Faculty Profiles - HONDA, Yoshio

Papers - HONDA, Yoshio

Division display 261 - 280 of about 558 ／ All the affair displays >>

X-ray investigations of GaInN single quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy

Ju, Guangxu, Kato, Yoshihiro, Honda, Yoshio, Tabuchi, Masao, Takeda, Yoshikazu, Amano, Hiroshi

physica status solidi (c) Vol. 11 ( 3‐4 ) page： 393-396 2014

Reduction of efficiency droop in InGaN light-emitting diodes on low dislocation density GaN substrate

Yamashita, Kouhei, Sugiyama, Tomohiko, Iwai, Makoto, Honda, Yoshio, Yoshino, Takashi, Amano, Hiroshi

SPIE OPTO page： 90030E-90030E-6 2014

Characterization of nonpolar a-plane InGaN/GaN multiple quantum well using double nanopillar SiO2 mask

Son, Ji-Su, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics Vol. 53 ( 5S1 ) page： 05FL01 2014

Growth of low-defect-density nonpolar a-plane GaN on r-plane sapphire using pulse NH< sub> 3</sub> interrupted etching

Son, Ji-Su, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi

Optics express Vol. 22 ( 3 ) page： 3585-3592 2014

Growth of InGaN/GaN multiple quantum wells on size-controllable nanopyramid arrays

Miao, Cao, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics Vol. 53 ( 3 ) page： 30306 2014

Enhancement of light output power on GaN-based light-emitting diodes using two-direction stripe-patterned sapphire substrate

Okuno, Koji, Oshio, Takahide, Shibata, Naoki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Amano, Hiroshi

physica status solidi (c) Vol. 11 ( 3‐4 ) page： 722-725 2014

In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy

Ju, Guangxu, Honda, Yoshio, Tabuchi, Masao, Takeda, Yoshikazu, Amano, Hiroshi

Journal of Applied Physics Vol. 115 ( 9 ) page： 94906 2014

Novel activation process for Mg-implanted GaN

Hashimoto, Shin, Nakamura, Takao, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi

Journal of Crystal Growth Vol. 388 page： 112-115 2014

Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique

Jung, Byung Oh, Bae, Si-Young, Kato, Yoshihiro, Imura, Masataka, Lee, Dong-Seon, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi

CrystEngComm Vol. 16 ( 11 ) page： 2273-2282 2014

MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (レーザ・量子エレクトロニクス) Reviewed

若杉侑矢, 本田善央, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 Vol. 113 ( 331 ) page： 47 - 50 2013.11

Language：Japanese Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE法を用いてGaN及びAlGaNへのMgとCの同時ドーピングを行い、電気的、光学的特性を評価した。GaNへの同時ドーピングでは比較的低濃度のCドーピングにより正孔密度の増加が確認できたが、AlGaNにおいてはC_2H_2流量増加に伴い正孔密度は減少した。cathodeluminescence(CL)測定により、全ての試料で440nm付近の発光を確認した。GaNへのMgとCのδドーピングを行った試料に対して同様の測定を行った。MgとCの同時δドーピングは通常のMgドーピングよりも高い正孔密度を示した。

MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (電子部品・材料) Reviewed

若杉侑矢, 本田善央, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 Vol. 113 ( 330 ) page： 47 - 50 2013.11

Language：Japanese Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE法を用いてGaN及びAlGaNへのMgとCの同時ドーピングを行い、電気的、光学的特性を評価した。GaNへの同時ドーピングでは比較的低濃度のCドーピングにより正孔密度の増加が確認できたが、AlGaNにおいてはC_2H_2流量増加に伴い正孔密度は減少した。cathodeluminescence(CL)測定により、全ての試料で440nm付近の発光を確認した。GaNへのMgとCのδドーピングを行った試料に対して同様の測定を行った。MgとCの同時δドーピングは通常のMgドーピングよりも高い正孔密度を示した。

MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 (電子デバイス) Reviewed

若杉侑矢, 本田善央, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 Vol. 113 ( 329 ) page： 47 - 50 2013.11

Language：Japanese Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：一般社団法人電子情報通信学会

MOVPE法を用いてGaN及びAlGaNへのMgとCの同時ドーピングを行い、電気的、光学的特性を評価した。GaNへの同時ドーピングでは比較的低濃度のCドーピングにより正孔密度の増加が確認できたが、AlGaNにおいてはC_2H_2流量増加に伴い正孔密度は減少した。cathodeluminescence(CL)測定により、全ての試料で440nm付近の発光を確認した。GaNへのMgとCのδドーピングを行った試料に対して同様の測定を行った。MgとCの同時δドーピングは通常のMgドーピングよりも高い正孔密度を示した。

