論文 - 天野 浩
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Magneto-optical investigation of the neutral donor bound exciton in GaN 査読有り
Volm D, Streibl T, Meyer B K, Detchprohm T, Amano H, Akasaki I
Solid State Communications 96 巻 ( 0 ) 頁： 53-56 1995年
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Exciton lifetimes in GaN and GaInN 査読有り
Harris C I, Monemar B, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 67 巻 ( 0 ) 頁： 840-2 1995年
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Surface-mode stimulated emission from optically pumped GaInN at room temperature 査読有り
Kim S T, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 67 巻 ( 0 ) 頁： 267-9 1995年
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Hydrogen passivation of Mg acceptors in GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition 査読有り
Gotz W, Johnson N M, Walker J, Bour D P, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 67 巻 ( 0 ) 頁： 1966/08/01 1995年
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Photoluminescence of residual transition metal impurities in GaN 査読有り
Baur J, Kaufmann U, Kunzer M, Schneider J, Amano H, Akasaki I, Detchprohm T, Hiramatsu K
Appl. Phys. Lett. 67 巻 ( 0 ) 頁： 1140-2 1995年
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p-Type conduction in Mg-doped Ga091In009N grown by metalorganic vapor-phase epitaxy 査読有り
Yamasaki S, Asami S, Shibata N, Koike M, Manabe K, Tanaka T, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 66 巻 ( 0 ) 頁： 1112-13 1995年
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Photoemission capacitance transient spectroscopy of n-type GaN 査読有り
Gotz W, Johnson N M, Street R A, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 66 巻 ( 0 ) 頁： 1340-2 1995年
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Polarization of light from an optically pumped (Al-Ga-N)/(Ga-In-N) double heterostructure 査読有り
S. T. Kim, T. Tanaka, H. Amano and I. Akasaki
Mater. Sci. & Eng. B 26 巻 ( 0 ) 頁： L5-L7 1994年
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Iron acceptors in gallium nitride (GaN) 査読有り
K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufmann, J. Schneider, B. Monemar, I. Akasaki and H. Amano.
Materials Science Forum 143-147 巻 ( 0 ) 頁： 1993/08/01 1994年
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ODMR studies of MOVPE-grown GaN epitaxial layers 査読有り
M. Kunzer, U. Kaufmann, K. Maier, J. Schneider, N. Herres, I. Akasaki and H. Amano.
Materials Science Forum 143-147 巻 ( 0 ) 頁： 87-92 1994年
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Widegap column-III nitride semiconductors for UV/blue light emitting devices 査読有り
I. Akasaki and H. Amano.
Journal of the Electrochemical Society 141 巻 ( 0 ) 頁： 2266-71 1994年
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Perspective of UV/blue light emitting devices based on column-III nitrides 査読有り
I. Akasaki and H. Amano.
Institute of Physics Conference Series 136 巻 ( 0 ) 頁： 249-56 1994年
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p-Type conduction in Mg-doped GaN and Al008Ga092N grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
T. Tanaka, A. Watanabe, H. Amano, Y. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki, and M. Koike
Appl. Phys. Lett. 65 巻 ( 0 ) 頁： 593-4 1994年
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Deep level defects in n-type GaN 査読有り
W. Goetz, N. M. Johnson, H. Amano and I. Akasaki
Appl. Phys. Lett. 65 巻 ( 0 ) 頁： 463-5 1994年
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Infrared luminescence of residual iron deep level acceptors in gallium nitride (GaN) epitaxial layers 査読有り
J. Baur, K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufmann, J. Schneider, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm and K. Hiramatsu
Appl. Phys. Lett. 64 巻 ( 0 ) 頁： 857-9 1994年
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Optical gain of optically pumped Al01Ga09N/GaN double heterostructure at room temperature 査読有り
S. T. Kim, H. Amano, I. Akasaki and N. Koide
Appl. Phys. Lett. 64 巻 ( 0 ) 頁： 1535-6 1994年
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Room-temperature violet stimulated emission from optically pumped AlGaN/GaInN double heterostructure 査読有り
H. Amano, T. Tanaka Y. Kunii, K. Kato S. T. Kim and I. Akasaki
Appl. Phys. Lett. 64 巻 ( 0 ) 頁： 1377-9 1994年
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Room-temperature low-threshold surface-stimulated emission by optical pumping from aluminum gallium nitride/gallium nitride (Al01Ga09N/GaN) double heterostructure 査読有り
H. Amano, N. Watanabe, N. Koide and I. Akasaki.
Jpn. J. Appl. Phys. 32 巻 ( 0 ) 頁： L1000-L1002 1993年
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Conductivity control of gallium nitride and fabrication of UV/blue GaN light emitting devices 査読有り
I. Akasaki, H. Amano, N. Koide M. Kotaki Mand K. Manabe
Phys. B 185 巻 ( 0 ) 頁： 428-32 1993年
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Electric properties of zinc-doped gallium nitride-type light emitting diode 査読有り
M. R. H. Khan, I. Akasaki, H. Amano, N. Okazaki and K. Manabe
Phys. B 185 巻 ( 0 ) 頁： 480-4 1993年