 巻 ( 0 ) 頁： 440-443 2006年
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6H-SiC homoepitaxial growth and optical property of boron- and nitrogen-doped donor-acceptor pair (DAP) emission on 1° -off substrate by closed-space sublimation method 査読有り
Kawai Y., Maeda T., Nakamura Y., Sakurai Y., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I., Yoshimoto M., Furusho T., Kinoshita H., Shiomi H.
Materials Science Forum 527 巻 ( 0 ) 頁： 263-266 2006年
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Improvement in light extraction efficiency in group III nitride-based light-emitting diodes using moth-eye structure 査読有り
Iwaya M., Kasugai H., Kawashima T., Iida K., Honshio A., Miyake Y., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I.
Thin Solid Films 515 巻 ( 0 ) 頁： 768-770 2006年
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X-ray diffraction reciprocal lattice space mapping of a-plane AlGaN on GaN 査読有り
Tsuda Michinobu, Furukawa Hiroko, Honshio Akira, Iwaya Motoaki, Kamiyama Satoshi, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu.
Physica Status Solidi B 243 巻 ( 0 ) 頁： 1524-1528 2006年
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Epitaxial lateral overgrowth of AlN layers on patterned sapphire substrates 査読有り
Nakano K., Imura M., Narita G., Kitano T., Hirose Y., Fujimoto N., Okada N., Kawashima T., Iida K., Balakrishnan K., Tsuda M., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I.
Physica Status Solidi A 203 巻 ( 0 ) 頁： 1632-1635 2006年
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Microstructure of thick AlN grown on sapphire by high-temperature MOVPE 査読有り
Imura M., Nakano K., Kitano T., Fujimoto N., Okada N., Balakrishnan K., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I., Shimono K., Noro T., Takagi T., Bandoh A.
Physica Status Solidi A 203 巻 ( 0 ) 頁： 1626-1631 2006年