講演・口頭発表等 - 宇治原 徹
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半導体製造における企業間を跨いだデジタルツインによるウェーハ・デバイスプロセスの全体最適化
関 翔太，中西 佑児, 松岡 毅, 前田 進, 髙石 将輝, 楠木 琢也, 永井 勇太, 永倉 大樹, 谷川 公一, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹
日本機械学会 第38回計算力学講演会（CMD2025） 2025年9月24日 （一社）日本機械学会
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複合グラフニューラルネットワークによる熱応力解析の代替モデルの精度向上
坂本隆直，沓掛健太朗，櫻井大地，宇治原徹，西山泰生，惣川真吾
日本機械学会 第38回計算力学講演会（CMD2025） 2025年9月24日 （一社）日本機械学会
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半導体熱処理条件における既存条件を考慮した最適化
沓掛 健太朗, 笠原 亮太郎, 原田 俊太, 宇治原 徹, 関 翔太, 高石 将輝, 永井 勇太
日本機械学会 第38回計算力学講演会（CMD2025） 2025年9月24日 （一社）日本機械学会
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不純物濃度分布を利用したp型4H-SiCにおける溶媒インクルージョン形成時のマクロステップ挙動の解明
伊藤貴洋、沓掛健太朗、原田俊太、宇治原徹
第44回 結晶成長討論会 2025年9月19日
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SiC溶液成長法における成長表面に付着する多結晶生成要因の解明
杉浦大輝、沓掛健太朗、原田俊太、宇治原徹
第44回 結晶成長討論会 2025年9月19日
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SiC溶液成長法のメルトバックにおける結晶表面平坦化メカニズムの解明
杉本脩人、沓掛健太朗、原田俊太、宇治原徹
第44回 結晶成長討論会 2025年9月19日
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結晶成長装置の変更に伴うプロセス条件の再最適化におけるVAEを用いた効率的な条件探索手法の提案
坂本隆直、沓掛健太朗、原田俊太、宇治原徹
第44回 結晶成長討論会 2025年9月19日
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SiC溶液成長法における大規模言語モデルを用いた専門家の暗黙知の抽出手法
髙原虎太、沓掛健太朗、原田俊太、宇治原徹
第44回 結晶成長討論会 2025年9月19日
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Machine Learning Technology in SiC Solution Growth Method 招待有り 国際会議
Toru UJIHARA
the 4th International Symposium of the Annual JIMM Fall Meeting 2025年9月19日
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Insights from 3D Modeling of SiC Solution Growth: Realization of Unidirectional Solution Flow and High Growth Rate by Asymmetric Hot-zone Designs 国際会議
Xin Liu, Tomoaki Furusho, and Toru Ujihara
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM2025） 2025年9月19日
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Solution Growth Technique of Silicon Carbide with In-Situ Observation 国際会議
Y. Abe, A. Kawabe, J. Osada, K. Kurashige, H. Nakanishi, H. Ishibashi, T. Ujihara
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM2025）
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Approaches Toward High-Quality and Cost-Effective Bulk Growth of SiC Crystals 国際会議
Won Jae Lee, Jung Gyu Kim, Kap Ryeol Ku, Seong Min Jeong, Yun Ji Shin, Toru Ujihara
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM2025）
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Non-destructive identification of pure threading screw and mixed dislocations in SiC epitaxial wafers: Their impact on surface pit formation 国際会議
Ju-Hyeong Sun, Kousei Takahashi, Yasutaka Matsubara, Michio Kawase, Keisuke Seo, Kenta Murayama, Kentaro Kutsukake, Toru Ujihara and Shunta Harada
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM2025） 2025年9月17日
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半導体製造多段⼯程における誤差蓄積構造に着⽬した機械学習モデル設計
山田 拓実，沓掛 健太朗，原田 俊太，宇治原 徹
第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月7日 公益社団法人 応用物理学会
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GaN 気相成長における既存条件を考慮した目的関数による信頼性の高い成膜条件最適化
関 翔太, 水野 文彬, 松岡 毅, 園田 勉, 高橋 言緒,山田 永, 阿澄 玲子, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹
第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月7日 公益社団法人 応用物理学会
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強化学習を用いたデータ駆動型自動FZ結晶成長炉の開発と実証実験
柳沢 壮吾，松本 遼平, 炭谷 翔悟，稲垣 拓弥, 坂内 英典, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹, 原田 俊太
第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月7日 公益社団法人 応用物理学会
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Insights from 3D Modeling of SiC Solution Growth: Unidirectional Solution Flow Realization by Asymmetric Hot-zone Designs 国際会議
Xin Liu, Tomoaki Furusho, and Toru Ujihara
The 21st International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-21) 2025年8月5日
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Numerical modeling of the step bunching formation in SiC solution growth for different flow conditions 国際会議
Guan Zhicheng, Liu Xin, Kutsukake Kentaro, Harada Shunta, Ujihara Toru
The 21st International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-21) 2025年8月5日
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VAE-based Re-Optimization for Crystal Growth Systems under Structural Changes 国際会議
Takanao Sakamoto, Tomoaki Furusho, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Toru Ujihara
24th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-24)
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Solvent Inclusion and Macrostep Behavior Revealed by Impurity Distribution in Solution Growth of p-Type 4H-SiC 国際会議
Takahiro Ito, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Toru Ujihara
24th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-24)