論文 - 中塚 理
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Interface properties of Al2O3/Ge structures with thin Ge oxide interfacial layer formed by pulsed metal organic chemical vapor deposition 査読有り
T. Yoshida, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 53 巻 ( 8S1 ) 頁： 08LD03 (6 pages) 2014年7月
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Importance of Ge surface oxidation with high oxidation rate in obtaining low interface state density at oxide/Ge interfaces 査読有り
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 53 巻 ( 8S1 ) 頁： 08LD02 (6 pages) 2014年7月
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多層セル型太陽電池用IV族多元系混晶の結晶成長と界面構造制御 招待有り 査読有り
中塚理, 財満鎭明
日本結晶成長学会誌 41 巻 ( 2 ) 頁： 74-80 2014年7月
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［依頼講演］ “絶縁膜上におけるIV族半導体多結晶薄膜の低温形成 ～ 低融点Snの活用 ～ 招待有り
黒澤昌志, 田岡紀之, 池上浩, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 114 巻 ( 88 ) 頁： 91-95 2014年6月
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Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減
鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 黒澤昌志, 加藤公彦, 坂下満男, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 114 巻 ( 88 ) 頁： 11-16 2014年6月
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Ge1-xSnxエピタキシャル成長における積層欠陥構造の制御
浅野孝典, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 114 巻 ( 88 ) 頁： 21-25 2014年6月
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n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用
竹内和歌奈, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 114 巻 ( 57 ) 頁： 113-118 2014年5月
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Band alignment at interfaces of amorphous Al2O3 with Ge1-xSnx- and strained Ge-based channels 査読有り
H.-Y. Chou, V. V. Afanas'ev, M. Houssa, A. Stesmans, B. Vincent, F. Gencarelli, Y. Shimura, C. Merckling, R. Loo, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 104 巻 頁： 202107 (5 pages) 2014年5月
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Formation of high-quality Ge1-xSnx layer on Ge(110) substrate with strain-induced confinement of stacking faults at Ge1-xSnx/Ge interfaces 査読有り
T. Asano, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima
Appl. Phys. Express 7 巻 ( 6 ) 頁： 061301 (3 pages) 2014年5月
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Interaction of Sn atoms with defects introduced by ion implantation in Ge substrate 査読有り
N. Taoka, M. Fukudome, W. Takeuchi, T. Arahira, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
J. Appl. Phys. 115 巻 頁： 173102 (7 pages). 2014年5月
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Impacts of AlGeO formation by post thermal oxidation of Al2O3/Ge structure on interfacial properties 査読有り
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 557 巻 頁： 282–287 2014年4月
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Epitaxial formation and electrical properties of Ni germanide/Ge(110) contacts 査読有り
Y. S. Deng, O. Nakatsuka, J. Yokoi, N. Taoka, and S. Zaima
Thin Solid Films 557 巻 頁： 84-89 2014年4月
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Characterization of Crystalline Structures of SiGe Substrate Formed by Traveling Liquidus-Zone Method for Devices with Ge/SiGe 査読有り
T. Yamaha, O. Nakatsuka, N. Taoka, K. Kinoshita, S. Yoda, and S. Zaima
Thin Solid Films 557 巻 頁： 129-134 2014年4月
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Influence of Ge Substrate Orientation on Crystalline Structures of Ge1-xSnx Epitaxial Layers 査読有り
T. Asano, S. Kidowaki, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 557 巻 頁： 159–163 2014年4月
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Formation and characterization of locally strained Ge1-xSnx/Ge microstructures 査読有り
S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 557 巻 頁： 164–168 2014年4月
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Analysis for positions of Sn atoms in epitaxial Ge1-xSnx film in low temperature depositions 査読有り
E. Kamiyama, K. Sueoka, O. Nakatsuka, N. Taoka, and S. Zaima, K. Izunome, K. Kashima
Thin Solid Films 557 巻 頁： 173–176 2014年4月
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Importance of Control of Oxidant Partial Pressure on Structural and Electrical Properties of Pr-oxide Films 査読有り
K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 557 巻 頁： 276–281 2014年4月
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Stabilized formation of tetragonal ZrO2 thin film with high permittivity 査読有り
K. Kato, T. Saito, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 557 巻 頁： 192–196 2014年4月
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Formation and crystalline structure of Ni silicides on Si(110) substrate 査読有り
O. Nakatsuka, M. Hasegawa, K. Kato, N. Taoka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 53 巻 ( 5S2 ) 頁： 05GA12 (5 pages) 2014年4月
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Observation of lattice spacing fluctuation and strain undulation around through-Si vias in wafer-on-wafer structures using X-ray microbeam diffraction 査読有り
N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Mizushima, H. Kitada, Y. S. Kim, T. Nakamura, T. Ohba, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 53 巻 ( 5S2 ) 頁： 05GE03 (6 pages) 2014年4月