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リモートプラズマ酸化したGaNの表面構造と電子状態
山本泰史、田岡紀之、大田 晃生、グェンスァン チュン、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一
応用物理学会SC東海地区学術講演会2017
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熱処理によるエピタキシャルAg上へのGe二次元結晶の合成指針の構築
伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
応用物理学会SC東海地区学術講演会2017
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熱処理がリモートプラズマ CVD SiO2/GaN 構造の化学結合状態及び電気特性に与える影響
グェンスァン チュン, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一
応用物理学会SC東海地区学術講演会2017
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XPSによるHigh-k/SiO2界面のダイポール定量と酸素密度比との相関
藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
第78回応用物理学会秋季学術講演会
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電子・正孔交互注入によるGeコアSi量子ドット多重集積構造の発光特性
牧原 克典、池田 弥央、藤村 信幸、大田 晃生、宮崎 誠一
第78回応用物理学会秋季学術講演会
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Study of Wet Chemical Treatments of Epitaxial GaN(0001) Surface
L. Peng, A. Ohta, N. X. Truyen, M. Ikeda, K. Makihara, N. Taoka, T. Narita,, K. Itoh, D. Kikuta, K. Shiozaki, T. Kachi, and S. Miyazaki
第78回応用物理学会秋季学術講演会
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真空紫外光電子分光によるGaNの電子親和力評価
今川 拓哉、大田 晃生、藤村 信幸、グェン スァン チュン、池田 弥央、牧原 克典、加地 徹、塩崎 宏司、宮崎 誠一
第78回応用物理学会秋季学術講演会
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リモート酸素プラズマで形成したGa酸化物/GaN構造のエネルギーバンド構造と電気的特性
山本泰史、田岡紀之、大田 晃生、グェンスァン チュン、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一
第78回応用物理学会秋季学術講演会
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熱処理によるAg/Ge構造の表面平坦化とGe析出量制御
伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一
第78回応用物理学会秋季学術講演会
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リモート酸素プラズマ支援CVD SiO2/GaNの熱安定性
グェンスァン チュン, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一
第78回応用物理学会秋季学術講演会
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高誘電率絶縁膜の電子親和力の決定およびSiO2との界面で生じる電位変化の定量
藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
2017 年真空・表面科学合同講演会 第37 回表面科学学術講演会・第58 回真空に関する連合講演会
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リモート酸素プラズマ支援CVDによる急峻SiO2/GaN界面の形成とその電気的特性
グェンスァン チュン, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一
2017 年真空・表面科学合同講演会 第37 回表面科学学術講演会・第58 回真空に関する連合講演会
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XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価
藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎誠一
電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
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エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成
伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
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定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価
大田 晃生、加藤 祐介、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一
電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会
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Total Photoelectron Yield Spectroscopy of Electronic States of Oxide Thin Films and Wide Bandgap Semiconductors International conference
10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
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Luminescence Studies of High Density Si Quantum Dots with Ge core International conference
K. Yamada, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
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Evaluation of Dielectric Function of Oxide Thin Films from Photoemission Measurements International conference
T. Yamamoto, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
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Characterization of Field Electron Emission from Multiply-Stacking Si Quantum Dots International conference
Y. Nakashima, D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki
10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
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Chemical Analysis of Epitaxial Ag(111) Surface formed on Group-IV Semiconductors International conference
K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"