講演・口頭発表等 - 宇治原 徹
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連続工程のためのATCを適応した最適化手法の検討
笠原 亮太郎，沓掛 健太朗，原田 俊太，宇治原 徹
第1回 半導体結晶技術に関する産学連携ワークショップ 2024年10月31日
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多様な誤差を考慮した製造装置シミュレーションのデータ同化
沓掛健太朗, 竹野思温, 太田壮音, 竹内 一郎, 宇治原 徹
第37回計算力学講演会（CMD2024） 2024年10月18日 一般社団法人 日本機械学会
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SiC 溶液成長界面の第一原理分子動力学シミュレーション
Iwasa Ryo, Takumi Fukunaga, Takahiro kawamura, Shota Seki, Shunta Harada, and Toru Ujihara
第43回電子材料シンポジウム 2024年10月2日
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Si-Cr 溶液の分子動力学シミュレーション：SiC溶液成長におけるAl添加の影響の検討
Takumi Fukunaga, Ryo Iwasa, Takahiro Kawamura, Shota Seki, Shunta Harada, and Toru Ujihara
第43回電子材料シンポジウム 2024年10月2日
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Numerical Simulation Study on Different Scales to Suppress Solvent Inclusion Defects in SiC Solution Crystal Growth 国際会議
Huiqin Zhou, Hitoshi Miura, Kentaro Kutsukake, Yifan Dang, Shunta Harada and Tour Ujihara
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM2024） 2024年10月3日
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8-Inch Thick SiC Crystals Grown by Solution Growth Method Combined with Digital Twin 招待有り 国際会議
Toru Ujihara, Tomoaki Furusho, Koki Suzuki, Daiki Shimoda, Keiichiro Wakamiya, Takemi Yonaha, Kazuo Kurashige, Hiroyuki Ishibashi, Kenta Murayama and Kazuhito Kamei
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM2024） 2024年10月3日
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Dynamic deformation modeling for the interfaces of growing, etching, and depositing under the switching flow in TSSG-SiC growth 招待有り 国際会議
Xin Liu and Toru Ujihara
The 11th International Workshop on Modeling in Crystal Growth(IWMCG11) 2024年9月24日
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Data assimilation for crystal growth simulation incorporating multiple uncertainties using machine learning 国際会議
Kentaro Kutsukake, Shion Takeno, Masato Ota, Ichiro Takeuchi and Toru Ujihara
The 11th International Workshop on Modeling in Crystal Growth(IWMCG11) 2024年9月24日
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機械学習を用いた離散不純物によるMOSFET閾値電圧ばらつきの統計的な解析
関 翔太, 長田 圭一, 髙石 将輝, 笠原 亮太郎, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月20日
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連続工程の全体最適化のための最適化手法の検討
笠原 亮太郎，沓掛 健太朗，原田 俊太，宇治原 徹
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月20日
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SiC溶液成長法における潜在空間を利用した長時間プロセスの最適化
坂本 隆直，沓掛 健太朗，原田 俊太，宇治原 徹
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月20日
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SiC溶液成長法における多結晶生成要因の検討
杉浦大輝、村山健太、沓掛健太朗、原田俊太、宇治原徹
第43回 結晶成長討論会 2024年9月12日
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SiC溶液成長法における溶媒インクルージョンの３次元形状の解明と形成メカニズムの分析
伊藤貴洋、周惠琴、沓掛健太郎、原田俊太、宇治原徹
第43回 結晶成長討論会 2024年9月12日
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SiC溶液成長法の長時間プロセスにおける坩堝の形状変化に対応したシーケンス最適化に向けて
坂本 隆直, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 宇治原 徹
第43回 結晶成長討論会 2024年9月12日
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AI を活用した SiC 溶液成長技術の開発 招待有り
宇治原 徹
日本セラミックス協会 第37回秋季シンポジウム 2024年9月10日
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Molecular Dynamics Simulation of Si-Cr-C Solutions: The Effect of Al Addition on SiC Solution Growth 国際会議
Takumi Fukunaga, Ryo Iwasa, Takahiro Kawamura, Shota Seki, Shunta Harada, and Toru Ujihara
2024 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2024) 2024年9月3日
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Dynamic deformation modeling for the interfaces of growing, etching, and depositing in TSSG-SiC 国際会議
Xin Liu and Toru Ujihara
8th European Conference of Crystal Growth(ECCG8) 2024年7月22日
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Si-Cr溶液の分子動力学シミュレーション： Al添加がSiC結晶成長に与える影響の検討
福永拓実, 岩佐零, 河村貴宏, 関翔太, 原田俊太, 宇治原徹
第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2024年5月31日
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人間参加型選好ベイズ最適化の半導体製造プロセス開発への応用
松田 凌芽, 霜田 大貴, 吉田 拓未, 竹野 思温, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹, 竹内 一郎
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月25日
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シリコン中の不純物増速拡散の機械学習
霜田 大貴, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月25日