論文 - 本田　善央

Time-resolved spectroscopy in an undoped GaN (1-101) 査読有り

E.H. Kim, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 1 ) 頁： 367-369   2008年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

*Fabrication and properties of semi-polar (1-101) and (11-22) InGaN/GaN light emitting diodes on patterned Si substrates 査読有り

T. Hikosaka, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 6 ) 頁： 2234?2237   2008年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Energy relaxation processes of photo-generated carriers in Mg doped (0001)GaN and (1-101)GaN 査読有り

J. Saida, E. H. Kim, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 6 ) 頁： 1746?1749   2008年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Growth of semi-polar (11-22)GaN on a (113)Si substrate by selective MOVPE 査読有り

T. Tanikawa, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   5 巻 ( 9 ) 頁： 2966-2968   2008年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長 査読有り

中島 由樹, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   107 巻 ( 252 ) 頁： 97 - 102   2007年10月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

選択MOVPE法により(111)Si基板上に作製された(0001)面と(1-101)面からなるGaN台形ストライプ構造上にInGaN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を試みた。InGaN混晶薄膜の膜厚は各々のファセット面上で一様でなく、顕著なリッジ成長が見られた。CLスペクトルから組成均一性を評価したところ、(0001)面上ではスペクトルの中央値(ピーク値)は面上で一様であったが、リッジ部でスペクトル半値幅が増加し組成揺らぎが増強されることが分かった。これらの結果は気相中あるいはファセット表面上での化学種の拡散現象だけでは説明できなかった。

Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長 査読有り

中島 由樹, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   107 巻 ( 253 ) 頁： 97 - 102   2007年10月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

選択MOVPE法により(111)Si基板上に作製された(0001)面と(1-101)面からなるGaN台形ストライプ構造上にInGaN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を試みた。InGaN混晶薄膜の膜厚は各々のファセット面上で一様でなく、顕著なリッジ成長が見られた。CLスペクトルから組成均一性を評価したところ、(0001)面上ではスペクトルの中央値(ピーク値)は面上で一様であったが、リッジ部でスペクトル半値幅が増加し組成揺らぎが増強されることが分かった。これらの結果は気相中あるいはファセット表面上での化学種の拡散現象だけでは説明できなかった。

Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN選択MOVPE成長 査読有り

中島 由樹, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   107 巻 ( 251 ) 頁： 97 - 102   2007年10月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

選択MOVPE法により(111)Si基板上に作製された(0001)面と(1-101)面からなるGaN台形ストライプ構造上にInGaN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を試みた。InGaN混晶薄膜の膜厚は各々のファセット面上で一様でなく、顕著なリッジ成長が見られた。CLスペクトルから組成均一性を評価したところ、(0001)面上ではスペクトルの中央値(ピーク値)は面上で一様であったが、リッジ部でスペクトル半値幅が増加し組成揺らぎが増強されることが分かった。これらの結果は気相中あるいはファセット表面上での化学種の拡散現象だけでは説明できなかった。

Fabrication of SAG-AlGaN/InGaN/AlGaN LEDs by mixed-source HVPE with multi-sliding boat system 査読有り

K. H. Kim, K. S. Jang, S. L. Hwang, H. S. Jeon, W. J. Choi, M. Yang, H. S. Ahn, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, and M. Koike

phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 1 ) 頁： 29?32   2007年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Growth of InGaN layer on GaN templated Al2O3 (0001) and Si (111) substrates by mixed-source HVPE 査読有り

S. L. Hwang, K. S. Jang, K. H. Kim, H. S. Jeon, H. S. Ahn, M. Yang, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, and M. Koike

phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 1 ) 頁： 125?128   2007年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Characterization of AlGaN, Te-doped GaN and Mg-doped GaN grown by hydride vapor phase epitaxy 査読有り

K. S. Jang, K. H. Kim, S. L. Hwang, H. S. Jeon, H. S. Ahn, M. Yang, W. J. Choi, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, J. Yoo, S. M. Lee, and M. Koike

phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 1 ) 頁： 133?136   2007年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Electron-Beam-Induced-Current Investigation of GaN/AlGaN/Si Heterostructures Using Scanning Transmission Electron Microscopy 査読有り

S. Tanaka, K. Aoyama, M. Ichihashi, S. Arai, Y. Honda, and N. Sawaki

J. Electron Microsc.   56 巻 ( 4 ) 頁： 141-144   2007年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Application of electron holography to the determination of contact potential difference in an AIGaN/AIN/Si heterostructure 査読有り

S. Tanaka, A. Naito, Y. Honda, N. Sawaki, and M. Ichihashi

J. Electron Microsc.   56 巻 ( 2 ) 頁： 37-42   2007年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Characterization of AlGaN/InGaN/AlGaN heterostructure with selective area growth of Te-doped AlGaN cladding layer grown by mixed-source HVPE 査読有り

K. S. Jang, K. H. Kim, S. L. Hwang, H. S. Jeon, M. Yang, H. S. Ahn, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, S. H. Jang, S. M. Lee, and M. Koike

phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 7 ) 頁： 2240-2243   2007年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Subband structure and transport properties of two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures 査読有り

X. Han, Y. Honda, T. Narita, M. Yamaguchi and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 7 ) 頁： 2334-2337   2007年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

The surface diffusion of Ga species on an AlGaN facet structure in low pressure MOVPE 査読有り

T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 7 ) 頁： 2506-2509   2007年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Series resistance in a GaN/AlGaN/n-Si structure grown by MOVPE 査読有り

Y. Honda, S. Kato, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 7 ) 頁： 2740-2743   2007年

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担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Time-resolved photoluminescence spectroscopy in a GaN/AlGaN SQW structure grown on a (111) Si substrate 査読有り

E.H. Kim, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

phys. stat. sol. (c)   4 巻 ( 7 ) 頁： 2838-2841   2007年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Acceptor Level due to Carbon in a (1?101)AlGaN 査読有り

N. Sawaki, N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, and M. Yamaguchi

AIP Conf. Proc.   893 巻   頁： 281-282   2007年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Al doping in (1?101) GaN films grown on patterned (001) Si substrate 査読有り

T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Appl. Phys.   101 巻 ( 10 ) 頁： 103513-1-103513-5   2007年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

MOVPE growth and cathodoluminescence properties of GAN microcrystal co-doped with Zn and Si 査読有り

Y. Honda, Y. Yanase, M. Tsuji, M. Yamaguchi, and N. Sawaki

J. Cryst. Growth   300 巻 ( 1 ) 頁： 110-113   2007年

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担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）