論文 - 中塚 理
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Taoka, N; Capellini, G; Schlykow, V; Montanari, M; Zaumseil, P; Nakatsuka, O; Zaima, S; Schroeder, T
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 70 巻 頁： 139 - 144 2017年11月
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Sii<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub> bulk single crystals for substrates of electronic devices 査読有り
Kinoshita, K; Arai, Y; Maeda, T; Nakatsuka, O
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 70 巻 頁： 12 - 16 2017年11月
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Fukuda, M; Yamaha, T; Asano, T; Fujinami, S; Shimura, Y; Kurosawa, M; Nakatsuka, O; Zaima, S
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 70 巻 頁： 156 - 161 2017年11月
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Growth and Applications of Si1-xSnx Thin Films 招待有り 査読有り
M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
ECS Trans. 8 巻 ( 4 ) 頁： 253-258 2017年10月
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Fukuda, M; Watanabe, K; Sakashita, M; Kurosawa, M; Nakatsuka, O; Zaima, S
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 32 巻 ( 10 ) 2017年10月
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Selective epitaxial growth of Ge1-xSnx on Si by using metal-organic chemical vapor deposition 査読有り
T. Washizu, S. Ike, Y. Inuzuka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
J. Crystal Growth 468 巻 頁： 614-619 2017年7月
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Nagae, Y; Kurosawa, M; Araidai, M; Nakatsuka, O; Shiraishi, K; Zaima, S
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 巻 ( 4 ) 2017年4月
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4H-SiC MOSキャパシタのAlON絶縁膜のリーク電流特性に窒素結合状態が与える効果
竹内和歌奈, 山本建策, 三村智博, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会「電子デバイス界面テク ノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 （第22回） 頁： 127-130 2017年1月
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水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnx層中Sbの高活性化
高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会「電子デバイス界面テク ノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 （第22回） 頁： 67-70 2017年1月
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金属/Ge接合へのSixGe1-x-ySny 界面層導入がショットキー障壁高さに及ぼす効果
鈴木陽洋, 戸田祥太, 中塚理, 坂下満男, 財満鎭明
特別研究会「電子デバイス界面テク ノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 （第22回） 頁： 63-66 2017年1月
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Hydrogen-surfactant-mediated epitaxy of Ge1-xSnx layer and its effect on crystalline and photoluminescence properties 査読有り
O. Nakatsuka, S. Fujinami, T. Asano, T. Koyama, M. Kurosawa, M. Sakashita, H. Kishida, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 56 巻 ( 1S ) 頁： 01AB05 (6 pages) 2017年1月
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Solid phase crystallization of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layers and characterization of its crystalline and optical properties 査読有り
S. Yano, T. Yamaha, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 56 巻 ( 1S ) 頁： 01AB02 (7 pages) 2017年1月
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Taoka, N; Capellini, G; Schlykow, V; Montanari, M; Zaumseil, P; Nakatsuka, O; Zaima, S; Schroeder, T
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 57 巻 頁： 48 - 53 2017年1月
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Nakatsuka, O; Fujinami, S; Asano, T; Koyama, T; Kurosawa, M; Sakashita, M; Kishida, H; Zaima, S
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 巻 ( 1 ) 2017年1月
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Yano, S; Yamaha, T; Shimura, Y; Takeuchi, W; Sakashita, M; Kurosawa, M; Nakatsuka, O; Zaima, S
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 巻 ( 1 ) 2017年1月
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Electrical and Optical Properties Improvement of GeSn Layers Formed at High Temperature under Well-controlled Sn Migration 査読有り
N. Taoka, G. Capellini, V. Schlykow, M. Montanari, P. Zaumseil, O. Nakatsuka, S. Zaima, and T. Schroeder
Mater. Sci. Semicond. Proc. 57 巻 頁： 48-53 2017年
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Jeon, J; Suzuki, A; Takahashi, K; Nakatsuka, O; Zaima, S
2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM) 頁： 249 - 251 2017年
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Analysis of Microscopic Strain and Crystalline Structure in Ge/Ge1-xSnx Fine Structures by Using Synchrotron X-ray Microdiffraction 査読有り
S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Inuzuka, T. Washizu, W. Takeuchi, Y. Imai, S. Kimura, and S. Zaima
ECS Trans. 75 巻 ( 8 ) 頁： 769-775 2016年10月
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Influence of GeO2 deposition temperature by in atomic layer deposition on electrical properties of Ge gate stack+K12 査読有り
M. Kanematsu, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 55 巻 ( 8S2 ) 頁： 08PC05 (5 pages) 2016年8月
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Density functional study for crystalline structures and electronic properties of Si1-xSnx binary alloys 査読有り
Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 55 巻 ( 8S2 ) 頁： 08PE04 (4 pages) 2016年8月