論文 - 中塚 理

Characterization of Damage of Al2O3/Ge Gate Stack Structure Induced with Light Radiation during Plasma Nitridation 査読有り

Kusumandari, W.Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   51 巻   頁： 01AJ01   2012年1月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1143/JJAP.51.01AJ01

Control of Interfacial Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure using Radical Nitridation Technique 査読有り

K. Kato, S. Kyogoku, M. Sakashita, W. Takeuchi, H. Kondo, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 10 ) 頁： 10PE02 (7 pages)   2011年10月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1143/JJAP.50.10PE02

Structural Analysis of Si-Based Nanodot Arrays Self-Organized by Selective Etching of SiGe/Si Films 査読有り

M. Takahashi, Y. Nakamura, J. Kikkawa, O. Nakatsuka, S. Zaima, and Akira Sakai

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 8 ) 頁： 08LB11 (4 pages)   2011年8月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1143/JJAP.50.08LB11

Formation of Ni(Ge1-xSnx) Layers with Solid-Phase Reaction in Ni/Ge1-xSnx/Ge Systems 査読有り

T. Nishimura, Y. Shimura, S. Takeuchi, B. Vincent, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Solid-State Electronics   60 巻 ( 1 ) 頁： 46-52   2011年6月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.sse.2011.01.025

Ge1-xSnx stressors for strained-Ge CMOS 招待有り 査読有り

S. Takeuchi, Y. Shimura, T. Nishimura, B. Vincent, G. Eneman, T. Clarysse, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Solid-State Electronics   60 巻 ( 1 ) 頁： 53-57   2011年6月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.sse.2011.01.022

Control of Interfacial Properties of Pr-oxide/Ge Gate Stack Structure by Introduction of Nitrogen 査読有り

K. Kato, H. Kondo, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Solid-State Electronics   60 巻 ( 1 ) 頁： 70-74   2011年6月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.sse.2011.01.029

Control of Strain Relaxation Behavior of Ge1-xSnx Layers 査読有り

Y. Shimura, S. Takeuchi, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima

Solid-State Electronics   60 巻 ( 1 ) 頁： 84-88   2011年6月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.sse.2011.01.023

Crystalline orientation dependence of electrical properties of Mn Germanide/Ge(1 1 1) and (0 0 1) Schottky contacts 査読有り

T. Nishimura, O. Nakatsuka, S. Akimoto, W. Takeuchi, and S. Zaima

Microelectron. Eng.   88 巻 ( 5 ) 頁： 605-609   2011年5月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.mee.2010.08.014

Characterization of Local Strain around Through-Silicon Via Interconnects by using X-ray Microdiffraction 査読有り

O. Nakatsuka, H. Kitada, Y. S. Kim, Y. Mizushima, T. Nakamura, T. Ohba, and S. Zaima

pn. J. Appl. Phys.   50 巻   頁： 05ED03   2011年5月

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担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1143/JJAP.50.05ED03

Formation of Palladium Silicide Thin Layers on Si(110) Substrates 査読有り

R. Suryana, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻   頁： 05EA09   2011年5月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1143/JJAP.50.05EA09

Molecular beam deposition of Al2O3 on p-Ge(001)/Ge0.95Sn0.05 heterostructure and impact of a Ge-cap interfacial layer 査読有り

C. Merckling, X. Sun, Y. Shimura, A. Franquet, B. Vincent, S. Takeuchi, W. Vandervorst, O. Nakatsuka, S. Zaima, R. Loo, and M. Caymax

Appl. Phys. Lett.   98 巻   頁： 192110   2011年5月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.3589992

Characterization of GeSn materials for future Ge pMOSFETs source/drain stressors 査読有り

B. Vincent, Y. Shimura, S. Takeuchi, T. Nishimura, G. Eneman, A. Firrincieli, J. Demeulemeester, A. Vantomme, T. Clarysse, O. Nakatsuka, S. Zaima, J. Dekoster, M. Caymax, and R. Loo

,Microelectron. Eng.   88 巻 ( 4 ) 頁： 342-346   2011年4月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.mee.2010.10.025

Analysis of Local Leakage Current of Pr Oxide Thin Films with Conductive Atomic Force Microscopy 査読有り

M. Adachi, M. Sakashita, H. Kondo, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻   頁： 04DA08   2011年4月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1143/JJAP.50.04DA08

Effect of Pr Valence State on Interfacial Structure and Electrical Properties of Pr-oxide/PrON/Ge Gate Stack Structure 査読有り

K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, H. Kondo, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻   頁： 04DA17   2011年4月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1143/JJAP.50.04DA17

Pr酸化膜/Si構造へのAl導入による界面反応抑制効果

古田和也, 竹内和歌奈, 加藤公彦, 坂下満男, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”（第16回研究会     頁： 51-54   2011年1月

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記述言語：日本語  

電流検出型原子間力顕微鏡を 用いた欠陥に起因するPr酸化膜のリーク電流機構の解明

足立正樹, 加藤雄三, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”（第16回研究会     頁： 123-126   2011年1月

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記述言語：日本語  

Pr酸化膜/PrON/Ge構造におけるPrの化学結合状態が電気的特性に及ぼす影響

加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”（第16回研究会     頁： 99-102   2011年1月

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記述言語：日本語  

Al2O3界 面層およびラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造および電気的特性の制御

加藤公彦, 京極真也, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”（第16回研究会     頁： 55-58   2011年1月

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記述言語：日本語  

GeSn Technology: Impact of Sn on Ge CMOS Applications 招待有り 査読有り

S. Zaima, O. Nakatsuka, Y. Shimura, S. Takeuchi, B. Vincent, F. Gencarelli, T. Clarysse, J. Demeulemeester, K. Temst, A. Vantomme, M. Caymax, and R. Loo

ECS Trans.   41 巻 ( 7 ) 頁： 231-238   2011年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1149/1.3633303

Low temperature growth of Ge1-xSnx buffer layers for tensile-strained Ge layers 査読有り

Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima

Thin Solid Films   518 巻 ( 6 ) 頁： S2-S5   2010年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）