論文 - 本田 善央
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Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate 査読有り
E. H. Kim, T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, N. Sawaki
phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁: 1992?1996 2006年
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p-type conduction in a C-doped (1-101)GaN grown on a 7-degree-off oriented (001)Si substrate by selective MOVPE 査読有り
T. Hikosaka, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki
phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁: 1425?1428 2006年
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Cathodoluminescence properties of InGaN codoped with Zn and Si 査読有り
Y. Honda, Y. Yanase, M. Yamaguchi, and N. Sawaki
phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁: 1915?1918 2006年
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The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN stripe structure in the selective MOVPE 査読有り
T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki
phys. stat. sol. (b) 243 巻 ( 7 ) 頁: 1665?1668 2006年
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The surface diffusion of Ga on an AlGaN/GaN stripe structure in the selective MOVPE 査読有り
T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki
phys. stat. sol. (b) 243 巻 ( 7 ) 頁: 1665?1668 - 1668 2006年
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Cathodoluminescence properties of InGaN codoped with Zn and Si 査読有り
Y. Honda, Y. Yanase, M. Yamaguchi, N. Sawaki
phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁: 1915?1918 2006年
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Carbon Incorporation on (1-101) Facet of AlGaN in Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 査読有り
N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki
Jpn. J. Appl. Phys. 45 巻 ( 10A ) 頁: 7655-7660 2006年
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Optical spectra of (1-101) InGaN/GaN and GaN/AlGaN MQW structure grown on a 7 degree off axis (001) Si substrate 査読有り
E. H. Kim, T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, N. Sawaki
phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁: 1992?1996 2006年
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p-type conduction in a C-doped (1-101)GaN grown on a 7-degree-off oriented (001)Si substrate by selective MOVPE 査読有り
T. Hikosaka, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki
phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁: 1425?1428 2006年
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Series Resistance in n-GaN/AlN/n-Si Heterojunction Structure 査読有り
H. Kondo, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki
Jpn. J. Appl. Phys. 45 巻 ( 5A ) 頁: 4015?4017 2006年
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Growth and doping of AlGaN and electroluminescence of SAG-InGaN/AlGaN heterostructure by mixed-source HVPE 査読有り
K. H. Kim, H. S. Ahn, M. Yang, K. S. Jang, S. L. Hwang, W. J. Choi, C. R. Cho, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, M. Koike
phys. stat. sol. (c) 3 巻 ( 6 ) 頁: 1461?1465 2006年
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(001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
彦坂 年輝, 小出 典克, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 105 巻 ( 90 ) 頁: 69 - 74 2005年5月
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(001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
彦坂 年輝, 小出 典克, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦
電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 105 巻 ( 92 ) 頁: 69 - 74 2005年5月
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Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE 査読有り
Y. Honda, M. Okano, M. Yamaguchi, and N. Sawaki
phys. stat. sol. (c) 2 巻 ( 7 ) 頁: 2125? 2128 2005年
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Incorporation of carbon on a (1-101) facet of GaN by MOVPE 査読有り
N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki
J. Cryst. Growth 284 巻 ( 3-4 ) 頁: 341?346 2005年
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Characterization of AlGaN layer with high Al content grown by mixed-source HVPE 査読有り
H. S. Ahn, K. H. Kim, M. Yang, J. Y. Yi, H. J. Lee, J. H. Chang, H. S. Kim, S. W. Kim, S. C. Lee, Y Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki
phys. stat. sol. (a) 202 巻 ( 6 ) 頁: 1048?1052 2005年
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Doping in GaN and AlGaN Grown by Mixed-Source Hydride Vapor Phase Epitaxy 査読有り
J. Y. Yi, Kyoung H. Kim, H. J. Lee, M.?Yang, H. S. Ahn, C. R. Cho, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki
Inst. Phys. Conf. Ser. 184 巻 頁: 373-376 2005年
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Growth of AlGaN on Al2O3 substrates by Mixed-Source HVPE 査読有り
K. H. Kim, J. Y. Yi, H. J. Lee, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, C. R. Cho, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki
Inst. Phys. Conf. Ser. 184 巻 頁: 361-364 2005年
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Effect of Si doping to the (1-101)GaN grown on a 7 degree off oriented (001)Si by selective MOVPE 査読有り
T. Hikosaka, Y. Honda, N. Koide, M. Yamaguchi, and N. Sawaki
Inst. Phys. Conf. Ser. 184 巻 頁: 251-254 2005年
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Growth of thick AlGaN by mixed-source hydride vapor phase epitaxy 査読有り
H.S. Ahn, K.H. Kim, M. Yang, J.Y. Yi, H.J. Lee, C.R. Cho, H.K. Cho, S.W. Kim, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki
Appl. Surf. Science 243 巻 ( 1-4 ) 頁: 178-182 2005年