研究者詳細 - 本田　善央

論文 - 本田　善央

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P-GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications (電子デバイス)

SUN Zheng, Olsson Marc, NAGAYAMA Tsutomu, HONDA Yoshio, AMANO Hiroshi

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 巻 ( 56 ) 頁： 109-112 - 112 2014年5月

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

We realized p-GaN by high temperature Mg ion implantation with pre-sputter(PS) technique. Due to the new PS technique and high temperature implantation, ion implantation damage was greatly reduced. This soft implantation made the post anneal more effectively to recover the implantation damage and activate the implanted Mg ions. We believe this p-GaN by Mg ion implantation will contribute to GaN to enter high output power device application field.

CiNii Books

Characterization of nonpolar a-plane InGaN/GaN multiple quantum well using double nanopillar SiO2 mask 国際誌

Son, JS; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 巻 ( 5 ) 2014年5月

In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy 国際誌

Ju, GX; Honda, Y; Tabuchi, M; Takeda, Y; Amano, H

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 115 巻 ( 9 ) 2014年3月

Growth of InGaN/GaN multiple quantum wells on size-controllable nanopyramid arrays 国際誌

Miao, C; Honda, Y; Yamaguchi, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 巻 ( 3 ) 2014年3月

Novel activation process for Mg-implanted GaN 国際誌

Hashimoto, S; Nakamura, T; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 388 巻頁： 112 - 115 2014年2月

Growth of low-defect-density nonpolar a-plane GaN on r-plane sapphire using pulse NH3 interrupted etching 国際誌

Son, JS; Honda, Y; Amano, H

OPTICS EXPRESS 22 巻 ( 3 ) 頁： 3585 - 3592 2014年2月

Reduction of efficiency droop in InGaN light-emitting diodes on low dislocation density GaN substrate 査読有り

頁： 90030E-90030E-6 2014年

Characterization of nonpolar a-plane InGaN/GaN multiple quantum well using double nanopillar SiO2 mask 査読有り

53 巻 ( 5S1 ) 頁： 05FL01 2014年

Growth of low-defect-density nonpolar a-plane GaN on r-plane sapphire using pulse NH 3 interrupted etching 査読有り

22 巻 ( 3 ) 頁： 3585-3592 2014年

Enhancement of light output power on GaN-based light-emitting diodes using two-direction stripe-patterned sapphire substrate 査読有り

11 巻 ( 3‐4 ) 頁： 722-725 2014年

Growth of InGaN/GaN multiple quantum wells on size-controllable nanopyramid arrays 査読有り

53 巻 ( 3 ) 頁： 30306 2014年

Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique 査読有り

16 巻 ( 11 ) 頁： 2273-2282 2014年

X-ray investigations of GaInN single quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

11 巻 ( 3‐4 ) 頁： 393-396 2014年

In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

115 巻 ( 9 ) 頁： 94906 2014年

Novel activation process for Mg-implanted GaN 査読有り

388 巻頁： 112-115 2014年

Recombination dynamics and internal quantum efficiency in InGaN nanowires 査読有り

11 巻 ( 3-4 ) 頁： 652 - 655 2014年

Reduction of efficiency droop in InGaN light-emitting diodes on low dislocation density GaN substrate 国際誌

Yamashita, K; Sugiyama, T; Iwai, M; Honda, Y; Yoshino, T; Amano, H

LIGHT-EMITTING DIODES: MATERIALS, DEVICES, AND APPLICATIONS FOR SOLID STATE LIGHTING XVIII 9003 巻 2014年

Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique 国際誌

Jung, BO; Bae, SY; Kato, Y; Imura, M; Lee, DS; Honda, Y; Amano, H

CRYSTENGCOMM 16 巻 ( 11 ) 頁： 2273 - 2282 2014年

Enhancement of light output power on GaN-based light-emitting diodes using two-direction stripe-patterned sapphire substrate 査読有り国際誌

11 巻 ( 3-4 ) 頁： 722 - 725 2014年

X-ray investigations of GaInN single quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

11 巻 ( 3-4 ) 頁： 393 - 396 2014年

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