講演・口頭発表等 - 宇治原 徹
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Two-dimensional assembly of DNA-functionalized gold nanoparticles on lipid bilayer 国際会議
T. Isogai, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa
The first International Workshop by the 174th Committee JSPS
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機械学習による熱流体解析の高速化における予測精度
畑佐豪記, 角岡洋介, 村井良多, 村山健太, 朱燦, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
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機械学習を活用したSiC溶液成長プロセス・ビュジュアライゼーション
宇治原徹, 畑佐豪記, 角岡洋介, 村山健太, 原田俊太, 田川美穂
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
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結晶光学軸方位分布からみたGaNやSiCの光学異常
塚本勝男, 今西正幸, 村山健太, 森勇介
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
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キラルな光場中でのキラル結晶化におけるキラリティの偏り
新家寛正, 杉山輝樹, 田川美穂, 宇治原徹, 丸山美帆子, 森勇介, 宮本克彦, 尾松孝茂
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
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数値解析を用いた誘導加熱TSSG法によるSiC結晶成長製造装置の最適化条件の探索
堀内鷹之, Wang Lei, 山本卓也, 宇治原徹, 岡野泰則
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
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機械学習による結晶成長条件の予測を用いたSiC溶液成長
林宏益, 村井良多, 朱燦, 村山健太, 角岡洋介, 畑佐豪記, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
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気相法AlNウィスカー成長における形状変化メカニズムの解明
齊藤廣志, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
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SiC溶液成長におけるプロセス・インフォマティクス
宇治原徹，角岡洋介，畑佐豪記，村山健太，村井良多，朱燦，原田俊太，田川美穂
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
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4H-SiC溶液成長法二段階成長における異種多形の析出抑制
村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
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SiC溶液成長過程における転位伝播方向制御による高品質化
原田俊太, 村山健太, 村井良多, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
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溶液法 SiC 基板を用いて作製した MOS キャパシタの評価
古庄智明, 川畑直之, 古橋壮之, 渡辺友勝, 渡邊寛, 山川聡, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会
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貫通らせん転位が極めて少ない 4H-SiC の溶液成長における多形安定化手法
村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会
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溶液成長における溶液状態の高速予測と 網羅的探索により最適化した条件での結晶成長
村井良多, 村山健太, 原田俊太, 畑佐豪記, 角岡洋介, 林宏益, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会
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SiC 溶液成長法における溶媒中の Cr 組成に対する 成長ポリタイプの面内分布及び相対存在割合の評価
鈴木皓己, 高橋大, 土本直道, 玄光龍, 太子敏則, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会
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ラマン分光法による GaN 単結晶における貫通転位の刃状成分の解析
小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 原一都, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会
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X 線トポグラフィーその場観察による 4H-SiC 積層欠陥挙動の窒素濃度依存性評価
藤榮文博, 原田俊太, 周防裕政, 加藤智久, 田川美穂, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会
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Smooth Li Electrodeposition on Single Crystal Cu Current Collectors 国際会議
K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara
The Electrochemical Society (232nd ECS Meeting)
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Trial of Informatics in Crystal Growth -SiC Solution Growth- 国際会議
T. Ujihara
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (ssdm 2017)
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High-Quality SiC Solution Growth Using Dislocation Conversion on C Face 国際会議
S. Xiao, S. Harada, X. Liu, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa, T. Ujihara
The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)