論文 - 本田 善央
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X-ray investigations of GaInN single quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy
Ju, Guangxu, Kato, Yoshihiro, Honda, Yoshio, Tabuchi, Masao, Takeda, Yoshikazu, Amano, Hiroshi
physica status solidi (c) 11 巻 ( 3‐4 ) 頁: 393-396 2014年
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Reduction of efficiency droop in InGaN light-emitting diodes on low dislocation density GaN substrate
Yamashita, Kouhei, Sugiyama, Tomohiko, Iwai, Makoto, Honda, Yoshio, Yoshino, Takashi, Amano, Hiroshi
SPIE OPTO 頁: 90030E-90030E-6 2014年
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Characterization of nonpolar a-plane InGaN/GaN multiple quantum well using double nanopillar SiO2 mask
Son, Ji-Su, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi
Japanese Journal of Applied Physics 53 巻 ( 5S1 ) 頁: 05FL01 2014年
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Novel activation process for Mg-implanted GaN
Hashimoto, Shin, Nakamura, Takao, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi
Journal of Crystal Growth 388 巻 頁: 112-115 2014年
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Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique
Jung, Byung Oh, Bae, Si-Young, Kato, Yoshihiro, Imura, Masataka, Lee, Dong-Seon, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi
CrystEngComm 16 巻 ( 11 ) 頁: 2273-2282 2014年
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In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy
Ju, Guangxu, Honda, Yoshio, Tabuchi, Masao, Takeda, Yoshikazu, Amano, Hiroshi
Journal of Applied Physics 115 巻 ( 9 ) 頁: 94906 2014年
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Growth of low-defect-density nonpolar a-plane GaN on r-plane sapphire using pulse NH< sub> 3</sub> interrupted etching
Son, Ji-Su, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi
Optics express 22 巻 ( 3 ) 頁: 3585-3592 2014年
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Growth of InGaN/GaN multiple quantum wells on size-controllable nanopyramid arrays
Miao, Cao, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi
Japanese Journal of Applied Physics 53 巻 ( 3 ) 頁: 30306 2014年
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Enhancement of light output power on GaN-based light-emitting diodes using two-direction stripe-patterned sapphire substrate
Okuno, Koji, Oshio, Takahide, Shibata, Naoki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi
physica status solidi (c) 11 巻 ( 3‐4 ) 頁: 722-725 2014年
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MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (レーザ・量子エレクトロニクス) 査読有り
若杉 侑矢, 本田 善央, 天野 浩
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 巻 ( 331 ) 頁: 47 - 50 2013年11月
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高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (レーザ・量子エレクトロニクス) 査読有り
前川 拓也, 本田 善央, 天野 浩, 西谷 智博
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 巻 ( 331 ) 頁: 43 - 46 2013年11月
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MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (電子部品・材料) 査読有り
若杉 侑矢, 本田 善央, 天野 浩
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 巻 ( 330 ) 頁: 47 - 50 2013年11月
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MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (電子デバイス) 査読有り
若杉 侑矢, 本田 善央, 天野 浩
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 巻 ( 329 ) 頁: 47 - 50 2013年11月
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高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (電子デバイス) 査読有り
前川 拓也, 本田 善央, 天野 浩, 西谷 智博
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 巻 ( 329 ) 頁: 43 - 46 2013年11月
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高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (電子部品・材料) 査読有り
前川 拓也, 本田 善央, 天野 浩, 西谷 智博
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 巻 ( 330 ) 頁: 43 - 46 2013年11月
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Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, and H. Amano
phys. stat. sol. (c) 10 巻 ( 3 ) 頁: 369-372 2013年3月
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Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, and H. Amano
phys. stat. sol. (c) 10 巻 ( 3 ) 頁: 369-372 2013年3月
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Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, H. Amano
phys. stat. sol. (c) 10 巻 ( 3 ) 頁: 369-372 2013年3月
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Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy
K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, H. Amano
phys. stat. sol. (c) 10 巻 ( 3 ) 頁: 369-372 2013年3月
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Growth of GaN on Si (111) Substrates via a Reactive-Sputter-Deposited AlN Intermediate Layer 査読有り
Yamada, Takaya; Tanikawa, Tomoyuki; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;
Japanese Journal of Applied Physics 52 巻 ( 8S ) 頁: 08JB16 2013年