Papers - NAKATSUKA, Osamu
-
Epitaxial growth and crystalline properties of Ge1-x-ySixSny on Ge(001) substrates Reviewed
T. Asano, T. Terashima, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Solid State Electronics Vol. 110 page： 49-53 2015.8
-
Growth of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layer on Si(001) substrate and characterization of its crystalline property Reviewed
T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 54 ( 8S1 ) page： 08KA11 2015.7
-
High-mobility tin-doped polycrystalline germanium layers formed on insulating substrates by low-temperature solid-phase crystallization Reviewed
W. Takeuchi, N. Taoka, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. Vol. 107 page： 022103 (4 pages) 2015.7
-
Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果
浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 Vol. 115 ( 108 ) page： 63-68 2015.6
-
Epitaxial Ge1-xSnx layers grown by metal-organic chemical vapor deposition using Tertiary-butyl-germane and Tri-butyl-vinyl-tin Reviewed
Y. Inuzuka, S. Ike, T. Asano, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
ECS Solid State Lett. Vol. 4 ( 8 ) page： P1-P3 2015.6
-
SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響 Invited
竹内和歌奈, 山本建策, 坂下満男, 金村髙司, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 Vol. 115 ( 108 ) page： 27-30 2015.6
-
金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御
鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 Vol. 115 ( 108 ) page： 57-61 2015.6
-
Characterization of locally strained Ge1-xSnx/Ge fine structures by synchrotron X-ray microdiffraction Reviewed
S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. Vol. 106 page： 182104 (5 pages) 2015.5
-
高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 ～ 直接遷移構造化を目指して ～ Invited
黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 Vol. 115 ( 18 ) page： 35-37 2015.4
-
Near-infrared light absorption by polycrystalline SiSn alloys grown on insulating layers Reviewed
M. Kurosawa, M. Kato, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. Vol. 106 page： 171908 (5 pages) 2015.4
-
Influence of Interface Structure on Electrical Properties of NiGe/Ge Contacts Reviewed
Y. Deng, O. Nakatsuka, M. Sakashita, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 54 ( 5S ) page： 05EA01 (6 pages) 2015.4
-
Impact of Hydrogen Surfactant on Crystallinity of Ge1-xSnx Epitaxial Layers Reviewed
T. Asano, N. Taoka, K. Hozaki, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 54 ( 4S ) page： 04DH15 (4 pages) 2015.3
-
エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御 Invited
中塚理, 鄧云生, 鈴木陽洋, 坂下満男, 田岡紀之, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 Vol. 114 ( 469 ) page： 17-22 2015.3
-
Formation, crystalline structure, and optical properties of Ge1-x-ySnxCy ternary alloy layers Reviewed
T. Yamaha, K. Terasawa, H. Oda, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys Vol. 54 ( 4S ) page： 04DH08 (6 pages) 2015.2
-
Formation of chemically stable GeO2 on the Ge surface with pulsed metal-organic chemical vapor deposition Reviewed
S. Shibayama, T. Yoshida, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. Vol. 106 page： 062107 (4 pages) 2015.2
-
Non-uniform depth distributions of Sn concentration induced by Sn migration and desorption during GeSnSi layer formation Reviewed
N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, T. Terashima, O. Nakatsuka, I. Costina, P. Zaumseil, G. Capellini, S. Zaima, and T. Schroeder
Appl. Phys. Lett. Vol. 106 page： 061107 (5 pages) 2015.2
-
GeO2薄膜の正方晶形成による化学的安定性の向上
柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第20回研究会） page： 185-188 2015.1
-
Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減
鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第20回研究会） page： 59-62 2015.1
-
Formation of high-quality oxide/Ge1-xSnx interface with high surface Sn content by controlling Sn migration Reviewed
K. Kato, N. Taoka, T. Asano, T. Yoshida, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. Vol. 105 page： 122103 (5 pages) 2014.9
-
Robustness of Sn precipitation during thermal oxidation of Ge1-xSnx on Ge(001) Reviewed
K. Kato, T. Asano, N. Taoka, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 53 ( 8S1 ) page： 08LD04 (8 pages) 2014.7