講演・口頭発表等 - 堤 隆嘉
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Fragmentation of valence electronic states of C3HF5 studied by photoelectron photoion coincidence (PEPICO) techniques 国際会議
Trung-Nguyen Tran, Hiroshi Iwayama, Toshio Hayashi, Ken-ichi Inoue, Takayoshi Tsutsumi, and Kenji Ishikawa1
26th International Symposium on Plasma Chemistry
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Estimation of HF gas temperature in low temperature plasma using infrared absorption spectroscopy 国際会議
Yusuke Imai, Takayoshi Tsutsumi, Kenichi Inoue, Shih-Nan Hsiao, Makoto Sekine, Kenji Ishikawa
26th International Symposium on Plasma Chemistry
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Defect-Assisted Radical Adsorption in Plasma-driven Atomic Layer Etching of Silicon Dioxide 国際会議
Airah Osonio, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Masaru Hori
26th International Symposium on Plasma Chemistry
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機械学習を活用した中性種スペクトルのリアルタイム解析
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ラジカルの付着確率が高アスペクト比ホール内の輸送に与える影響
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CF4/H2プラズマによるエピタキシャル成長したSi0.7Ge0.3/Si/Si0.7Ge0.3積層膜からのSiナノシートの形成
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エピタキシャル成長したSi0.7Ge0.3およびSi薄膜におけるH2希釈CF4ガスによるドライエッチング -基板温度依存性-
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プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ～SiO2/Si界面酸化と微細構造変化～
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低温下での塩素ラジカル照射による窒化チタン原子層エッチングにおけるin-situ表面反応解析
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In-situ analysis of chlorination of TiN surfaces by chlorine radical irradiations 国際会議
Shunya Hirai, Kazunori Shinoda, Thi-Thuy-Nga Nguyen, Takayoshi Tsutsumi, Kenichi Inoue, and Kenji Ishikawa
ISPlasma2025/IC-PLANTS2025
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Evaluation of Lateral Selective Etching with CF4/H2 Plasma of Si0.7Ge0.3/Si/Si0.7Ge0.3 Layers 国際会議
Kotaro Ozaki, Noriharu Takada, Yusuke Imai, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Yuji Yamamoto, Wei-Chen Wen, Katsunori Makihara
ISPlasma2025/IC-PLANTS2025
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Damage evaluation for electron-beam-assisted modification of GaN surface 国際会議
Takayoshi Tsutsumi, Yusuke Izumi, Makoto Sekine, Masaru Hori, and Kenji Ishikawa
ISPlasma2025/IC-PLANTS2025
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Surface reactions by deep ultraviolet laser irradiation for GaN etching 国際会議
Ryoto Takahashi, Takayoshi Tsutsumi, Kenichi Inoue, Ryusei Sakai, Makoto Sekine, Masaru Hori and Kenji Ishikawa
ISPlasma2025/IC-PLANTS2025
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Effect of Sticking Probability on Radical Transports in High-Aspect-Ratio Holes 国際会議
Takumi Kurushima, Takayoshi Tsutsumi, Makoto Sekine, Masaru Hori, and Kenji Ishikawa
ISPlasma2025/IC-PLANTS2025
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UVレーザー光照射エッチングプロセスにおけるGaN表⾯の脱離挙動
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Transport of Reactive Species in Pulsed Plasma for High-Aspect-Ratio Hole Etching 招待有り
T. Tsutsumi, M. Sekine, M. Hori and K. Ishikawa
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Undestanding Surface Reaction in PECVD Process by Combining In-situ Monitoring and Machine Learning 招待有り 国際会議
Takayoshi Tsutsumi, Y. Ando, M.Sekine, M.Hori, K.Ishikwa
International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM) 2024
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In-Situ Observation of Reaction Layer in Surface for Damage-Free Atomic Layer Etching 招待有り 国際会議
Tsutsumi Takayoshi, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Kenji Ishikawa and Masaru Hori
2024 MRS FALL MEETING & EXHIBIT
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四重極型質量分析を用いた材料表面の中性粒子の付着確率計測
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機械学習を用いたアモルファスカーボン薄膜の堆積機構におけるプロセスパラメータの寄与度解析