論文 - 中塚 理
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Epitaxial growth and crystalline properties of Ge1-x-ySixSny on Ge(001) substrates 査読有り
T. Asano, T. Terashima, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Solid State Electronics 110 巻 頁： 49-53 2015年8月
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Growth of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layer on Si(001) substrate and characterization of its crystalline property 査読有り
T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 54 巻 ( 8S1 ) 頁： 08KA11 2015年7月
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High-mobility tin-doped polycrystalline germanium layers formed on insulating substrates by low-temperature solid-phase crystallization 査読有り
W. Takeuchi, N. Taoka, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 107 巻 頁： 022103 (4 pages) 2015年7月
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Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果
浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 115 巻 ( 108 ) 頁： 63-68 2015年6月
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SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響 招待有り
竹内和歌奈, 山本建策, 坂下満男, 金村髙司, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 115 巻 ( 108 ) 頁： 27-30 2015年6月
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金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御
鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 115 巻 ( 108 ) 頁： 57-61 2015年6月
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Epitaxial Ge1-xSnx layers grown by metal-organic chemical vapor deposition using Tertiary-butyl-germane and Tri-butyl-vinyl-tin 査読有り
Y. Inuzuka, S. Ike, T. Asano, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
ECS Solid State Lett. 4 巻 ( 8 ) 頁： P1-P3 2015年6月
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Characterization of locally strained Ge1-xSnx/Ge fine structures by synchrotron X-ray microdiffraction 査読有り
S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 106 巻 頁： 182104 (5 pages) 2015年5月
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高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 ～ 直接遷移構造化を目指して ～ 招待有り
黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 115 巻 ( 18 ) 頁： 35-37 2015年4月
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Near-infrared light absorption by polycrystalline SiSn alloys grown on insulating layers 査読有り
M. Kurosawa, M. Kato, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 106 巻 頁： 171908 (5 pages) 2015年4月
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Influence of Interface Structure on Electrical Properties of NiGe/Ge Contacts 査読有り
Y. Deng, O. Nakatsuka, M. Sakashita, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 54 巻 ( 5S ) 頁： 05EA01 (6 pages) 2015年4月
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Impact of Hydrogen Surfactant on Crystallinity of Ge1-xSnx Epitaxial Layers 査読有り
T. Asano, N. Taoka, K. Hozaki, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 54 巻 ( 4S ) 頁： 04DH15 (4 pages) 2015年3月
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エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御 招待有り
中塚理, 鄧云生, 鈴木陽洋, 坂下満男, 田岡紀之, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 114 巻 ( 469 ) 頁： 17-22 2015年3月
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Formation, crystalline structure, and optical properties of Ge1-x-ySnxCy ternary alloy layers 査読有り
T. Yamaha, K. Terasawa, H. Oda, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys 54 巻 ( 4S ) 頁： 04DH08 (6 pages) 2015年2月
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Formation of chemically stable GeO2 on the Ge surface with pulsed metal-organic chemical vapor deposition 査読有り
S. Shibayama, T. Yoshida, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 106 巻 頁： 062107 (4 pages) 2015年2月
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Non-uniform depth distributions of Sn concentration induced by Sn migration and desorption during GeSnSi layer formation 査読有り
N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, T. Terashima, O. Nakatsuka, I. Costina, P. Zaumseil, G. Capellini, S. Zaima, and T. Schroeder
Appl. Phys. Lett. 106 巻 頁： 061107 (5 pages) 2015年2月
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GeO2薄膜の正方晶形成による化学的安定性の向上
柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第20回研究会） 頁： 185-188 2015年1月
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Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減
鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第20回研究会） 頁： 59-62 2015年1月
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Formation of high-quality oxide/Ge1-xSnx interface with high surface Sn content by controlling Sn migration 査読有り
K. Kato, N. Taoka, T. Asano, T. Yoshida, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 105 巻 頁： 122103 (5 pages) 2014年9月
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Robustness of Sn precipitation during thermal oxidation of Ge1-xSnx on Ge(001) 査読有り
K. Kato, T. Asano, N. Taoka, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 53 巻 ( 8S1 ) 頁： 08LD04 (8 pages) 2014年7月