論文 - 本田 善央
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Growth and optical properties of InGaN/GaN quantum well on a (1-101) facet 査読有り
T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki
phys. stat. sol. (c) 2 巻 ( 7 ) 頁： 2349?2352 2005年
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Characterization of AlGaN layer with high Al content grown by mixed-source HVPE 査読有り
H. S. Ahn, K. H. Kim, M. Yang, J. Y. Yi, H. J. Lee, J. H. Chang, H. S. Kim, S. W. Kim, S. C. Lee, Y Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki
phys. stat. sol. (a) 202 巻 ( 6 ) 頁： 1048?1052 2005年
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Doping in GaN and AlGaN Grown by Mixed-Source Hydride Vapor Phase Epitaxy 査読有り
J. Y. Yi, Kyoung H. Kim, H. J. Lee, M.?Yang, H. S. Ahn, C. R. Cho, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki
Inst. Phys. Conf. Ser. 184 巻 頁： 373-376 2005年
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Incorporation of carbon on a (1-101) facet of GaN by MOVPE 査読有り
N. Koide, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki
J. Cryst. Growth 284 巻 ( 3-4 ) 頁： 341?346 2005年
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Growth of thick AlGaN by mixed-source hydride vapor phase epitaxy 査読有り
H.S. Ahn, K.H. Kim, M. Yang, J.Y. Yi, H.J. Lee, C.R. Cho, H.K. Cho, S.W. Kim, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki
Appl. Surf. Science 243 巻 ( 1-4 ) 頁： 178-182 2005年
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Growth of AlGaN on Al2O3 substrates by Mixed-Source HVPE 査読有り
K. H. Kim, J. Y. Yi, H. J. Lee, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, C. R. Cho, S. C. Lee, S. W. Kim, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki
Inst. Phys. Conf. Ser. 184 巻 頁： 361-364 2005年
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Effect of Si doping to the (1-101)GaN grown on a 7 degree off oriented (001)Si by selective MOVPE 査読有り
T. Hikosaka, Y. Honda, N. Koide, M. Yamaguchi, N. Sawaki
Inst. Phys. Conf. Ser. 184 巻 頁： 251-254 2005年
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Growth and optical properties of InGaN/GaN quantum well on a (1-101) facet 査読有り
T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki
phys. stat. sol. (c) 2 巻 ( 7 ) 頁： 2349?2352 2005年
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Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE 査読有り
Y. Honda, M. Okano, M. Yamaguchi, N. Sawaki
phys. stat. sol. (c) 2 巻 ( 7 ) 頁： 2125? 2128 2005年
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MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製
本田 善央, 中村 剛, 山口 雅史, 澤木 宣彦
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 104 巻 ( 43 ) 頁： 17 - 22 2004年5月
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MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製
本田 善央, 中村 剛, 山口 雅史, 澤木 宣彦
電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 104 巻 ( 41 ) 頁： 17 - 22 2004年5月
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MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製
本田 善央, 中村 剛, 山口 雅史, 澤木 宣彦
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 104 巻 ( 39 ) 頁： 17 - 22 2004年5月
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Photocurrent spectroscopy of a (0001) GaN/AlGaN/(111)Si heterostructure 査読有り
Y. Kuroiwa, Y. Honda, N. Sawaki
Physica E 21 巻 ( 2-4 ) 頁： 782-792 2004年
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Fabrication and optical properties of GaN micro-prism array on an Si substrate 査読有り
A. Nishioka, Y. Honda, and N. Sawaki
Proc. of Int. Conf. on Electrical Engineering 2004 3-1 巻 頁： 297-300 2004年
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Optical spectra of GaN/InGaN/GaN MQW structure grown on a (1?101) GaN facet 査読有り
Eun-Hee Kim, Tetsuo Narita, Yoshio Honda, and Nobuhiko Sawaki
phys. stat. sol. (c) 1 巻 ( 10 ) 頁： 2512?2515 2004年
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Transmission electron microscopy study of an AlN nucleation layer for the growth of GaN on a 7-degree off-oriented (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
S. Tanaka, Y. Honda, N. Kameshiro, R. Iwasaki, N. Sawaki, T. Tanji, and M. Ichihashi
J. Cryst. Growth 260 巻 ( 3-4 ) 頁： 360-365 2004年
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Growth of thick AlGaN by metalorganic-hydride vapor phase epitaxy 査読有り
K. H. Kim, J. Y. Yi, H. J. Lee, M. Yang, H. S. Ahn, C. R. Cho, S. W. Kim, S. C. Lee, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki
phys. stat. sol. (c) 1 巻 ( 10 ) 頁： 2474?2477 2004年
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Optical and electrical properties of (1-101)GaN grown on a 7[degree] off-axis (001)Si substrate 査読有り
T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki
Appl. Phys. Lett. 84 巻 ( 23 ) 頁： 4717-4719 2004年
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Fabrication and optical properties of GaN micro-prism array on an Si substrate 査読有り
A. Nishioka, Y. Honda, N. Sawaki
Proc. of Int. Conf. on Electrical Engineering 2004 3-1 巻 頁： 297-300 2004年
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Photocurrent spectroscopy of a (0001) GaN/AlGaN/(111)Si heterostructure 査読有り
Y. Kuroiwa, Y. Honda, N. Sawaki
Physica E 21 巻 ( 2-4 ) 頁： 782-792 2004年