講演・口頭発表等 - 宇治原 徹
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SiC溶液成長における貫通らせん転位変換の弾性エネルギーによる考察
原田俊太，肖世玉，原奈都美，勝野弘康，田川美穂，宇治原徹
2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会
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Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method 国際会議
T.Ujihara
ICSEM 2014 (International Conference on Science and Engineering of Materials
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"Structure of basal plane defects formed by threading screw dislocation conversion during high quality SiC solution growth" 国際会議
S.Harada, R.Kunimatsu, Xiao Shiyu, Y.Yamamoto, M.Tagawa, Y.Yamamoto, S.Arai, N.Tanaka, T.Ujihara
ISETS '13
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"Possibility of time-resolved measurement in spin-polarized TEM" 国際会議
M.Kuwahara, Y.Nambo, S.Kusunoki, K.Sameshima, K.Saitoh, T.Ujihara, H.Asano, Y.Takeda, N.Tanaka
ISETS '13
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"Observation of basal plane dislocations generated during solution growth in 4H-silicon carbide" 国際会議
S.Y.Xiao, S.Harada, T.Ujihara
ISETS '13
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"Two-dimensional crystallization of DNA-functionalized Au nanoparticles using lipid diffusion" 国際会議
T.Isogai, E.Akada, A.Piednoir, Y.Akahoshi, R.Tero, S.Harada, T.Ujihara, M.Tagawa
ISETS '13
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"Direct Observation of Conduction Band Structure and Conduction Electron Distribution in Semiconductor for Intermediate-band Solar Cells" 国際会議
F.Ichihashi, D.Shimura, K.Nishitani, M.Kuwahara, S.Harada, T.Ito, M.Tagawa, T.Ujihara
ISETS '13
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"Aluminum Nitride Whiskers with High Aspect Ratio Grown from Multi-Component Melt" 国際会議
M.Y.Chen, H.Matsubara, K.Mizuno, M.Nagaya, Y.Takeuchi, S.Harada, T.Ujihara, Y.Aoki, K.Kohara, T.Kano
ISETS '13
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"Evaluation of Mini-Bands Formed in Superlattice Structure for Intermediate-Band Solar Cell" 国際会議
D.Shimura, F.Ichihashi, K.Nishitani, S.Harada, T.Ito, M.Kuwahara, M.Matsunami, S.Kimura, M.Tagawa, T.Ujihara
ISETS '13
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"In-situ concentration measurement of zincate ion near zinc anode" 国際会議
K.Haginosaki, Y.Ito, T.Mitsuhashi, Y.Sakai, K.Nagata, O.Terashima, T.Ujihara, M.Shikida, H.Hida
ISETS '13
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SiC溶液成長過程における基底面転位の形成
肖 世玉、原田俊太、宇治原徹
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
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溶液成長法による高品質3C-SiC(111)結晶の開発
関和明、山本翔太、原田俊太、宇治原徹
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
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溶液対流および面内温度分布の表面形状への影響
藤井邦治、武井康一、長井一郎、N. Senguttuvan、平谷正彦、宇治原徹、松本祐司、加藤智久、蔵重和央、奥村元
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
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SiCr溶媒へのAl添加による4H-SiC溶液成長結晶表面のステップ形状変化
三谷武志、小松直佳、高橋徹夫、加藤智久、宇治原徹、松本祐司、蔵重和央、奥村元
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
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溶液成長させた4H-SiC単結晶における放射光X線トポグラフィーによる欠陥分析
長井 一郎、青嶌真裕、八木康洋、武井康一、藤井邦治、N. Senguttuvan、蔵重和央、加藤智久、宇治原 徹、松本祐司、奥村元
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
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多元溶媒SiC溶液成長における成長多形と活量比aSi/aCの相関
堀尾篤史、原田俊太、田川美穂、宇治原徹
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
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4H-SiC溶液成長における成長表面のステップ構造と貫通転位変換挙動の相関
原田俊太、山本祐治、肖世玉、堀尾篤史、田川美穂、宇治原徹
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
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4H-SiC溶液結晶成長における表面マクロ欠陥を抑制する溶媒組成の探索
小松直佳、三谷武志、岡村雅之、高橋徹夫、加藤智久、宇治原徹、松本祐司、蔵重和央、奥村元
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
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SiC溶液成長における過飽和度制御による凸形状成長
古池大輝、梅崎智典、堀尾篤史、原田俊太、田川美穂、宇治原徹
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
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SiC溶液成長におけるSi溶媒の数値解析と成長結晶の表面形状制御
古池大輝
一般社団法人オープンCAE学会 オープンCAEシンポジウム2013