論文 - 中塚 理
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Epitaxial growth and anisotropic strain relaxation of Ge1-xSnx layers on Ge(1 1 0) substrates
T. Asano, Y. Shimura, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Solid-State Electron. 83 巻 頁： 71-75 2013年5月
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Effect of gate metal on chemical bonding state in metal/Pr-oxide/Ge gate stack structure 査読有り
K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Solid-State Electron. 83 巻 頁： 56-60 2013年5月
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Interfacial Reaction Mechanism in Al2O3/Ge Structure by Oxygen Radical
K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 52 巻 頁： 04CA08 (7 pages) 2013年4月
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Influence of Sn Incorporation and Growth Temperature on Crystallinity of Ge1-xSnx Layers Heteroepitaxially Grown on Ge(110) Substrates 査読有り
T. Asano, Y. Shimura, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 531 巻 頁： 504-508 2013年3月
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Suppressive Effect of Interface Reaction and Water Absorption by Al Incorporation into Pr-oxide Film 査読有り
W. Takeuchi, K. Furuta, K .Kato, M. Sakashita, H. Kondo, O. Nakatsuka, and S. Zaima
J. Phys.: Conf. Ser. 417 巻 頁： 012017 (6 pages) 2013年3月
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Effect of Interfacial Reactions in Radical Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure 査読有り
K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
J. Phys.: Conf. Ser. 417 巻 頁： 012001 2013年3月
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Effects of Light Exposure during Plasma Processing on Electrical Properties of GeO2/Ge Structures 査読有り
Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 52 巻 頁： 01AC04 2013年1月
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Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会） 頁： 39-42 2013年1月
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Pr 酸化膜/Ge構造におけるゲート金属が界面反応に与える影響
加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会） 頁： 155-158 2013年1月
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テ トラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会） 頁： 151-154 2013年1月
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Effect of atomic deuterium irradiation on initial growth of Sn and Ge1-xSnx on Ge(0 0 1) substrates 査読有り
T. Shinoda, O. Nakatsuka, Y. Shimura, S. Takeuchi, and S. Zaima
Appl. Surf. Sci. 259 巻 ( 15 ) 頁： 754-757 2012年10月
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Growth and Characterization of Heteroepitaxial Layers of Ge1-x-ySixSny Ternary Alloy 査読有り
T. Yamaha, O. Nakatsuka, S. Takeuchi, W. Takeuchi, N. Taoka, K. Araki, K. Izunome, and S. Zaima
ECS Trans. 50 巻 ( ９ ) 頁： 907-913 2012年10月
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Growth and Optical Properties of Ge1-xSnx Alloy Thin Films with a High Sn Content 招待有り 査読有り
S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Nakamura, W. Takeuchi, Y. Shimura, and N. Taoka
ECS Trans. 50 巻 ( 9 ) 頁： 897-902 2012年10月
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Growth of Ge1-xSnx heteroepitaxial layers with very high Sn contents on InP(001) substrates 査読有り
M. Nakamura, Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 520 巻 ( 8 ) 頁： 3201–3205 2012年2月
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Homogeneous Si0.5Ge0.5 bulk crystal growth as substrates for strained Ge thin films by the traveling liquidus-zone method 査読有り
K. Kinoshita, O. Nakatsuka, S. Yoda, and S. Zaima
Thin Solid Films 520 巻 ( 8 ) 頁： 3279–3282 2012年2月
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Improvement of Al2O3/Ge interfacial properties by O2-annealing 査読有り
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 520 巻 ( 8 ) 頁： 3397–3401 2012年2月
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Low temperature formation of Si1-x-yGexSny-on-insulator structures by using solid-phase mixing of Ge1-zSnz/Si-on-insulator substrates 査読有り
O. Nakatsuka, M. Mochizuki, Y. Shimura, T. Yamaha, and S. Zaima
Thin Solid Films 520 巻 ( 8 ) 頁： 3288–3292 2012年2月
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Homogeneous Si0.5Ge0.5 bulk crystal growth as substrates for strained Ge thin films by the traveling liquidus-zone method 査読有り
K. Kinoshita, O. Nakatsuka, S. Yoda, and S. Zaima
Thin Solid Films 520 巻 ( 8 ) 頁： 3279–3282 2012年2月
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In-situ Ga doping of fully strained Ge1-xSnx heteroepitaxial layers grown on Ge(001) substrates 査読有り
Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, B. Vincent, F. Gencarelli, T. Clarysse, W. Vandervorst, M. Caymax, R. Loo, A. Jensen, D.H. Petersen, and S. Zaima
Thin Solid Films 520 巻 ( 8 ) 頁： 3206–3210 2012年2月
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Crystallinity Improvement of Epitaxial Ge Grown on a Ge(110) Substrate by Incorporation of Sn 査読有り
Y. Shimura, T. Asano, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Express 5 巻 頁： 015501 2012年1月