論文 - 中塚 理
-
Ge基板上エピタキシャルGeSn膜の電気的活性な欠陥の評価
金田裕一, 兼松正行, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
信学技報 116 巻 ( 118 ) 頁： 37-41 2016年6月
-
Crystalline Structure of TiC Ultra Thin Layers Formed on Highly Oriented Pyrolytic Graphite by Chemical Reaction from Ti/Graphite System 査読有り
O. Nakatsuka, K. Hisada, S. Oida, A. Sakai, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 55 巻 ( 6S3 ) 頁： 06JE02 (4 pages) 2016年6月
-
Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 招待有り
志村洋介, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
信学技報 116 巻 ( 1 ) 頁： 23-26 2016年4月
-
Effect of in situ Sb doping on crystalline and electrical characteristics of n-type Ge1-xSnx epitaxial layer 査読有り
J. Jeon, T. Asano, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 55 巻 ( 4S ) 頁： 04EB13 (5 pages) 2016年3月
-
Influence of Precursor Gas on SiGe Epitaxial Material Quality in Terms of Structural and Electrical Defects 査読有り
S. Ike, E. Simoen, Y. Shimura, A. Hikavyy, W. Vandervorst, R. Loo, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 55 巻 ( 4S ) 頁： 04EJ11 (5 pages) 2016年3月
-
Effect of Nitridation for SiO2/SiC Interface on Defects Properties near Conduction Band Edge 査読有り
W. Takeuchi, K. Yamamoto, N. Taoka, M.Sakashita, T. Kanemura, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 55 巻 ( 4S ) 頁： 04ER13 (5 pages) 2016年3月
-
Growth of ultra-high Sn content Ge1-xSnx epitaxial layer and its impact on controlling Schottky barrier height at metal/Ge interface 査読有り
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 55 巻 ( 4S ) 頁： 04EB12 (6 pages) 2016年3月
-
Experimental observation of type-I energy band alignment in lattice matched Ge1-x-y SixSny/Ge heterostructures 査読有り
T. Yamaha, S. Shibayama, T. Asano, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 108 巻 頁： 061909 (5 pages) 2016年2月
-
Low thermal budget n-type doping into Ge(001) surface using ultraviolet laser irradiation in phosphoric acid solution 査読有り
K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 108 巻 頁： 052104 (4 pages) 2016年2月
-
Defect and dislocation structures in low-temperature-grown Ge and Ge1-xSnxepitaxial layers on Si(110) substrates 査読有り
S. Kidowaki, T. Asano, Y. Shimura, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 598 巻 頁： 72-81 2016年1月
-
Characterization of crystallinity of Ge1-xSnx epitaxial layers grown using metal-organic chemical vapor deposition 査読有り
Y. Inuzuka, S. Ike, T. Asano, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 602 巻 頁： 7-12 2016年
-
Characterization of Shallow- and Deep-Level Defects of Undoped Ge1-xSnx Epitaxial Layers by Electrical Measurements 査読有り
W. Takeuchi, T. Asano, Y. Inuzuka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
ECS J. Solid State Sci. Tech. 5 巻 ( 4 ) 頁： P3082-P3086 2015年12月
-
Mobility Behavior of Si1-x-yGexSny Polycrystals Grown on Insulators 査読有り
T. Ohmura, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Trans. MRS-J 40 巻 ( 4 ) 頁： 351-354 2015年12月
-
Reduction of Schottky barrier height at metal/n-Ge interface by introducing an ultra-high Sn content Ge1-xSnx interlayer 査読有り
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 107 巻 頁： 212103 (5 pages) 2015年11月
-
Atom probe tomography study on Ge1-x-ySnxCy hetero-epitaxial film on Ge substrates 査読有り
E. Kamiyama, K. Sueoka, K. Terasawa, T. Yamaha, O. Nakatsuka, S. Zaima, K. Izunome, K. Kashima, and H. Uchida
Thin Solid Films 592 巻 ( A ) 頁： 54-58 2015年10月
-
Characterization of crystallinity of Ge1-xSnx epitaxial layers grown using metal-organic chemical vapor deposition 査読有り
Y. Inuzuka, S. Ikea, T. Asanoa, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 頁： in press 2015年10月
-
Challenges of Energy Band Engineering with New Sn-Related Group IV Semiconductor Materials for Future Integrated Circuits 招待有り 査読有り
S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Yamaha, T. Asano, S. Ike, A. Suzuki, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita
ECS Trans. 69 巻 ( 10 ) 頁： 89-98 2015年10月
-
Oxygen and germanium migration at low temperature influenced by the thermodynamic nature of the materials used in germanium metal-insulator-semiconductor structures 査読有り
K. Kato, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 107 巻 頁： 102102 (5 pages) 2015年9月
-
Effect of Sn on crystallinity and electronic property of low temperature grown polycrystalline-Si1-x-yGexSny layers on SiO2 査読有り
T. Yamaha, M. Kurosawa, T. Ohmura, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Solid State Electronics 110 巻 頁： 54-58 2015年8月
-
Epitaxial formation of Ni germanide on Ge(001) substrate by reactive deposition 査読有り
Y. Deng, O. Nakatsuka, A. Suzuki, M. Sakashita, and S. Zaima
Solid State Electronics 110 巻 頁： 44-48 2015年8月