講演・口頭発表等 - 堤 隆嘉
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塩素ラジカルによる窒化チタン熱サイクル原子層エッチング後の残留塩素への水素ラジカル照射効果のin-situ表面反応解析
平井 俊也, 篠田 和典, グエン ティ トゥイ ガー, 堤 隆嘉,井上 健一, 石川 健治
第73回応用物理学会春季学術講演会
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イオンビームを用いたビニルシランによるSiC の低温成膜
小野 浩毅、堤 隆嘉、石川 健治、竹内 和歌奈、上原 賢一、安原 重雄、堀 勝、田中 宏昌
第73回応用物理学会春季学術講演会
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エピタキシャル成長した Si0.7Ge0.3 薄膜における HBr プラズマによるドライエッチング
石井 聡太、尾崎 孝太郎、矢野 瑛汰、佐分利 伊吹、今井 友貴、堤 隆嘉、石川 健治、Yamamoto Yuji、Wen Wei-Chen、牧原 克典
第73回応用物理学会春季学術講演会
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CF4/H2プラズマ照射がSiおよびSi0.7Ge0.3の表面反応に及ぼす影響
佐分利 伊吹、尾崎 孝太朗、今井 友貴、堤 隆嘉、石川 健治、Yamamoto Yuji、Wen Wei-Chen、牧原 克典
第73回応用物理学会春季学術講演会
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Temporal Control of F and O Radicals During Si Etching for Profile Control 国際会議
Shuto Tsuchioka, Tran Trung Nguyen, Kenichi Inoue, Takayoshi tsutsumi, Makoto Sekine, Kenji Ishikawa
ISPlasma2026/IC-PLANTS2026
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Real-time Analysis of Mass Spectrum of Neutral Species Spectrum by Optical Emission Spectroscopy in Hydrocarbon Plasma Using Machine Learning with Multivariate Data Analysis 国際会議
Kotaro Takahashi, Yusuke Ando, Takayoshi Tsutsumi, Kenichi Inoue, Makoto Sekine, Kenji Ishikawa
ISPlasma2026/IC-PLANTS2026
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Impact of Process Conditions on Diamond Trench Profiles 国際会議
Takuto Oya, Nguyen Trung Tran, Kenichi Inoue, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa
ISPlasma2026/IC-PLANTS2026
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Influence of Radical Behavior on Si and Si0.7Ge0.3 Surface Reactions with CF4/H2 Plasma 国際会議
Ibuki Saburi, Yuki Imai, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Yuji Yamamoto, Wei-Chen Wen, Katsunori Makihara
ISPlasma2026/IC-PLANTS2026
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Effect of Plasma Conditions on Radical Sticking Probability in High-Aspect-Ratio Holes 国際会議
Takumi Kurushima, Takayoshi Tsutsumi, Makoto Sekine, Kenichi Inoue, Kenji Ishikawa
ISPlasma2026/IC-PLANTS2026
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Influence of HF Adsorption on Cryogenic Reactive Ion Etching of Silicon 国際会議
Yusuke Imai, Shih-Nan Hsiao, Makoto Sekine, Takayoshi Tsutsumi, Kenichi Inoue, Ryutaro Suda, Yoshihide Kihara, Kenji Ishikawa
ISPlasma2026/IC-PLANTS2026
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Elucidating Primary Dissociation Mechanisms of C5H2F10, a Promising Etching Gas, Using Photoelectron-Photoion Coincidence (PEPICO) Measurements 国際会議
NGUYEN TRUNG TRAN, Hiroshi Iwayama, Toshio Hayashi, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa
ISPlasma2026/IC-PLANTS2026
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プラズマエッチングによるダイヤモンドのトレンチ形状制御
大矢拓人，トラン トラン グエン，井上健一，堤隆嘉，石川健治
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Science-based, data-driven developments in atomically scale controls of plasma processing technologies 招待有り 国際会議
Kenji Ishikawa, Tran Trung Nguyen, Kazunori Miwa, Kenichi Inoue, Takayoshi Tsutsumi and Thi-Thuy-Nga Nguyen
MNC2025
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Prediction Method of Mass Spectrum of Neutral Species Spectrum by Optical Emission Spectroscopy Using Machine Learning 国際会議
K. Takahashi, Y. Ando, T. Tsutsumi, K. Inoue, M. Sekine, K. Ishikawa
DPS2025
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Influence of CF4 addition to HF plasma on the etching characteristics of SiO2, SiN and a-C films 国際会議
Y. Imai, S.-N. Hsiao, M. Sekine, S. Takagi, T. Tsutsumi, K. Inoue, M. K. T. Mo, N. Britun, Y. Kihara, R. Suda, K. Ishikawa
DPS2025
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Effect of Gas-Phase Radical Composition Ratio on CFx Sticking Probability in High-Aspect-Ratio Holes 招待有り 国際会議
T. Kurushima, T. Tsutsumi, M. Sekine, K. Inoue, K. Ishikawa
DPS2025
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Surface reactions on thermal-cyclic etching (ALE) of titanium nitride (TiN) observed using in-situ X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) 国際会議
S. Hirai, K. Shinoda, T.-T.-N. Nguyen, K. Inoue, T. Tsutsumi, K. Ishikawa
DPS2025
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Quantitative analysis of fluorine and oxygen species fluxes for precise profile control of Si etched structures 国際会議
S. Tsuchioka, T. T. Nguyen, K. Inoue, T. Tsutsumi, M. Sekine, K. Ishikawa
DPS2025
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Reaction surface analysis of plasma etching of SiN, SiO2, and poly-Si films using low-global warming potential CF3CHCF2 gas 国際会議
Tran Trung Nguyen, Toshio Hayashi, Hiroshi Iwayama, Kenichi Inoue, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa
DPS2025
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Study on synthesis of functional graphene nanocomposites by gas-liquid interfacial plasma 招待有り 国際会議
Hiroki Kondo, Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Masaru Hori, Mineo Hiramatsu