論文 - 本田 善央
-
High internal quantum efficiency blue-green light-emitting diode with small efficiency droop fabricated on low dislocation density GaN substrate
Sano, Tomotaka, Doi, Tomohiro, Inada, Shunko Albano, Sugiyama, Tomohiko, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi, Yoshino, Takashi
Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁: 08JK09 2013年
-
Growth of GaN on Si (111) Substrates via a Reactive-Sputter-Deposited AlN Intermediate Layer
Yamada, Takaya, Tanikawa, Tomoyuki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi
Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁: 08JB16 2013年
-
Growth mode and threading dislocation behavior of GaN films grown on patterned sapphire substrate with radial stripe pattern
Okuno, Koji, Oshio, Takahide, Shibata, Naoki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi
Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁: 08JB09 2013年
-
GaN Overgrowth on Thermally Etched Nanoporous GaN Template
Miao, Cao, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi
Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁: 08JB03 2013年
-
GaN Nanowires Grown on a Graphite Substrate by Radio Frequency Molecular Beam Epitaxy
Nakagawa, Shinta, Tabata, Takuya, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi
Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁: 08JE07 2013年
-
Fabrication of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on (1bar 101) GaN
Tanikawa, Tomoyuki, Sano, Tomotaka, Kushimoto, Maki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi
Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁: 08JC05 2013年
-
Effects of nano-and microscale SiO2 masks on the growth of a-plane GaN layers on r-plane sapphire
Son, Ji-Su, Miao, Cao, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi, Seo, Yong Gon, Hwang, Sung-Min, Baik, Kwang Hyeon
Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁: 08JC04 2013年
-
Effects of exciton localization on internal quantum efficiency of InGaN nanowires
Murotani, Hideaki, Yamada, Yoichi, Tabata, Takuya, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi
Journal of Applied Physics 114 巻 ( 15 ) 頁: 153506 2013年
-
Effects of low energy e-beam irradiation on cathodoluminescence from GaN 査読有り
S. Suihkonen, H. Nykänen, T. Tanikawa, M. Yamaguchi, Y. Honda, and H. Amano
phys. stat. sol. (a) 210 巻 ( 2 ) 頁: 383-385 2012年12月
-
Effects of low energy e-beam irradiation on cathodoluminescence from GaN 査読有り
S. Suihkonen, H. Nykänen, T. Tanikawa, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano
phys. stat. sol. (a) 210 巻 ( 2 ) 頁: 383-385 2012年12月
-
Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性 査読有り
久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 112 巻 ( 32 ) 頁: 15 - 18 2012年5月
-
Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性 査読有り
久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩
電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 112 巻 ( 33 ) 頁: 15 - 18 2012年5月
-
Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性 査読有り
久志本 真希, 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112 巻 ( 34 ) 頁: 15 - 18 2012年5月
-
Strain relaxation in thick (1-101)InGaN grown on GaN/Si substrate 査読有り
T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, and N. Sawaki
phys. stat. sol. (b) 249 巻 ( 3 ) 頁: 468–471 2012年3月
-
Strain relaxation in thick (1-101)InGaN grown on GaN/Si substrate 査読有り
T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, N. Sawaki
phys. stat. sol. (b) 249 巻 ( 3 ) 頁: 468–471 2012年3月
-
Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE 査読有り
T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
phys. stat. sol. (c) 9 巻 ( 3-4 ) 頁: 646–649 2012年3月
-
Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE 査読有り
T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano
phys. stat. sol. (c) 9 巻 ( 3-4 ) 頁: 646–649 2012年3月
-
Small current collapse in AlGaN/GaN HFETs on a-plane GaN self-standing substrate 査読有り
T. Sugiyama, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, Y. Isobe, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Imade, Y. Kitaoka, and Y. Mori
phys. stat. sol. (c) 9 巻 ( 3-4 ) 頁: 875–878 2012年3月
-
Small current collapse in AlGaN/GaN HFETs on a-plane GaN self-standing substrate 査読有り
T. Sugiyama, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, Y. Isobe, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Imade, Y. Kitaoka, Y. Mori
phys. stat. sol. (c) 9 巻 ( 3-4 ) 頁: 875–878 2012年3月
-
In-situ void formation technique using an AlN shell structure grown on GaN stripes on Si(111) and c-plane sapphire substrates 査読有り
T. Mitsunari, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
phys. stat. sol. (c) 9 巻 ( 3-4 ) 頁: 480–483 2012年3月