高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (レーザ・量子エレクトロニクス) Reviewed

前川拓也, 本田善央, 天野浩, 西谷智博

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 Vol. 113 ( 331 ) page： 43 - 46 2013.11

Language：Japanese Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：一般社団法人電子情報通信学会

我々は、負の電子親和力を持つ半導体表面を用いた電子源(NEA半導体フォトカソード電子源)の高輝度、高耐久化を目指して、p-GaN半導体を用いた機能性表面の寿命に対する電子源の高輝度条件を検討した。超高真空中でp-GaN基板に対してNEA表面活性化を行った後、その量子効率の波長依存性及びその寿命の測定実験を行った。その結果から、p-GaN基板は、従来技術のp-GaAs基板に比べて20倍以上寿命が長く、より高耐久性能を持つことが分かった。また、表面機能が低下するに連れて、バンドギャップエネルギー以下の励起エネルギーでの量子効率が優先的に減少することが分かった。これらの結果より、p-GaN基板を用いたNEA半導体フォトカソード電子源は、高耐久である一方で、表面機能が劣化した状態がより電子ビーム源として単色化に適していることを明らかにした。

高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (電子部品・材料) Reviewed

前川拓也, 本田善央, 天野浩, 西谷智博

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 Vol. 113 ( 330 ) page： 43 - 46 2013.11

Language：Japanese Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：一般社団法人電子情報通信学会

我々は、負の電子親和力を持つ半導体表面を用いた電子源(NEA半導体フォトカソード電子源)の高輝度、高耐久化を目指して、p-GaN半導体を用いた機能性表面の寿命に対する電子源の高輝度条件を検討した。超高真空中でp-GaN基板に対してNEA表面活性化を行った後、その量子効率の波長依存性及びその寿命の測定実験を行った。その結果から、p-GaN基板は、従来技術のp-GaAs基板に比べて20倍以上寿命が長く、より高耐久性能を持つことが分かった。また、表面機能が低下するに連れて、バンドギャップエネルギー以下の励起エネルギーでの量子効率が優先的に減少することが分かった。これらの結果より、p-GaN基板を用いたNEA半導体フォトカソード電子源は、高耐久である一方で、表面機能が劣化した状態がより電子ビーム源として単色化に適していることを明らかにした。

高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 (電子デバイス) Reviewed

前川拓也, 本田善央, 天野浩, 西谷智博

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 Vol. 113 ( 329 ) page： 43 - 46 2013.11

Language：Japanese Publishing type：Research paper (scientific journal) Publisher：一般社団法人電子情報通信学会

我々は、負の電子親和力を持つ半導体表面を用いた電子源(NEA半導体フォトカソード電子源)の高輝度、高耐久化を目指して、p-GaN半導体を用いた機能性表面の寿命に対する電子源の高輝度条件を検討した。超高真空中でp-GaN基板に対してNEA表面活性化を行った後、その量子効率の波長依存性及びその寿命の測定実験を行った。その結果から、p-GaN基板は、従来技術のp-GaAs基板に比べて20倍以上寿命が長く、より高耐久性能を持つことが分かった。また、表面機能が低下するに連れて、バンドギャップエネルギー以下の励起エネルギーでの量子効率が優先的に減少することが分かった。これらの結果より、p-GaN基板を用いたNEA半導体フォトカソード電子源は、高耐久である一方で、表面機能が劣化した状態がより電子ビーム源として単色化に適していることを明らかにした。

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy Reviewed

K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, and H. Amano

phys. stat. sol. (c) Vol. 10 ( 3 ) page： 369-372 2013.3

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy Reviewed

K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, and H. Amano

phys. stat. sol. (c) Vol. 10 ( 3 ) page： 369-372 2013.3

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy Reviewed

K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, H. Amano

phys. stat. sol. (c) Vol. 10 ( 3 ) page： 369-372 2013.3

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy

K. Okuno, T. Oshio, N. Shibata, Y. Honda, M. Yamaguchi, S. Tanaka, H. Amano

phys. stat. sol. (c) Vol. 10 ( 3 ) page： 369-372 2013.3

Growth of GaN on Si (111) Substrates via a Reactive-Sputter-Deposited AlN Intermediate Layer Reviewed

Yamada, Takaya; Tanikawa, Tomoyuki; Honda, Yoshio; Yamaguchi, Masahito; Amano, Hiroshi;

Japanese Journal of Applied Physics Vol. 52 ( 8S ) page： 08JB16 2013

　 PREV - NEXT 　

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28