講演・口頭発表等 - 宇治原 徹
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P型4H-SiC溶液成長法における溶媒インクルージョンおよび結晶の不純物濃度分布の形成要因の分析
伊藤 貴洋 ，沓掛 健太朗 ，原田 俊太，宇治原 徹
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月14日 公益社団法人 応用物理学会
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半導体熱処理条件の最適化における既存条件を考慮した目的関数の検討
笠原 亮太郎, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 宇治原 徹, 関 翔太, 高石 将暉, 永井勇太
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月17日 公益社団法人 応用物理学会
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半導体製造における企業間を跨いだデジタルツインによるウェーハ・デバイスプロセスの全体最適化
関 翔太, 中西 佑児, 松岡 毅, 前田 進, 楠木 琢也, 永井 勇太, 永倉 大樹, 谷川 公一, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月17日 公益社団法人 応用物理学会
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機械学習を用いた超高品質SiC結晶成長技術の開発 招待有り
宇治原 徹
資源・素材学会 2025年度 春季大会 2025年3月14日 一般社団法人資源・素材学会
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絶縁放熱シートにおける形状の異なるAlN フィラーの共添加による高熱伝導化
山口昂大, 原田俊太, 沓掛健太朗, 宇治原徹
2025年年会 公益社団法人日本セラミックス協会 2025年3月6日 公益社団法人 日本セラミックス協会
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Modeling and Analysis of undoped GaN using A horizontal laminar flow MOCVD reactor 国際会議
Takahiro Gotow, Tsutomu Sonoda, Tokio Takahashi, Hisashi Yamada, Toshihide Ide, Reiko Azumi, Mitsuaki Shimizu, Yosuke Tsunooka, Shohta Seki, Kentaro Kutsukake, and Tohru Ujihara
17ty International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma2025) 2025年3月3日
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プロセス・インフォマティクスによる素材開発：SiC溶液成長への応用 招待有り
宇治原 徹
2024年度 OPERANDO-OIL・COMS・量⼦ビーム計測クラブ合同研究会 2025年2月10日
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SiC溶液成長法における機械学習技術とその応用
宇治原 徹
マテリアル戦略総合シンポジウム2025（MatISS2025） 2025年1月31日
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カスケード工程の全体最適化に適用可能なAnalytical Target Cascadingの検討
第34回 日本MRS年次大会 2024年12月17日 日本MRS
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SiC溶液成長法における坩堝形状の変化に応じた長時間プロセス最適化
第34回 日本MRS年次大会 2024年12月17日 日本MRS
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数値計算を駆使したマクロステップの挙動の基礎的理解に基づくSiC溶液法技術の開発 招待有り
宇治原 徹
先進パワー半導体分科会11回講演会 2024年11月26日 公益社団法人応用物理学会 先進パワー半導体分科会
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SiC溶液成長における成長、エッチング、堆積界面の動的変形モデリング
劉 新、宇治原 徹
第53回結晶成長国内会議（JCCG-53） 2024年11月20日 日本結晶成長学会
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第一原理分子動力学シミュレーションによるSiC溶液成長界面の解析
岩佐 澪、 福永 拓実、 河村 貴宏、 関 翔太、 原田 俊太、 宇治原 徹
第53回結晶成長国内会議（JCCG-53） 2024年11月20日 日本結晶成長学会
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Modeling of GaN MOCVD toward machine learning 国際会議
Hisashi Yamada, Tsutomu Sonoda, Tokio Takahashi, Takahiro Gotow, Toshihide Ide, Reiko Azumi, Mitsuaki Shimizu, Shohta Seki, Kentaro Kutsukake, and Toru Ujihara
2024年11月14日
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連続工程のためのATCを適応した最適化手法の検討
笠原 亮太郎，沓掛 健太朗，原田 俊太，宇治原 徹
第1回 半導体結晶技術に関する産学連携ワークショップ 2024年10月31日
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多様な誤差を考慮した製造装置シミュレーションのデータ同化
沓掛健太朗, 竹野思温, 太田壮音, 竹内 一郎, 宇治原 徹
第37回計算力学講演会（CMD2024） 2024年10月18日 一般社団法人 日本機械学会
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SiC 溶液成長界面の第一原理分子動力学シミュレーション
Iwasa Ryo, Takumi Fukunaga, Takahiro kawamura, Shota Seki, Shunta Harada, and Toru Ujihara
第43回電子材料シンポジウム 2024年10月2日
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Si-Cr 溶液の分子動力学シミュレーション：SiC溶液成長におけるAl添加の影響の検討
Takumi Fukunaga, Ryo Iwasa, Takahiro Kawamura, Shota Seki, Shunta Harada, and Toru Ujihara
第43回電子材料シンポジウム 2024年10月2日
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Numerical Simulation Study on Different Scales to Suppress Solvent Inclusion Defects in SiC Solution Crystal Growth 国際会議
Huiqin Zhou, Hitoshi Miura, Kentaro Kutsukake, Yifan Dang, Shunta Harada and Tour Ujihara
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM2024） 2024年10月3日
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8-Inch Thick SiC Crystals Grown by Solution Growth Method Combined with Digital Twin 招待有り 国際会議
Toru Ujihara, Tomoaki Furusho, Koki Suzuki, Daiki Shimoda, Keiichiro Wakamiya, Takemi Yonaha, Kazuo Kurashige, Hiroyuki Ishibashi, Kenta Murayama and Kazuhito Kamei
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM2024） 2024年10月3日