論文 - 中塚 理
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Effect of thermal cleaning on formation of epitaxial Ni germanide layer on Ge(110) substrate 査読有り
Y. Deng, O. Nakatsuka, N. Taoka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 53 巻 ( 5S2 ) 頁： 05GA06 (6 pages) 2014年4月
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Reduction of Schottky barrier height for n-type Ge contact by using Sn electrode 査読有り
A. Suzuki, S. Asaba, J. Yokoi, K. Kato, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 53 巻 ( 4S ) 頁： 04EA06 (6 pages) 2014年3月
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Large grain growth of Ge-rich Ge1-x Snx (x~0.02) on insulating surfaces using pulsed laser annealing in flowing water 査読有り
M. Kurosawa, N. Taoka, H. Ikenoue, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 104 巻 頁： 061901 (3 pages) 2014年2月
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Defects Induced by Reactive Ion Etching in Ge Substrate 査読有り
Kusumandari, N. Taoka, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima
Advanced Materials Research 896 巻 頁： 241-244 2014年2月
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Al2O3/SiC MOS構造における伝導帯端近傍の電気特性
田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第19回研究会） 頁： 205-208 2014年1月
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低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理,財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第19回研究会） 頁： 13-16 2014年1月
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固溶限を超えるSn組成を有するGe1-xSnx層中におけるSn原子の熱安定性
加藤公彦, 浅野孝典, 田岡紀之, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第19回研究会） 頁： 37-40 2014年1月
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MOCVD法により形成した極薄GeO2を用いた Al2O3/GeOx/Ge 構造の電気的特性および構造評価
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第19回研究会） 頁： 131-134 2014年1月
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Effect of Sn atoms on incorporation of vacancies in epitaxial Ge1-xSnx film grown at low temperature 査読有り
E. Kamiyama, S. Nakagawa, K Sueoka, T. Ohmura, T. Asano, O. Nakatsuka, N. Taoka, S. Zaima, K. Izunome, and K. Kashima
Appl. Phys. Express 7 巻 ( 2 ) 頁： 021302 (3 pages) 2014年1月
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Al2O3/SiC MOS構造における伝導帯端近傍の電気特性
田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会） 頁： 205-208 2014年1月
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Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会） 頁： 39-42 2014年1月
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テトラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会） 頁： 151-154 2014年1月
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Pr 酸化膜/Ge構造におけるゲート金属が界面反応に与える影響
加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会） 頁： 155-158 2014年1月
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Reduction of Interface States Density Due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al2O3/Ge Interface 査読有り
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
ECS Trans. 58 巻 ( 9 ) 頁： 301-308 2013年10月
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Heteroepitaxial Growth of Sn-Related Group-IV Materials on Si Platform for Microelectronic and Optoelectronic Applications: Challenges and Opportunities 招待有り 査読有り
O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima
ECS Trans. 58 巻 ( 9 ) 頁： 149-155 2013年10月
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Characterization of Local Strain Structures in Heteroepitaxial Ge1-xSnx/Ge Microstructures by Using Microdiffraction Method 査読有り
S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima,
ECS Trans. 58 巻 ( 9 ) 頁： 185-192 2013年10月
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Liquid-Sn-driven lateral growth of poly-GeSn on insulator assisted by surface oxide layer 査読有り
M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 103 巻 頁： 101904 (4 pages) 2013年9月
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Understanding of interface structures and reaction mechanisms induced by Ge or GeO diffusion in Al2O3/Ge structure 査読有り
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 103 巻 頁： 082114 (4 pages) 2013年8月
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Broad defect depth distribution in germanium substrates induced by CF4 plasma 査読有り
Kusumandari, N. Taoka, W. Takeuchi, M. Fukudome, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 103 巻 頁： 033511 (4 pages) 2013年7月
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Development of epitaxial growth technology for Ge1-xSnx alloy and study of its properties for Ge nanoelectronics 招待有り 査読有り
O. Nakatsuka, Y. Shimura, W. Takeuchi, N. Taoka, and S. Zaima
Solid-State Electron. 83 巻 頁： 82-86 2013年5月