論文 - 本田 善央
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GaN自立基板上PINダイオードにおける順方向発光パターン解析
宇佐美 茂佳, 安藤 悠人, 田中 敦之, 永松 謙太郎, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.2 巻 ( 0 ) 頁: 2867 - 2867 2016年9月
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Evaluation of excess In during metal organic vapor-phase epitaxy growth of InGaN by monitoring via in situ laser scattering 査読有り
Honda Yoshio
Japanese Journal of Applied Physics 55 巻 2016年
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Growth of semipolar (1-101) high-indium-content InGaN quantum wells using InGaN tilting layer on Si(001) 査読有り
Honda Yoshio
Japanese Journal of Applied Physics 55 巻 2016年
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HVPE and VLS-HVPE synthesis of vertical and horizontal GaN nanowires
Lekhal Kaddour, Mitsunari Tadashi, Honda Yoshio, Amano Hiroshi
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts 2014.2 巻 ( 0 ) 頁: 1745 - 1745 2014年9月
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Son, JS; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H; Baik, KH; Seo, YG; Hwang, SM
THIN SOLID FILMS 546 巻 頁: 108 - 113 2013年11月
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Effects of exciton localization on internal quantum efficiency of InGaN nanowires
Murotani, H; Yamada, Y; Tabata, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 114 巻 ( 15 ) 2013年10月
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Fabrication of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on (1(1)over-bar01) GaN
Tanikawa, T; Sano, T; Kushimoto, M; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 巻 ( 8 ) 2013年8月
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Thick InGaN Growth by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy with Sputtered InGaN Buffer Layer
Ohata, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 巻 ( 8 ) 2013年8月
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Doi, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 巻 ( 8 ) 2013年8月
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Stacking Faults and Luminescence Property of InGaN Nanowires
Tabata, T; Paek, J; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 巻 ( 8 ) 2013年8月
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Sano, T; Doi, T; Inada, SA; Sugiyama, T; Honda, Y; Amano, H; Yoshino, T
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 巻 ( 8 ) 2013年8月
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Growth of GaN on Si(111) Substrates via a Reactive-Sputter-Deposited AlN Intermediate Layer
Yamada, T; Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 巻 ( 8 ) 2013年8月
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GaN Nanowires Grown on a Graphite Substrate by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy
Nakagawa, S; Tabata, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 巻 ( 8 ) 2013年8月
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Son, JS; Miao, C; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H; Seo, YG; Hwang, SM; Baik, KH
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 巻 ( 8 ) 2013年8月
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Okuno, K; Oshio, T; Shibata, N; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 巻 ( 8 ) 2013年8月
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Emission Wavelength Dependence of Internal Quantum Efficiency in InGaN Nanowires
Murotani, H; Andoh, H; Tsukamoto, T; Sugiura, T; Yamada, Y; Tabata, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 巻 ( 8 ) 2013年8月
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I-1-2 高密度ラジカル源を用いた分子線エピタキシー法によるIII族窒化物エピタキシャル成長(窒化物半導体デバイスの精密加工プロセス-窒化物LEDに関わる先端デバイスプロセシング-,口頭発表)
河合 洋次郎, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 近藤 博基, 平松 美根男, 加納 浩之, 山川 晃司, 田 昭治, 堀 勝
IIP情報・知能・精密機器部門講演会講演論文集 2013 巻 ( 0 ) 頁: 5 - 7 2013年
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久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩
電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 112 巻 ( 33 ) 頁: 15 - 18 2012年5月
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Strain relaxation in thick ($1{\bar {1}}01$) InGaN grown on GaN/Si substrate
Tanikawa, T; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H; Sawaki, N
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 249 巻 ( 3 ) 頁: 468 - 471 2012年3月
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Hashimoto, S; Akita, K; Yamamoto, Y; Ueno, M; Nakamura, T; Takeda, K; Iwaya, M; Honda, Y; Amano, H
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 209 巻 ( 3 ) 頁: 501 - 504 2012年3月