講演・口頭発表等 - 堤 隆嘉
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Interaction between Neutral Species and Surface in the High-Aspect-Ratio Hole 招待有り 国際会議
Takayoshi Tsutsumi, Makoto Sekine, Masaru Hori, Ishikawa Kenji
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表面反応のin-situ観察とダメージレス原子層エッチングのための先進プロセス 招待有り
堤 隆嘉
CVD反応分科会第43回シンポジウム
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Radical, ion, and photon’s effects on material damage in plasma etching 招待有り 国際会議
S. Nunomura, T. Tsutsumi and M. Hori
9th Asia-Pacific Conference on Plasma Physics
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Transport mechanism of active species in high-aspect-ratio hole during plasma etching 招待有り 国際会議
T. Tsutsumi, T. Kurushima, M. Sekine, M. Hori, and K. Ishikawa
9th Asia-Pacific Conference on Plasma Physics
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Aspect Ratio Resolved Mass Spectrometry for Sticking Probability of Neutral Sppecies in High Aspect Ratio Hole 招待有り 国際会議
Takumi Kurushima, Takayoshi Tsutsumi, Makoto Sekine, Masaru Hori, Kenji Ishikawa
AVS71
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窒化チタンの熱サイクル原子層エッチングにおける塩化プロセスのIn-Situ表面反応解析によるメカニズム解明
平井 俊也, 篠田 和典, グエン ティ トゥイ ガー, 井上 健一, 堤 隆嘉, 石川 健治
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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Si0.7Ge0.3/Si/Si0.7Ge0.3積層構造のCF4/H2プラズマエッチングにより形成したSiナノシートの欠陥評価
尾崎 孝太朗, 今井 祐輔, 今井 友貴, 堤 隆嘉, 石川 健治, 山本 裕司, Wen Wei-Chen, 牧原 克典
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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エッチングガス解離過程の光電子－光イオンコインシデンスによる分析
トラン トラン グエン, 岩山 洋士, 林 俊雄, 井上 健一, 堤 隆嘉, 石川 健治
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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ラジカル種の深さ依存性がSiエッチング中の側壁保護に与える影響の調査
土岡 柊斗, 井上 健一, 堤 隆嘉, 関根 誠, 石川 健治
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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気相中ラジカル組成比がCFxの付着確率に及ぼす影響
来島 拓海, 堤 隆嘉, 関根 誠, 井上 健一, 石川 健治
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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プラズマエッチングによるダイヤモンドトレンチ形状の精密制御
大矢 拓人, トラン トラン グエン, グエンティ トゥイ ガー, 井上 健一, 堤 隆嘉, 石川健治2
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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電子線支援原子層エッチングにおけるフッ素化GaN 表面の反応性評価
島津 大隼, 平井 俊也, 堤 隆嘉, 関根 誠, 井上 健一, 石川 健治
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ～酸化膜のクライオエッチング～
布村 正太, 今井 祐輔, HSIAO Shih-Nan, 堤 隆嘉, 堀 勝
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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機械学習を活用した中性種スペクトルのリアルタイム解析(2)
高橋 康太朗, 安藤 悠介, 堤 隆嘉, 井上 健一, 関根 誠, 石川 健治
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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Mechanism of plasma chlorination on TiN surface during atomic layer etching using in-situ surface analysis 国際会議
Shunya Hirai1, Kazunori Shinoda, Thi-Thuy-Nga Nguyen, Kenichi Inoue, Takayoshi Tsutsumi, and Kenji Ishikawa
International Plasma Technology Joint Conference 2025 (IPTJC2025)
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Prediction Method of Mass Spectrum of Neutral Species Spectrum by Optical Emission Spectroscopy in Hydrocarbon Plasma Using Random Forest Regression Model 国際会議
Kotaro Takahashi, Yusuke Ando, Takayoshi Tsutsumi, Kenichi Inoue, Makoto Sekine and Kenji Ishikawa
International Plasma Technology Joint Conference 2025 (IPTJC2025)
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Control of Trench-Feature Profile in Plasma Etching Fabrication for Diamond Field Effect Transistors 国際会議
Takuto Oya, Tran Trung Nguyen, Thi-Thuy-Nga Nguyen, Kenichi Inoue, Takayoshi Tsutsumi, and Kenji Ishikawa
International Plasma Technology Joint Conference 2025 (IPTJC2025)
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Influence of radical species on sidewall protection during Si etching based on experimental and computational analysis 国際会議
Shuto Tsuchioka, Taito Yoshie, Tran Trung Nguyen, Thi-Thuy-Nga Nguyen, Kenichi Inoue, Takayoshi Tsutsumi, and Kenji Ishikawa
International Plasma Technology Joint Conference 2025 (IPTJC2025)
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Effect of H₂O on surface reactions in SiO₂ cryogenic etching with HF plasma 国際会議
Y. Imai, S.-N. Hsiao, M. Sekine, T.Tsutsumi, K. Inoue, R. Suda, Y. Iijima, Y. Kihara, M.Hori, K. Ishikawa
International Plasma Technology Joint Conference 2025 (IPTJC2025)
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In-Situ Observation of Surface Reaction and Advanced Process for Damage-Less Atomic Layer Etching 国際会議
Takayoshi Tsutsumi, Makoto Sekine, Masaru Hori, Kenji Ishikawa
AVS 25th International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2025)