Papers - NAKATSUKA, Osamu
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Effect of thermal cleaning on formation of epitaxial Ni germanide layer on Ge(110) substrate Reviewed
Y. Deng, O. Nakatsuka, N. Taoka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 53 ( 5S2 ) page： 05GA06 (6 pages) 2014.4
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Reduction of Schottky barrier height for n-type Ge contact by using Sn electrode Reviewed
A. Suzuki, S. Asaba, J. Yokoi, K. Kato, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 53 ( 4S ) page： 04EA06 (6 pages) 2014.3
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Large grain growth of Ge-rich Ge1-x Snx (x~0.02) on insulating surfaces using pulsed laser annealing in flowing water Reviewed
M. Kurosawa, N. Taoka, H. Ikenoue, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. Vol. 104 page： 061901 (3 pages) 2014.2
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Defects Induced by Reactive Ion Etching in Ge Substrate Reviewed
Kusumandari, N. Taoka, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima
Advanced Materials Research Vol. 896 page： 241-244 2014.2
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Al2O3/SiC MOS構造における伝導帯端近傍の電気特性
田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第19回研究会） page： 205-208 2014.1
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低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理,財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第19回研究会） page： 13-16 2014.1
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固溶限を超えるSn組成を有するGe1-xSnx層中におけるSn原子の熱安定性
加藤公彦, 浅野孝典, 田岡紀之, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第19回研究会） page： 37-40 2014.1
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MOCVD法により形成した極薄GeO2を用いた Al2O3/GeOx/Ge 構造の電気的特性および構造評価
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第19回研究会） page： 131-134 2014.1
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Effect of Sn atoms on incorporation of vacancies in epitaxial Ge1-xSnx film grown at low temperature Reviewed
E. Kamiyama, S. Nakagawa, K Sueoka, T. Ohmura, T. Asano, O. Nakatsuka, N. Taoka, S. Zaima, K. Izunome, and K. Kashima
Appl. Phys. Express Vol. 7 ( 2 ) page： 021302 (3 pages) 2014.1
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Al2O3/SiC MOS構造における伝導帯端近傍の電気特性
田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会） page： 205-208 2014.1
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Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会） page： 39-42 2014.1
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テトラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会） page： 151-154 2014.1
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Pr 酸化膜/Ge構造におけるゲート金属が界面反応に与える影響
加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会） page： 155-158 2014.1
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Reduction of Interface States Density Due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al2O3/Ge Interface Reviewed
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
ECS Trans. Vol. 58 ( 9 ) page： 301-308 2013.10
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Heteroepitaxial Growth of Sn-Related Group-IV Materials on Si Platform for Microelectronic and Optoelectronic Applications: Challenges and Opportunities Invited Reviewed
O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima
ECS Trans. Vol. 58 ( 9 ) page： 149-155 2013.10
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Characterization of Local Strain Structures in Heteroepitaxial Ge1-xSnx/Ge Microstructures by Using Microdiffraction Method Reviewed
S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima,
ECS Trans. Vol. 58 ( 9 ) page： 185-192 2013.10
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Liquid-Sn-driven lateral growth of poly-GeSn on insulator assisted by surface oxide layer Reviewed
M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. Vol. 103 page： 101904 (4 pages) 2013.9
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Understanding of interface structures and reaction mechanisms induced by Ge or GeO diffusion in Al2O3/Ge structure Reviewed
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. Vol. 103 page： 082114 (4 pages) 2013.8
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Broad defect depth distribution in germanium substrates induced by CF4 plasma Reviewed
Kusumandari, N. Taoka, W. Takeuchi, M. Fukudome, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. Vol. 103 page： 033511 (4 pages) 2013.7
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Development of epitaxial growth technology for Ge1-xSnx alloy and study of its properties for Ge nanoelectronics Invited Reviewed
O. Nakatsuka, Y. Shimura, W. Takeuchi, N. Taoka, and S. Zaima
Solid-State Electron. Vol. 83 page： 82-86 2013.5