講演・口頭発表等 - 宇治原 徹
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"SiC溶液成長過程における基底面転位の形成"
肖世玉,朱燦,原田俊太,宇治原徹
公益社団法人 応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013)
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"脂質二重膜を利用したDNA被覆金ナノ粒子の2次元結晶化"
磯貝卓巳,赤田英里,Agnes Piednoir,赤星祐樹,手老龍吾,原田俊太,宇治原徹,田川美穂
公益社団法人 応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013)
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"InGaAs/GaAsP超格子における伝導キャリアの直接観察"
西谷健治,市橋史朗,志村大樹,桒原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹
公益社団法人 応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013)
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"鉄系超伝導体NdFeAsO薄膜上への平坦なCaF2層成長"
角谷直紀,千原真志,川口昴彦,田渕雅夫,宇治原徹,一瀬中,塚田一郎,生田博志
公益社団法人 応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013)
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"第三世代太陽電池開発に向けた伝導電子エネルギーの測定"
市橋史朗,志村大樹,西谷健治,桒原真人,伊藤孝寛,原田俊太,田川美穂,宇治原徹
公益社団法人 応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013(JSAP SCTS 2013)
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4H-SiC溶液成長過程における貫通転位変換挙動と成長表面モフォロジーの相関
原田俊太，山本祐治，肖世玉，堀尾篤史，田川美穂，宇治原徹
日本結晶成長学会 第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
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NaClO3溶液成長におけるアキラルな準安定相を介したキラル結晶形成過程
新家寛正，原田俊太，宇治原徹，三浦均，木村勇気，栗林貴弘、上羽牧夫，塚本勝男
日本結晶成長学会 第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
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DNAと脂質二重膜を用いたナノ粒子の2次元結晶化
磯貝卓巳，赤田英里，Agnes Piednoir，赤星祐樹，手老龍吾，原田俊太，宇治原徹，田川美穂
日本結晶成長学会 第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
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ブラウニアン動力学法を用いた2次元2成分結晶の構造形成シミュレーション
勝野弘康，田川美穂，宇治原徹
日本結晶成長学会 第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
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NaClO3溶液成長におけるアキラルな準安定相の溶解度測定
新家寛正，原田俊太，宇治原徹，三浦均，木村勇気，上羽牧夫，塚本勝男
日本結晶成長学会 第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
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多元溶媒を用いたAlNウィスカーの成長
陳鳴宇，松原弘明，水野恒平，永冶仁，竹内幸久，原田俊太，青木祐一，小原公和，加納豊広，宇治原徹
日本結晶成長学会 第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
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"Observation of Conduction Electrons in Superlattice Structure by Visible Light Photoemission Spectroscopy" 国際会議
Kenji Nishitani, Fumiaki Ichihashi, Daiki Shimura, Shunta Harada, Makoto Kuwahara, Miho Tagawa, Takahiro Ito, Toru Ujihara
the 23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference(PVSEC-23)
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DNAセルフアセンブリによるナノ粒子超構造制御
田川 美穂, ガング オレグ, 磯貝 卓巳, 赤田 英里, 宇治原 徹
第 51 回日本生物物理学会年会 シンポジウム 反応場デザインによる生命現象の再構成 -創って知る生物物理-
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金属負極蓄電池の実現に向けた配向結晶集電体によるデンドライト抑制
三橋貴仁, 伊藤靖仁, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原 徹
第54回電池討論会
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亜鉛負極近傍における亜鉛イオン濃度場の評価
萩ノ崎賢也, 伊藤靖仁, 三橋貴仁, 酒井康彦, 長田孝二, 寺島 修, 宇治原 徹, 式田光宏, 肥田博隆
第54回電池討論会
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"Increase in the Growth Rate by Rotating the Seed Crystal at a High Speed during the Solution Growth of SiC" 国際会議
T. Umezaki, D. Koike, S. Harada, and T. Ujihara
the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013)
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"The Suppression of the Trenches by the Control of Solution Flow above Growth Surface in the Solution Growth of SiC" 国際会議
C. Zhu, S. Harada, S. Xiao, K. Seki, M. Tagawa, Y. Matsumoto, T. Kato, K. Kurashige, H. Okamura, and T. Ujihara
the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013)
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"Control of Dislocation Conversion during Solution Growth by Changing Surface Step Structure" 国際会議
S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, A. Horio, M. Tagawa, and T. Ujihara
the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013)
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"N-Type Doping of 4H-SiC by the Top-Seeded Solution Growth Technique" 国際会議
K. Kusunoki, K. Kamei, K. Seki, S. Harada, and T. Ujihara
the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013)
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"Dependence of Growth Rate and Surface Morphology of 4H-SiC Crystals Grown from Si-Cr-C and Si-Cr-Al-C Solutions under Various C Solubility and Supersaturation Conditions" 国際会議
T. Mitani, N. Komatsu, T. Takahashi, T. Kato, K. Fujii, I. Nagai, T. Ujihara, Y. Matsumoto, K. Kurashige, and H. Okumura
the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013)