講演・口頭発表等 - 宇治原 徹
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Formation of Different Polytypes during 4H-SiC Solution Growth 国際会議
Shunta Harada, Alexander, Kazuaki Seki, Yuji Yamamoto, Toru Ujihara, Jun Yamasaki, Nobuo Tanaka
International Symposium on EcoTopia Science 2011 (ISETS '11)
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溶液法を用いた4H-SiC結晶における貫通らせん転位の消滅
山本祐治, 原田俊太, 関和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 宇治原徹
公益社団法人応用物理学会 第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
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SiC 溶液成長における貫通転位の変換過程 ーUltra-High Quality の可能性ー
宇治原徹，原田俊太，山本祐治，関和明，堀尾篤史，三橋貴仁
公益社団法人応用物理学会 第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
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成長速度論的多形選択成長を用いた3C-SiCバルク結晶の実現
関和明, 山本祐治, 原田俊太, 宇治原徹, 竹田美和
公益社団法人応用物理学会 第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
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Solution growth of high-quality SiC crystal for next-generation power device materials 国際会議
Shunta Harada, Toru Ujihara
1st Global Conference on Materials and Technology for the Future "Green Vehicle"
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MBE法によるNdFeAs（O,F）上へのCaF2絶縁膜成長
上村彦樹, 川口昴彦, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹田美和, 生田博志
日本結晶成長学会 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）
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AlN溶液成長においてMg蒸気圧が融液の窒化に与える影響
水野恒平, 松原弘明, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和
日本結晶成長学会 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）
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6H-SiC上への3C-SiC溶液成長における速度論的多形選択メカニズム
関和明, 山本祐治, 原田俊太, 宇治原徹, 竹田美和
日本結晶成長学会 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）
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SiC溶液成長における転位変換過程
宇治原徹, 小澤茂太, 山本祐治, 関和明, 原田俊太
日本結晶成長学会 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）
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溶液成長における4H-SiC上での多形変化挙動
原田俊太, アレキサンダー, 関和明, 山本祐治, 宇治原徹
日本結晶成長学会 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）
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Polytype transformation path on 4H-SiC during top-seeded solution growth 国際会議
S. Harada, Alexander, K. Seki, Y. Yamamoto and T. Ujihara
2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
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Dissociation of Screw Dislocations Assisted by Step-flow Process in SiC Solution Growth 国際会議
T.Ujihara, S.Kozawa, K.Seki, Y.Yamamoto, Alexander and S.Harada
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Al融液窒化法における高密度AlN形成メカニズム
水野恒平, 松原弘明, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和
公益社団法人日本セラミックス協会 第24回秋季シンポジウム
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Polytype-Controlled Solution Growth of 3C-SiC on 6H-SiC (0001) by Supersaturation in Si-Sc-C Ternary System 国際会議
September 12, The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland, Ohio, USA, September 11-16
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Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation During SiC Solution Growth 国際会議
September 14, The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland, Ohio, USA, September 11-16
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Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth 国際会議
September 12, The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland, Ohio, USA, September 11-16
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過飽和度制御による6H-SiC(0001)上への3C-SiC溶液成長
関 和明，山本祐治，原田俊太，宇治原徹，竹田美和
8月30日, 山形大学 小白川キャンパス, 山形県, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 30a-ZB-1
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AlGaAs中間層及びSi3N4反射防止膜の導入による透過型GaAs/GaAsP歪み超格子スピン偏極フォトカソードの量子効率向上
市橋史朗，金 秀光，山本尚人，真野篤志，桑原真人，渕 真悟，宇治原徹，竹田美和
8月31日, 山形大学 小白川キャンパス, 山形県, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 31a-ZA-13
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MBE成長したNdFeAsO薄膜へのフッ素ドーピング
川口昂彦，上村彦樹，大野俊也，田渕雅夫，宇治原徹，竹田美和，生田博志
8月31日, 山形大学 小白川キャンパス, 山形県, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 31a-ZT-10
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NdFeAs(O,F)薄膜の超伝導特性の基板依存性
上村彦樹，川口昂彦，大野俊也，田渕雅夫，宇治原徹，竹田美和，生田博志
8月31日, 山形大学 小白川キャンパス, 山形県, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 31a-ZT-9